為改善營運與提振氣勢，英特爾執行長Pat Gelsinger啟動設計與制造內部分拆大計。法新社

由英特爾（Intel）所號召的二線代工聯盟勢力可望迅速拉升，5年內雖難以挑戰臺積電，但至少拉近市佔差距，且讓眾廠皆有生存空間。

英特爾近日直接揭露制造部門等財務現況與展望，2023年大虧70億美元，且至2027年才有機會損益兩平的預估，導致市場大多看衰其重返晶圓代工戰場表現。

對此，半導體設備業者表示，英特爾記取10奈米延宕所帶來的營運與氣勢衰減教訓，執行長Pat Gelsinger上任以來全力拉近與臺積電的制程技術差距已見成效。

而最關鍵的“與客戶爭利、沒見大單落袋”，除了已有美國政府釋單及部分美系大廠支持外，英特爾也正與聯電、高塔（Tower Semiconductor）等二線晶圓代工廠結盟，合力改善位于新墨西哥州、亞利桑那州等既有晶圓廠區的生產成本、產能利用率、客戶規模等劣勢。

面對市場看衰聲浪，英特爾重返晶圓代工戰場的決心依舊堅定，除了自身制程技術與研發創新能力絕對不輸臺積電外，更重要的是肩負美國政府重返半導體制造榮耀的重任。

半導體設備業者表示，為改善營運與提振氣勢，英特爾執行長Pat Gelsinger啟動設計與制造內部分拆大計，也就是雙邊不再干擾與拖累對方，設計部門可按競況與最佳成本、良率等考量進行委外釋單，這也是英特爾為何擴大下單臺積電7奈米以下，甚至是3奈米制程的關鍵所在。

進一步來看，隨著英特爾處理器平臺不再擠牙膏，在臺積電助攻下，如期推出且整體效能符合預期，原本擁抱臺積電的超微（AMD），將不再具有優勢，接下來在PC、伺服器戰局中，搶奪英特爾版圖的難度大增。

而最受關注的就是晶圓代工部署，設備業者指出，Pat Gelsinger上任以來，同步且迅速執行IDM 2.0等多項重大改造策略，重整效益也正緩步顯現，包括全力消除先前14奈米與10奈米世代延宕多年的危機，“四年五節點”目標將如期實現。

還有宣布位于美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中，已完成業界首臺商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝，將開始進行多項校準步驟，預計于2027年啟用、率先用于Intel 14A制程，導入時程領先三星電子（Samsung Electronics）與臺積電，奪回制程技術領先王位的企圖心顯著。

英特爾相當清楚市場的疑慮在于“沒有外部大客戶與大規模訂單落袋”，對比臺積電不斷強調的“專業代工”，英特爾先天條件確實不及。

設備業者表示，英特爾為此也擬定三大反擊策略：首先是不斷公開凸顯地緣政治風險、兩岸衝突危機，強調1990年全球8成晶片都在歐美制造，但現在則反過來亞洲比重達8成，美國只剩下12%，歐洲更只有8%。

英特爾提醒所有客戶，半導體晶片集中在亞洲生產是非常危險，也因此肩負重任的英特爾，目標是將歐美制造比重由20%提升至50%。

第二則是擁有歐美政府的支持，包括建廠補助與承接訂單。美國國防部先前提出“RAMP-C”計畫，一開始即與英特爾簽下代工協議，將使用18A技術開發和生產晶片，雙方合作已進入早期試產階段。

此外，英特爾也已宣布18A制程也獲微軟（Microsoft）釋單。

英特爾其實也一再對外重申2030年將成為全球晶圓代工市佔第二大的目標，目前的策略是向客戶表明為臺積電以外的第二供應商定位，強調訂單風險分散，爭取客戶投片。

第三則是結盟聯電與收購失敗的高塔等二線代工業者，未來甚至可能納入前2年不愿相親的GlobalFoundries（GF）。

Pat Gelsinger先前直言，目前全球相關政府監管單位對于半導體投資與收購案控管極為嚴謹，因此英特爾不再以購併為主要策略，而轉向結盟、互惠合作關係。

設備業者表示，英特爾收購高塔失敗后，雙方也簽定協議，英特爾提供12吋晶圓代工服務給高塔，而高塔則將投資英特爾新墨西哥州工廠約3億美元，以收購工廠即將裝設的設備與其他固定資產。

近月來高塔開始斥資入手新設備，放置于英特爾墨西哥州工廠，雙方合作拉升制程技術、成本控制，以及擴大接單能力與產能。

英特爾亦與聯電攜手開發12奈米制程平臺，并在英特爾亞利桑那州廠進行開發和制造，預計2027年開始量產。

對于停留在22/28奈米世代，14奈米未能推進的聯電而言，必須考量三星、聯發科、瑞昱、聯詠等眾多大客戶推進制程的強勁需求，因此透過與英特爾的合作，可守住客戶且大減建廠與獨立承擔設備與人力成本的巨大壓力。

對英特爾來說，聯電、高塔的助陣，將充分利用既有廠區生產價值，以及快速帶入新客戶與訂單，進一步拉升產能利用率與市佔，而英特爾也可同時專注推進先進制程，搶食AI、HPC等高價訂單。

值得注意的是，由于車用市況不如預期，加上二線晶圓代工在成熟制程戰場競爭激烈，接下來GF或有機會開啟與英特爾的美系同盟合作。