DDR6將內存性能的界限提高

近期，JEDEC（固態技術協會，作為微電子產業的領導標準機構）不僅致力于推動新一代DDR6高性能內存的標準化工作；

還積極籌備新一代低功耗內存LPDDR6的研發，以適應智能手機、輕薄筆記本等設備的性能需求。

DDR6預計將在性能上實現相較于DDR5的顯著提升，這得益于時鐘速度的大幅提升、數據總線寬度的優化以及延遲的顯著降低。

具體而言，DDR6的時鐘速度預計將從12,800 MT/s起步，達到DDR5的兩倍，而數據總線寬度也有望從64位擴展至128位。

這意味著DDR6每個時鐘周期內能夠傳輸的數據量將是DDR5的兩倍，從而極大提升了數據傳輸效率。

此外，DDR6在延遲方面的優化同樣值得期待。延遲的降低意味著內存控制器訪問內存中數據所需的時間將大幅縮短，進而提升整體系統性能。

在功耗方面，DDR6預計將較DDR5有顯著降低。這主要得益于新型電源管理技術的引入，如動態電壓和頻率調整（DVFS）技術；

該技術能夠根據實際工作負載智能調整內存芯片的電壓和頻率，從而在不犧牲性能的前提下實現節能目標。

同時，DDR6內存芯片本身也將采用更高效的制造工藝和新材料，以提高能效比，降低整體功耗。

在存儲容量方面，DDR6預計將支持更高容量的內存模塊。

這得益于新型內存封裝技術和更高密度內存芯片的應用，使得DDR6內存模塊的容量有望高達256GB，為DDR5最大容量的四倍。

此外，DDR6還將引入多項創新功能，以增強數據可靠性和完整性。

例如，片上糾錯碼（ECC）和讀寫CRC模式等功能的加入，將有效提升DDR6內存模塊在復雜環境中的穩定性和數據保護能力。

其中，片上ECC功能可在內存芯片層面實現錯誤檢測和糾正，較傳統在內存控制器層面實現的ECC功能更為高效，能夠應對更多種類的錯誤情況。

而讀寫CRC模式則通過對讀寫數據進行完整性校驗，確保數據傳輸的準確性和可靠性，一旦檢測到錯誤，CRC模式將自動啟動糾正機制，保障數據的完整性。

三星公司在2021年已啟動DDR6的早期研發階段，預期其初始運行頻率將高達12.8GHz，相較于DDR5，這一頻率提升幅度近乎1.7倍。

同時，業界亦預測DDR6具備潛力實現超頻至17GHz。

在架構設計上，DDR6將采用更為先進的內部通道劃分方式，細分為四個獨立通道，并且其Bank數量亦將增至64個，以應對日益增長的數據處理需求。

在顯存技術方面，三星亦確認正致力于GDDR6+的開發工作，預計其等效頻率將達到業界領先的24GHz。

此外，GDDR7的研發亦已納入公司技術路線圖，預期其運行頻率將進一步提升至32GHz，并引入實時錯誤保護功能，以增強數據處理的穩定性和可靠性。

若依照目前所規劃的時間表，DDR6預計將于2026年正式啟動商用化進程。

這一時間跨度與DDR4至DDR5內存技術更迭周期大致相當，顯示出技術迭代穩步前行的態勢。

除三星之外，據SK海力士官網發布的消息顯示，該公司早在2017年便成功推出了全球速度最快的2Znm 8Gb（千兆位）GDDR6 DRAM。

該產品以每針16Gbps（每秒千兆位）的I/O數據速率，榮膺業內性能之巔。

在高端顯卡應用中，這款DRAM能夠每秒處理高達768GB（千兆字節）的圖形數據，展現出卓越的性能表現。

此外，美光等領軍企業亦在積極布局DDR6技術的研發。作為行業領頭羊，這些企業的動向無疑將對整個行業的技術部署和競爭格局產生深遠影響。

LPDDR6也將在近期公布最新標準

據國外權威媒體報道，JEDEC固態技術協會已成功完成LPDDR6標準的最終定稿工作，該工作于葡萄牙里斯本圓滿落幕，并計劃在今年第三季度正式向業界發布。

隨著人工智能技術的廣泛應用，移動產品對內存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數據處理能力以支撐端側AI模型的運行。

同時，后兩類處理器同樣對內存帶寬提出了更高的需求。

在這一背景下，LPDDR6標準的兩大核心開發目標便是顯著提升數據吞吐率以及最小化功耗，以滿足行業對內存性能與能效的嚴苛要求。

目前，市場上最新的內存標準為LPDDR5X，其最高速度可達8533Mbps，相較于LPDDR5在帶寬方面提升了30%，同時在功耗方面降低了20%，展現出了顯著的性能優勢。

據etnews報道，高通公司即將推出的驍龍8 Gen 4有望成為首款支持LPDDR6內存技術的產品，這無疑將進一步提升其在移動市場的競爭力。

值得注意的是，LPDDR6內存技術相較于前代產品有著顯著的性能提升。

根據三星在2021年技術日的預測，LPDDR5的最高速度為6400MT/s，而LPDDR5X則將其擴展至8500MT/s。

然而，LPDDR6內存的速度將達到驚人的17000MT/s，與超頻DDR6模塊相媲美，這一速度的提升將極大地提升系統的整體性能。

此外，LPDDR6內存采用了24位數據通道設計，相較于普通LPDDR5使用的16位通道，其實際帶寬在每個時鐘周期內增加了約33%。

盡管單次內存訪問中288位中只有256位是實際可用數據，但剩余的32位可用于特殊功能，如提高RAM的可靠性或進行數據總線反轉以節省寫入功耗。

由于帶寬的大幅增加，LPDDR6內存的每個針腳數據速率可達到10.667Gbps，從而使得單個LPDDR6 IC的內存帶寬高達約28.5GB/秒。

簡而言之，LPDDR6技術的應用將使得系統內存帶寬實現近乎翻倍的增長，為移動產品帶來前所未有的性能提升。

據相關媒體報道，三星和海力士等業內領軍企業已經積極投入LPDDR6內存技術的研發工作，并期待盡快獲得JEDEC的認證。

一旦獲得認證，這兩家公司將立即啟動量產計劃，以滿足市場對高性能內存技術的迫切需求。

為了適應日益增長的性能需求，海力士已提前推出了9600Mbps的LPDDR5X內存產品。

而三星則計劃在驍龍8 Gen 4之前實現LPDDR6內存的量產，以確保其能夠率先搭載這一全新技術。

結尾：

在數字經濟蓬勃發展的當下，如何更有效地獲取及利用數據這一新興且關鍵的生產要素，已成為全球范圍內競爭的新焦點。

鑒于數據已上升為國家層面的重要戰略，作為數字世界的核心基石，數據存儲能力的強弱將直接對經濟社會發展的質量產生深遠影響。