根據摩根士丹利的最新報告，全球內存市場在2025年將迎來一次前所未有的供需失衡，這一現象主要由人工智能技術的快速發展和過去兩年內存行業資本支出不足所驅動。

報告預計，2025年HBM（高帶寬內存）的供應不足率將達到-11%，而整個DRAM市場的供應不足率將高達-23%，特別是HBM的需求量預計將大幅增加，可能占總DRAM供應的30%。

這一供需失衡的情況預示著內存價格的顯著上漲，報告中指出，商品存儲產品的價格在2024年將以每季度兩位數的速度上漲，而2025年HBM的價格將更高，服務器DRAM和超高密度QLC固態硬盤將引領這一價格上漲趨勢。

內存市場的這一“超級周期”將為行業內的戰略地位公司如SK海力士和三星帶來市場份額的進一步增長。

摩根士丹利已將這兩家公司的2024-2025年的每股收益預測提高了24%-82%，較最新的預期共識高出51%-54%。

SK海力士預計將在2025年占據HBM市場的最大份額，其股票目標價被提高11%至30萬韓元，而三星電子的目標價被提高至10.5萬韓元。

內存市場的這一輪超級周期與以往有所不同，由于當前周期中行業的資本支出遠低于維持產能所需的水平，自2022年第三季度以來產能一直在下降。

這種投資的缺乏正發生在內存供應鏈迅速轉移到HBM之際，HBM的生產每比特所需的晶圓容量是普通DRAM的兩倍，其生產良率也較低，進一步加劇了供需失衡的情況。

三大內存廠加緊布局HBM

SK海力士公布了HBM發展路線圖，該公司副總裁Kim Chun-hwan透露，計劃在2024上半年量產HBM3e，并向客戶交付8層堆疊樣品，在6層堆棧HBM3e配置中，每層堆棧可提供1.2 TB/s的通信帶寬，8層堆疊將進一步提升HBM內存的帶寬。

Kim Chun-hwan表示，在不斷升級的客戶期望的推動下，存儲行業正在面臨激烈的生存競爭。隨著制程工藝節點的縮小接近極限，存儲器廠商越來越關注新一代存儲架構和工藝，以給客戶應用系統提供更高的性能。為此，SK海力士已經啟動了HBM4的開發，計劃于2025年提供樣品，并于次年量產。

根據美光提供的信息，與前幾代HBM相比，HBM4每層堆棧的理論峰值帶寬將超過1.5 TB/s。為了實現這樣的帶寬，在保持合理功耗的同時，HBM4的目標是實現大約6GT/s的數據傳輸速率。

三星也有發展HBM4的時間表，計劃于2025年提供樣品，并于2026年量產。據三星高管Jaejune Kim透露，該公司HBM產量的一半以上是定制化產品，未來，定制HBM方案的市場規模將進一步擴大。通過邏輯集成，量身定制的HBM對于滿足客戶個性化需求至關重要。

三星和SK海力士之間的競爭正在升溫。

一些市場觀察人士表示，三星在HBM芯片開發方面落后于SK海力士，為了在新接口標準CXL開發中占據優勢地位，三星加快了技術研發和產品布局。

SK海力士表示，計劃加大對高帶寬內存和DDR5芯片的投資，以適應人工智能市場的增長需求。“與2023年相比，2024年的資本支出將有所增加。……我們將最大限度地提升資金利用效率”，SK海力士副總裁兼首席財務官金宇賢表示：“在2023年投資金額的范圍內，我們根據產品優先順序調整了資本支出，2024年，我們將更多地關注轉換制程工藝，而不只是增加產能。”

金宇賢表示，SK海力士將努力擴大第四代和第五代10nm級制程內存芯片的比例，到2024年底，這些新品將占據該公司DRAM產量的一半以上。不過，他表示，要達到2022年第四季度的產能水平，還需要相當長時間。

SK海力士對引領HBM市場充滿信心，預測未來5年的年均增長率將達到60%~80%。該公司DRAM營銷主管Park Myung-soo表示：“我們2024年的HBM3和HBM3e芯片產能已經售罄。根據客戶和市場觀察人士的說法，我們的HBM3產能份額非常高。”

據TrendForce統計，2023年第三季度，SK海力士擠下三星電子，成為全球最大的服務器DRAM廠商。報告顯示，2023年第三季度，SK海力士服務器DRAM銷售額達到18.5億美元，拿下49.6%的市場份額，穩居全球龍頭寶座，排名第二的三星電子，在該季度的服務器DRAM銷售額為13.13億美元，市占率為35.2%，同期內，美光的服務器DRAM銷售額為5.6億美元，市占率為15.0%，排名第三。

需要指出是，以上統計數字僅是傳統服務器搭載的DDR5內存，不包括用于AI服務器的HBM，若將HBM銷售計算在內，SK海力士領先三星電子的幅度會更大。

就整體DRAM模塊市場而言，三星電子仍穩居DRAM霸主地位，但SK海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率為21.5%。

排名內存行業第三位的美光也在加緊布局AI服務器市場，該公司計劃在2024年第一季度量產HBM3e，以搶攻英偉達的超級計算機DGX GH200商機。美光技術開發事業部資深副總裁Naga Chandrasekaran表示，采用EUV技術量產的1-gamma制程產品，正在研發過程中，預計于2025年量產。

業界人士指出，在HBM產品開發方面，雖然美光落后三星和SK海力士近一年時間，但在新一代HBM3e產品開發和量產進度方面，該公司加快了節奏，有望在HBM競賽中扳回一城。