當(dāng)芯片進(jìn)入5nm時(shí)，很多人就懷疑這個(gè)納米工藝，是不是快到盡頭了？

因?yàn)楣柙邮怯写笮〉模{米工藝不可能比硅原子還小吧，所以納米工藝一定有物理極限，很多人都覺(jué)得，這個(gè)極限可能在1nm。

但事實(shí)上，真的如此么？不是的，就算按照每一代比上一代縮小30%的話。

3nm后是2nm，再是1.4nm，再是1nm，0.7nm，0.5nm……

要知道硅原子的直徑大約是0.22nm，所以就算按極限來(lái)講，比一個(gè)硅原子大就行了，那么在0.5nm，之后，還有0.3nm……

事實(shí)上，按照ASML光刻機(jī)的規(guī)劃路徑，在2037年的時(shí)候，就會(huì)實(shí)現(xiàn)0.2nm的工工藝，在2039年之后，要實(shí)現(xiàn)比0.2nm更小的芯片工藝。

如下圖大家就看到，未來(lái)15年，ASML都認(rèn)為工藝會(huì)一直進(jìn)步，不存在極限。

估計(jì)很多人又有疑問(wèn)了，這么小的工藝，甚至比一顆原子還小，這芯片是怎么刻出來(lái)的？不應(yīng)該啊。

事實(shí)上，這里就牽涉到另外一個(gè)問(wèn)題了，那就是當(dāng)前的納米工藝，代表的并不是某一項(xiàng)特定的指標(biāo)，比如晶體管大小，柵極寬度，金屬半間距等等。

大家一定要有一個(gè)認(rèn)知，那就是XX納米，代表的也不是晶體管就是XX納米之類(lèi)的……

事實(shí)上，在ASML看來(lái)，XX納米并不重要，重要的是金屬半間距，也就是晶體管之間的導(dǎo)線距離，太短了會(huì)被電流擊穿的，因?yàn)榫w管之間是要通電的，通過(guò)斷、通電來(lái)進(jìn)行計(jì)算。

這個(gè)才是光刻機(jī)最為關(guān)注的指標(biāo)，只要這個(gè)距離是可以刻錄的，那么就行了。

這個(gè)金屬半間距，實(shí)際上和XX納米對(duì)比，是天差地別的。大家繼續(xù)看上圖，能夠看到A10工藝，也就是1nm時(shí)，這個(gè)間距是18nn。

ASML認(rèn)為，哪怕芯片達(dá)到0.2nm時(shí)，這個(gè)間距還有16-12nm，所以0.2nm的芯片是一定會(huì)有的，后續(xù)0.2nm之后，還會(huì)有N代。

可以說(shuō)，摩爾定律一定會(huì)繼續(xù)，不會(huì)停止不前進(jìn)了，按照這種邏輯，芯片工藝幾十年內(nèi)都不會(huì)達(dá)到極限，會(huì)一直進(jìn)步。

之前有很多人表示，目前的芯片工藝達(dá)到極限了，那么臺(tái)積電、三星們就會(huì)在前面等著我們，我們雖然在后面，但只要臺(tái)積電、三星停下來(lái)了，我們就有機(jī)會(huì)追得上。

其實(shí)還真不是這樣的，因?yàn)檫@堵墻，并不存在，臺(tái)積電們還在往前走。

更重要的，就算真的達(dá)到極限了，對(duì)方可能會(huì)換個(gè)方向，研究其它材料去了，基于之前的技術(shù)、能力、資金等優(yōu)勢(shì)，對(duì)方一樣可能起步更快，速度更快。

所以對(duì)于我們而言，不是期待對(duì)方遇到墻了，跨不過(guò)去了，不得不停下來(lái)等等我們，而是想方設(shè)法跑快一點(diǎn)，這樣才能盡快的、真正的追上去，你覺(jué)得呢？