據彭博社報道，三星電子將獲得美國《芯片法案》超60億美元的補貼。而美國政府做出這一計劃出于支持三星在德克薩斯州的項目投資所作。

報道補充道：“美國聯邦政府的資金支援將與美國國內相當規模的追加投資并行”，“不確定追加投資將在何處執行。”不過這一金額超過了美國政府計劃向臺積電補貼的50億美元。

2021年，三星計劃在美國德克薩斯州泰勒市投資170億美元來建設晶圓代工新工廠，據悉，由于美國當地建設費用都有所提升等原因，該新工廠預計到竣工為止，三星的投資金額將增加至200億美元左右。

臺積電計劃在美國亞利桑那州新建兩座工廠，總投資高達400億美元，第一座晶圓廠原計劃將在2024年投產；第二座晶圓廠也將盡快在2026年投入生產3nm工藝的芯片。不過臺積電已經宣布，將推遲在美國亞利桑那州工廠的投產時間，臺積電董事長劉德音（Mark Liu）表示，臺積電在亞利桑那州斥資400億美元的第二工廠投資項目遇到了挑戰，不過工廠的建設依舊在繼續，臺積電只是將工廠落成時間線推遲至2027年或2028年，同時，該工廠將生產的芯片類型也尚未確定，這將受到客戶需求以及政府相關鼓勵措施的影響。

在這種情況下，三星電子獲得的補助金比臺積電更多，有可能與三星投資進行速度和追加投資有關。三星電子以今年年末啟動為目標，正在加快工廠建設速度。相反，臺積電將工廠開工時間從年末推遲到明年上半年，第二家工廠的開工時間也被推遲。拉蒙多部長上個月表示：“決定把優先順序放在2030之前能開始運營的項目上”，“為了支援10年后才能開工的項目，拒絕今年能取得成果的項目是沒有責任感的。”

盡管美國期望通過補助金來刺激更多芯片大廠來美國本土建廠，增強產能擴增，但美國卻在補貼這件事上一直不盡如人意。

據悉，英特爾獲得35億美元的撥款補助，資金為期三年，將主要用于“Secure Enclave”（安全隔離區）計劃，其中，負責根據《芯片和科學法案》撥款的美國商務部此前只負責其中的10億美元，有消息稱，美國國防部終止了向半導體巨頭英特爾撥款25億美元的計劃，并將彌補缺口的責任推給了美國商務部。

微芯科技在今年獲得了1.62億美元，其中9000萬美元用于改善其位于科羅拉多州的工廠，另外7200萬美元用于擴建位于俄勒岡州格雷沙姆的工廠。格芯獲得了15億美元，用于擴大其在紐約馬耳他的現有晶圓廠。

美國商務部長雷蒙多表示，大多數尋求美國政府補貼的芯片公司，最后得到的補貼將大大低于他們申請的數額，因為美國政府收到了累計600多份意向書，超過700億美元的補貼，是計劃發放補貼規模280億美元的兩倍多。

美國商務部目前優先考慮扶持那些將在2030年投入運營的項目，而不再喜歡長期項目。