存儲芯片市場迎來大超預期的新一輪上升期，行業巨頭美光科技的財報數據全面飄紅，預示今年存儲市場供不應求。美光科技的財報顯示，當季業績不僅全面超過預期，而且未來業績指引也超預期。更關鍵的是，美光在展望中明確強調今年存儲市場將供不應求，這一消息直接推動了美股美光科技盤后大漲18%。

美光作為全球存儲三巨頭之一，其景氣度就是全球存儲產業的風向標。存儲芯片受供需關系驅動，是科技領域最典型的周期品。目前，上一輪周期已經于2023年下半年見底，存儲價格已經持續上漲，2024年將全面開啟存儲的新一輪上升期。

而AI大周期的新需求驅動將使新一輪存儲周期彈性更大，無論是服務器、手機還是PC，AI對這三塊的需求都是爆發式驅動。

利好傳來，三星電子欲漲價

在半導體行業中，最重要的方向莫過于存儲器，幾乎所有常見的電子設備都需要使用存儲器，因此應用端涉及消費電子、信息通信、汽車電子、物聯網、高新科技等領域。

而半導體存儲芯片中DRAM（即常說的內存）和NAND Flash（閃存的一種）是最主流的半導體存儲器，有機構稱這兩種在存儲芯片市場規模中的占比超過95%。

TechInsights的統計數據顯示，截至2024年2月16日的一周，DRAM銷售額同比增長79%。預計2024全年，全球DRAM芯片銷售額將增長46%，達到780億美元。

據悉，受益于需求的激增，存儲芯片的價格也在持續上漲。

DRAM Exchange預計在供給控制持續以及需求緩步復蘇下，2024年第一季DRAM環比漲幅13%-18%，NAND環比漲幅18%-3%。

在公司層面，據韓媒ChosunBiz報道，三星電子計劃在今年3月至4月期間，與主要移動端、PC端、服務器端客戶重新協商價格，目標漲價15%至20%。

作為全球存儲芯片龍頭，三星電子的漲價也被視為是行業回暖的標志性信號。

山西證券3月18日發布研報稱，受益生成式AI需求增長及消費電子年終出貨，2023年四季度起全球半導體及細分產業陸續回溫。需求端，2023年四季度手機、PC市場同比均有復蘇，2024年1月全球半導體銷售額同比增幅達2022年5月以來最高水平。供給端，下游庫存陸續回歸正常水位，受益AI相關布局需求存儲芯片價格漲勢強勁。

德邦證券近期曾指出，DRAM需求受多因素催化，價格有望持續逐步上漲。NAND客戶需求轉強而總體供給下降，從而推動價格上漲趨勢。模組端，鎧俠根據市場靈活調整產能，預計存儲產品售價將不斷改善。


大廠競相追逐

HBM3e將于今年迎放量周期

目前，高帶寬存儲器HBM（High Bandwidth Memory）已經從HBM、HBM2、HBM2E，發展至HBM3、HBM3E。存儲大廠擴產重心主要在HBM3以及HBM3e產品上。

HBM3主要有SK海力士和三星供應，從供應端情況來看，據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，目前，NVIDIA現有主攻H100的存儲器解決方案為HBM3，SK海力士是最主要供應商，然而供應不足以應付整體AI市場所需。至2023年末，三星以1Znm產品加入NVIDIA供應鏈，盡管比重仍小，但可視為三星于HBM3世代的首要斬獲。

TrendForce集邦咨詢調查指出，2024年第一季，三星HBM3產品也陸續通過AMD MI300系列驗證，其中包含其8h與12h產品，故自2024年第一季以后，三星HBM3產品將會逐漸放量。值得注意的是，過去在HBM3世代的產品競爭中，美光（Micron）始終沒有加入供應行列，僅有兩大韓系供應商獨撐，且SK海力士HBM市占率目前為最高，三星將隨著后續數個季度MI300逐季放量，市占率將急起直追。

HBM3e方面，今年以來，市場目光將從HBM3轉向HBM3e，預計下半年將逐季放量，并逐步成為HBM市場主流。據悉，英偉達（NVIDIA）新一代含B100或H200的規格將為最新HBM3e產品。

從大廠最新動態來看，SK海力士于3月19日宣布已開始量產高帶寬內存產品HBM3E，將從3月下旬起向客戶供貨。據透露，該公司新芯片將首先發貨給英偉達，并用于其最新的Blackwell GPU。

美光科技透露在最近一個季度，公司首次從其新品HBM3E中獲得收入。該公司特別提到，HBM3E將于第二季末供給英偉達的AI芯片H200 Tensor Core GPU。

三星方面，該公司將于今年上半年開始批量生產HBM3E 12H。TrendForce集邦咨詢表示，由于遞交樣品的時程較其他兩家供應商略晚，預計其HBM3e將于第一季末前通過驗證，并于第二季開始正式出貨。由于三星HBM3的驗證已經有了突破，且HBM3e的驗證若無意外也即將完成，這也意味著該公司的出貨市占于今年末將與SK海力士拉近差距。

HBM國內即將實現0-1的突破

全球HBM產品被海力士、三星、美光三分天下，目前國內僅有長鑫存儲有HBM的實際樣品，長鑫存儲和通富微電合作，在23年5月成功在通富微電生產出國內首批基于3D封裝的HBM顆粒，預計今年一季度將有1k顆8Hi 8GB HBM2出貨，此外，還有3家公司在突破HBM的瓶頸，華為在23年10月立項研發HBM，甬矽電子（688362）也具備HBM的生產能力和設備，有是一條中試線在運行。海光信息在和通富微電做做HBM研發，生產HBM2E 16GB產品用于海光深算3，進度非常快，根據海光信息官方透露，今年將推出海光深算3，那么HBM2E也將在今年推出。武漢新芯發布《高帶寬存儲芯粒先進封裝技術研發和產線建設》招標項目，要進入HBM市場。

從這兩方面來看，HBM是存儲芯片最先進的技術，也是最具有想象空間的，HMB還有三大利好