補貼建廠、花錢搞研究，美國半導體產業真的只靠錢？
自2024年以來，英特爾、臺積電、三星、格芯等半導體大廠都已宣布獲得補貼。而近日，有消息稱美國存儲芯片制造大廠美光科技也將獲得逾60億美元的補貼。
如今，該消息得到了美光科技的證實。
61億美元
美光確認獲高額補貼
當地時間4月25日，美光科技正式在其官網宣布，獲得61億美元政府補助。
美光在新聞稿中指出，已經與美國政府簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，將依據《芯片與科學法案》而獲得美國政府提供的61億美元資金補助，以支持愛達荷州和紐約州計劃的尖端內存制造。
據悉，除了61億美元資金補助，美光還將受益于美國財政部的投資稅收抵免，該稅收抵免將為美光合格的資本投資提供25%的抵免。此外，紐約州政府也將為美光提供高達55億美元的激勵措施。
這些撥款以及額外的州和地方激勵措施將支持美光在愛達荷州建設一個領先的DRAM存儲器制造工廠，并在紐約州克萊鎮建設兩座先進DRAM存儲器制造工廠。新聞稿表示，美國政府的補貼將支持美光計劃到2030年為美國國內領先的存儲器制造投資約500億美元的總資本支出。
美光表示，500億美元的投資金額也是美光未來20年在紐約和愛達荷州投資至多1250億美元、創造上萬個就業崗位計劃的第一步。
多家芯片制造商獲補貼
美國逾10座晶圓廠在路上
2022年，為重振美國半導體生產，美國政府正式通過了《芯片與科學法案》，其中包括向半導體行業提供約527億美元的資金支持，為企業提供價值240億美元的投資稅抵免等。
而截至目前，除了美光的61億美元之外，美國政府此前已確定向臺積電、英特爾、格芯、三星等芯片制造商發放數百億美元的補貼。從數量上來看，上述廠商在美國建設（進行中和計劃）的晶圓廠已超10座。
4月15日，美國政府與韓國三星達成協議，將向該公司提供高達64億美元的直接資助，用于在得克薩斯州建立一個半導體生態集群，包括兩家生產4納米和2納米芯片的工廠。此外，還將建設一家專門負責研發的工廠，以及一個芯片組件封裝設施。
4月8日，美國商務部和臺積電簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT），基于《芯片與科學法案》，臺積電將獲得最高可達66億美元的直接補助。此外，臺積電還宣布，計劃在美國亞利桑那州建設第三座晶圓廠。臺積電表示，其第三座晶圓廠將使用2納米或更先進的工藝生產芯片，并計劃在2028年開始生產。
3月20日，美國商務部與英特爾達成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），前者向英特爾提供至多85億美元的直接資金和最高110億美元貸款以擴大其高端芯片制造產能。按照計劃，英特爾將在美國四個州投入1000億美元，用于建設新工廠及升級現有工廠。包括在亞利桑那州和俄亥俄州大型工廠生產尖端半導體，以及俄勒岡州和新墨西哥州小型工廠的設備研發和先進封裝項目。
2月19日，美國政府表示，將向格芯提供15億美元資金，以擴大半導體生產。根據格芯與美國商務部達成的初步協議，該公司將在紐約州馬爾他興建新廠，并擴大當地與佛蒙特州伯靈頓既有的生產規模。
事實上，自2023年2月開放資助申請以來，美國CHIPS計劃辦公室（The CHIPS Program Office）已收到630多份意向書和180份項目申請。由于資金有限且申請數量巨大，CHIPS項目辦公室已近日宣布，計劃關閉半導體制造工廠的資助申請，將關閉對半導體工廠或晶圓廠的聯邦資助機會，“直至另行通知”。
斥資110億美元
美國計劃建立半導體研究中心
美國政府近日宣布斥資 110 億美元（當前約 798.6 億元人民幣），設立專門的研發中心，推進半導體領域的相關研究。
拜登政府已宣布向美國國家半導體技術中心（NSTC）投資 50 億美元，該中心采用公私聯合體架構，在相關政策扶持下推進半導體芯片及相關研究。
NSTC 將匯集政府、行業、勞工、客戶、供應商、教育機構、企業家和投資者，以加快創新步伐，降低參與半導體研發的壁壘，并直接滿足熟練、多樣化的半導體勞動力的基本需求。
美國商務部除了向 NTSC 撥款 50 億美元之外，還計劃撥款 30 億美元推進美國本土半導體封裝計劃、2 億美元用于創建美國芯片制造研究所（Chips Manufacturing USA Institute）、1.09 億美元用于 Chips Metrology 項目，剩余的 27 億美元用于后續投入到相關產業中。
美國發布微電子研究戰略
近日，白宮科學技術政策辦公室 (OSTP)發布了一項新戰略，以加強美國的微電子研發 (R&D) 創新生態系統。正如兩黨《美國芯片法案》所呼吁的那樣，國家微電子研究戰略概述了未來五年的主要目標和行動。
本《國家微電子研究戰略》提出了未來五年實現這些機遇所需的目標、關鍵需求和行動。該戰略為聯邦部門和機構、學術界、產業界、非營利組織以及國際盟友和合作伙伴提供了一個框架，以滿足關鍵需求并建立微電子研發基礎設施，從而支持未來半導體領域的發展。
在未來五年中，白宮和聯邦各部門及機構將共同努力，推進四個相互關聯的目標：
1.促進和加快未來微電子技術的研究進展
2.支持、建設和連接從研究到制造的微電子基礎設施
3.為微電子研發到制造生態系統培養和維持技術人才隊伍
4.創建一個充滿活力的微電子創新生態系統，加速研發向美國產業的過渡
第一個目標側重于若干領域的關鍵研究需求，這些領域是加快未來幾代微電子系統所需的進步所必需的。研究領域包括：可提供新功能的材料；電路設計、模擬和仿真工具；新架構和相關硬件設計；先進封裝和異構集成的工藝和計量；硬件完整性和安全性；以及將新創新成果轉化為生產的制造工具和工藝，這些研究領域需要使用專用工具和設備。
第二個目標的重點是支持、擴大和連接研究基礎設施，從小規模材料和器件級制造和表征，到原型設計、大規模制造以及高級裝配、封裝和測試。所需的工具包括軟件（包括設計工具）和商業規模的生產和計量硬件。國內半導體產業的發展也將為全國提供更多的高薪工作機會。
目標三確定了支持學習者和教育者培養從研究到制造所需的技術人才的工作。
最后，第四個目標是著眼于整個研發領域，提出了創建充滿活力的微電子創新生態系統的戰略和行動，以加快新進展向商業應用的過渡。主要工作不僅支持微電子技術發展途徑各階段的行動，還將各種網絡和活動連接起來，以建立微電子創新的良性循環。
這四個目標將在半導體產業的全球性質背景下實現。與半導體制造供應鏈一樣，支持微電子創新生態系統的研究設施和人才也遍布世界各地。國際合作、貿易和外交是利用各種努力和資源、促進人才流動和研究合作、確保供應鏈安全的重要工具。
這一戰略的實施將帶來一個充滿活力的創新生態系統，加速新的研究突破，支持這些進展向制造業的過渡，并為全美人民提供高薪工作。一個全面建設、四通八達的微電子研究基礎設施將為研究人員實現突破奠定基礎，并帶來良性的創新循環。
