目前全球僅有ASML一家能夠生產EUV光刻機，而制造7nm以下芯片，又必須使用到EUV光刻機，所以ASML相當于卡住了全球先進晶圓廠的脖子。

于是ASML推出的1.5億歐元的標準EUV光刻機，臺積電等廠商不得不買，后來再推出3.5億歐元的High NA EUV光刻機，intel們繼續買。

靠著這樣不斷升級EUV光刻機，ASML賺的盆滿缽滿。

而為了壟斷EUV光刻機生意，ASML將EUV光刻系統上的眾多供應鏈，捆綁在了自己戰車，收購的收購，投資的投資，反正讓其它競爭對手，沒有合作的機會。

比如蔡司，比如TRUMPF、比如Cymer等，均綁上了ASML戰車。

可以說，其它企業，如果想走ASML的路線來造EUV光刻機，基本沒戲，除非換一條新道路，才有可能性。

而近日，這條新道路出現了，EUV光刻機中，最重要的EUV光源部分，有了新的解決方案，且新方案，比舊方案，成本更低，功率更高，技術更為先進。

舊方案中，產生EUV光線，是非常麻煩的，方案叫做”激光等離子體EUV光源（EUV-LPP）“，是用二氧化碳激光器，轟擊錫金屬液滴，將這些錫珠蒸發成等離子體，放射出極紫外線（EUV）了，再通過透鏡，對EUV進行收集。

這個過程非常復雜，成本也非常高，同時功率轉化率非常低，大約只有3-5%的轉化率。所以現在的EUV光刻機都是電老虎，就是因為功率轉化率非常低，最終能夠使用的功率也低。

而新的方案叫做自由電子激光器（FEL），用這種方案，同樣能夠生產EUV光源，讓來自電子加速器的電子束在波蕩器中發光，然后再放大FEL光，得到EUV--FEL光源。

與舊方案相比，一旦成本低多了，不需要錫球，再用二氧化碳激光器來激發，同時功率轉化損失也不會非常大。

按照說法，如果采用EUV FEL方案來制造光刻機，EUV光刻機的制造成本降了很多，可能只有原先的一半都不到。

更重要的是，因為功率轉化高多了，不像以前只有3-5%，現在可以高達30%以上，后續EUV光刻機也不會成為電老虎，耗電量大大降低，變為原來的五分之一，都有可能。

不僅如此，EUV-FEL還可以升級為BEUV-FEL，產生更短的波長（6.6-6.7 nm），比EUV的13.5nm波長更知，這樣分辨率更高，能制造更先進的芯片。

所以很多科學家表示，EUV-FEL光束明顯更適合作為EUV光刻機的光源。

目前美國、日本已經有機構在研究這種EUV-FEL技術，按照說法，雖然短時間之內，還無法利用這個技術制造出EUV光刻機，但相信也不會太久了，也許三年、五年就能夠制造出來了。

不知道ASML怎么看？一旦這種EUV光刻機面市，那么對整個EUV光刻機生態，將面臨大洗牌，那么全球半導體格局都會發生巨大變化，不知道ASML慌不慌？