在經(jīng)歷下行周期后，2023年第四季度開始，存儲價(jià)格開始止跌回暖，且從各大廠商公布的最新營收來看，存儲芯片市場回溫信號正逐漸凸顯。


廠商業(yè)績釋放回溫信號

從國際大廠來看，此前鎧俠、SK海力士、三星、美光、西部數(shù)據(jù)等公布的最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，在AI需求加持下，各大廠商營收和利潤均表現(xiàn)亮眼。

其中，鎧俠、美光和西部數(shù)據(jù)均實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，鎧俠2023財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)實(shí)現(xiàn)營業(yè)利潤439億日元、凈利潤103億日元；美光2024財(cái)年二財(cái)季GAAP凈利潤為7.93億美元；西數(shù)今年一季度在Non-GAAP會計(jì)準(zhǔn)則下，凈利潤為2.10億美元。而三星的存儲業(yè)務(wù)在今年一季度實(shí)現(xiàn)營收17.49萬億韓元，同比增長96.1%；SK海力士自去年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，今年一季度的營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，創(chuàng)下2018年以來同期第二高記錄。

國內(nèi)方面，近期，A股存儲板塊上市公司瀾起科技、兆易創(chuàng)新、江波龍、佰維存儲、普冉股份、德明利等陸續(xù)披露2024年一季度報(bào)告顯示，多家公司一季度業(yè)績實(shí)現(xiàn)大幅增長。其中，瀾起科技今年一季度實(shí)現(xiàn)凈利潤2.23億元，同比暴增1032.86%，此外，德明利、佰維存儲在當(dāng)季的凈利潤也分別同比大漲546.49%和232.97%。


兩大巨頭對增產(chǎn)持保守態(tài)度

韓媒 Bussinesskorea 報(bào)道稱，三星電子、SK 海力士目前對于增產(chǎn)通用存儲芯片持保守態(tài)度。

8Gb DDR4 DRAM 通用內(nèi)存的合約價(jià)在四月份環(huán)比上漲了 17%，但面向閃存盤等便攜存儲設(shè)備的 128Gb（16Gx8）MLC 通用閃存的價(jià)格卻按兵不動。

這主要是因?yàn)樗脑鲁醯呐_灣地區(qū)地震影響了美光內(nèi)存產(chǎn)能，短時(shí)間內(nèi)推動通用內(nèi)存需求走高。整體來看通用存儲芯片的需求并未真正復(fù)蘇，下游企業(yè)仍持有相當(dāng)數(shù)量的庫存。

另一方面，國際地緣政治局勢目前處于不穩(wěn)定狀態(tài)。近期中東地區(qū)局勢緊張，美國大選年也對全球貿(mào)易帶來額外的不穩(wěn)定因素，兩重影響交織下通用存儲芯片需求的可見度已然降低。

此外，AI 熱潮下 HBM 內(nèi)存需求旺盛，而 HBM 的晶圓消耗量是通用 DRAM 的 2~3 倍。在三星電子、SK 海力士積極擴(kuò)產(chǎn) HBM 的背景下，通用 DRAM 的晶圓投片量勢必得到抑制。

今年下半年將迎來蘋果 iPhone 16 系列、三星 Galaxy Z 系列等重磅智能手機(jī)的發(fā)布，報(bào)道預(yù)測這波新機(jī)潮有望成為原廠增產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)存儲芯片的契機(jī)。

高價(jià)值芯片仍然供不應(yīng)求

人工智能浪潮正在席卷全球，大型語言模型、生成式AI等新興技術(shù)對算力需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。作為AI算力的重要支撐，高性能存儲芯片需求也隨之大幅攀升。存儲芯片龍頭企業(yè)敏銳捕捉到這一趨勢，紛紛加大高端存儲產(chǎn)品的擴(kuò)產(chǎn)力度。

三星電子和SK海力士憑借在HBM等高價(jià)值存儲芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，將是最大贏家。HBM憑借高帶寬、高能效等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于AI訓(xùn)練和推理等算力密集型場景。三星電子預(yù)計(jì)，2024年HBM芯片產(chǎn)量將比2023年增長2.9倍，高于年初預(yù)測的2.4倍增速。三星還與AMD簽署了價(jià)值4萬億韓元的HBM3E供貨合同，進(jìn)一步擴(kuò)大HBM市場份額。

在HBM領(lǐng)域，三星電子的主要競爭對手是SK海力士。作為HBM技術(shù)的領(lǐng)先者，SK海力士正大力擴(kuò)充HBM等高性能存儲產(chǎn)品的產(chǎn)能。該公司計(jì)劃投資約38.6億美元，在韓國忠清北道清州建造新的M15X晶圓廠，作為DRAM存儲芯片的新生產(chǎn)基地。SK海力士還將在美國投資約40億美元，建立大型芯片先進(jìn)封裝工廠，以滿足HBM等高端存儲產(chǎn)品的需求。

除了HBM，三星和海力士在DDR5等其他高端存儲產(chǎn)品領(lǐng)域也將加大投入。DDR5相比上一代DDR4，傳輸速率提高了1.87倍，能效提升39%，非常適合AI算力密集型應(yīng)用場景。預(yù)計(jì)未來幾年，DDR5將成為主流存儲器類型，三星和海力士都將從中獲益。

與三星、海力士相比，美光科技在HBM市場上暫時(shí)落后。美光正在加快HBM3e等新品上市步伐，力圖在下一代HBM市場重新奪回主導(dǎo)權(quán)。2024年，美光的資本開支將主要用于HBM量產(chǎn)和下代產(chǎn)品研發(fā)，以期贏得Nvidia等大客戶的訂單。

存儲芯片產(chǎn)能的擴(kuò)張必將帶動對相關(guān)制造設(shè)備的需求增長，這為設(shè)備供應(yīng)商帶來重大機(jī)遇。在先進(jìn)封裝設(shè)備領(lǐng)域，HBM堆疊工藝對封裝材料提出了更高要求，高導(dǎo)熱、低填充粘度球形氧化鋁粉等材料需求將大幅增加，國內(nèi)廠商有望實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。三星、SK海力士等擴(kuò)大資本開支，對晶圓加工、光刻蝕刻等設(shè)備需求也將增長，國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)迎來發(fā)展良機(jī)。

國產(chǎn)HBM產(chǎn)業(yè)鏈的突破之路

盡管面臨重重挑戰(zhàn)，但國內(nèi)企業(yè)并未放棄在HBM產(chǎn)業(yè)鏈上的突破努力。隨著人工智能浪潮的不斷推進(jìn)，以及國家對于存儲芯片自主可控的戰(zhàn)略需求，HBM芯片無疑將成為未來競爭的必爭之地。

近年來，國內(nèi)存儲芯片企業(yè)紛紛加大了HBM技術(shù)的研發(fā)投入。以長江存儲為例，該公司已經(jīng)開發(fā)出了基于28nm工藝的HBM2E產(chǎn)品，并計(jì)劃在2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。雖然與三星等國際巨頭相比，工藝制程和性能指標(biāo)仍有一定差距，但這無疑是國產(chǎn)HBM芯片邁出的關(guān)鍵一步。

國內(nèi)企業(yè)也在加速布局HBM產(chǎn)業(yè)鏈的上下游環(huán)節(jié)。除了雅克科技在材料領(lǐng)域的布局外，中微半導(dǎo)體、華潤上華等公司也在積極開發(fā)HBM芯片的關(guān)鍵設(shè)備和工藝技術(shù)，以期實(shí)現(xiàn)自主可控。

值得關(guān)注的是，在政策扶持方面，國家也給予了HBM產(chǎn)業(yè)鏈以大力支持。從集成電路、新型存儲等國家重大專項(xiàng)，到地方政府出臺的各種優(yōu)惠政策，都為國產(chǎn)HBM芯片企業(yè)的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動力。