ASML是全球光刻機壟斷者，EUV光刻機占100%的市場，全球只有ASML能生產。浸潤式DUV光刻機，ASML占了90%以上的市場。

而整個光刻機領域，ASML一家占了80%以上的市場，靠著光刻機，ASML制霸全球，可以說所有的晶圓廠，都被ASML牽著走。

做生意當然不能是一錘子買賣啊，必須持續不斷的賺錢才行，所以為了賺錢， ASML的光刻機，也是一代又一代的更新，每一代相比上一代，在精度、速度等上面，都會有所改進，但改進卻又不是特別多。

這樣晶圓廠，為了獲得更高的精度，更快的速度，更高的效率，不得不一代又一代采購ASML的新光刻機，淘汰掉舊光刻機。

其實在EUV光刻機之前，這種更新換代，晶圓廠們還是能夠接受的，畢竟光刻機也不是特別貴，但到了EUV光刻機之后，就麻煩大了。

因為一臺EUV光刻機，就是1億多美元，10臺就是10多億美元，換成人民幣，就是上百億元，如果還經常要更新換代，這樣的成本，沒有幾家廠商吃的消啊。

所以一直以來，就有企業想要用舊一點光刻機，來實現更高精度芯片的制造。

比如臺積電，第一代7nm工藝時，用的是浸潤式DUV光刻機，不采用EUV光刻機。

后來更是用舊EUV光刻機，生產更先進一點的3nm芯片技術，而不是直接就從ASML那采購更高級的EUV光刻機。

而近日，臺積電更是表示，其A16（也可以認為是1.6nm）工藝，將在2026年量產，而所謂的A16工藝，實際上是2nm工藝的升級版，臺積電2025年實現2nm，2026年實現A16。

同時臺積電還著重提出，A16制程工藝并不需要下一代High-NA EUV光刻系統的參與。

為何會著重提出這一點，原因在于目前業界有一種聲音，那就是進入2nm工藝，必須用到ASML最新的光刻機，也就是High-NA EUV光刻機。

這種High-NA EUV光刻機對應之前的EUV光刻機，最大的區別的就是數值孔徑的變化，之前的EUV光刻機數值孔徑是0.33，而High-NA EUV提供了0.55數值孔徑。

ASML稱，之前的標準EUV光刻機可以打印13.5nm的線寬，而High-NA EUV光刻機可打印8nm線寬，所以生產2nm芯片時，效果更好。

另外ASML還稱，新EUV光刻機處理晶圓的速度提升了100%至150%，從原來的每小時200片晶圓，提升到每小時400至500片晶圓。

不過，這樣的光刻機好是好，價格可不便宜，設備的價格約在3.85億美元(約28億元人民幣)起步。

臺積電目前擁有標準的0.33數值孔徑的光刻機上百臺，如果全部換成這種新的，成本高達400億美元，臺積電當然不想換，成本完全背不起啊。

所以，臺積電的計劃是，不管你ASML怎么升級，反正我不變，我用舊的EUV光刻機，也要生產出2nm，甚至升級版A16(1.6nm)的芯片出來。

這對于ASML而言，就有點麻煩了，一旦新EUV光刻機，得不到臺積電這樣的巨頭支持，那賣給誰呢？因為一旦臺積電這么干，三星、intel只怕也會學，那ASML一直以來，靠著不斷升級來維持的營收增長，怎么實現了？