SK海力士HBM3E穩(wěn)坐大客戶第一大供應(yīng)商，新廠建設(shè)將勢在必行。李建樑攝（資料照）

AI熱潮推動(dòng)記憶體需求復(fù)甦，HBM炙手可熱扭轉(zhuǎn)整體產(chǎn)業(yè)格局。

臺(tái)系記憶體供應(yīng)鏈透露，上游記憶體原廠HBM訂單不僅2025年預(yù)訂一空，訂單能見度甚至將看到2026年第1季，但HBM排擠太多DRAM產(chǎn)能，勢必將推動(dòng)DDR5價(jià)格逐步拉升。

隨著大客戶NVIDIA的AI晶片供不應(yīng)求，順利打入供應(yīng)鏈的SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）2024年HBM提前售鑿，2025年訂單也接近滿載，估計(jì)合計(jì)供應(yīng)給NVIDIA的HBM月產(chǎn)能約當(dāng)6萬多片，新廠建設(shè)及擴(kuò)充產(chǎn)能將勢在必行。

SK海力士先前公布將在清州設(shè)置M15X產(chǎn)線做為新DRAM生產(chǎn)基地，并推動(dòng)在龍仁半導(dǎo)體聚落建置新廠。

而美光也計(jì)劃于廣島興建DRAM新廠，預(yù)定 2026年初動(dòng)工、最快2027年底前完成廠房建設(shè)，雖然DRAM大廠持續(xù)加碼投資產(chǎn)能，但2025~2026年整體產(chǎn)能增加幅度十分有限。

業(yè)界指出，HBM生產(chǎn)週期較DDR5多出1.5~2個(gè)月，對(duì)晶圓位元消耗量也遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)的DDR5記憶體，若以HBM3E晶圓消耗是DDR5的3倍多，到了2026年進(jìn)入HBM4，其消耗將可能達(dá)到DDR5的5倍。

記憶體模組業(yè)者分析，相較于NAND Flash增產(chǎn)必須考量市場供需及產(chǎn)業(yè)競爭等因素，目前業(yè)界對(duì)于NAND增產(chǎn)較趨于謹(jǐn)慎，但三大廠增加DRAM產(chǎn)能已經(jīng)持續(xù)進(jìn)行。

尤其是HBM產(chǎn)能消耗龐大，雖然SK海力士和美光分食HBM3E市場大餅，但過去2年來缺乏資本支出投入導(dǎo)致產(chǎn)能規(guī)模受限，美光單月HBM產(chǎn)能僅約3,000片，相當(dāng)于SK海力士的1/20供應(yīng)比重，若要達(dá)成美光宣稱HBM市佔(zhàn)率約2成的目標(biāo)，后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)必將以HBM為主軸。

 

由于HBM堆疊制程及技術(shù)門檻，良率的爬坡期也比傳統(tǒng)DRAM更為困難，業(yè)界估計(jì)，SK海力士從HBM3量產(chǎn)拔得頭籌，維持市場領(lǐng)先的一哥地位，其良率表現(xiàn)成為產(chǎn)業(yè)指標(biāo)，相較之下，美光從2024年HBM3E才正式加入市場戰(zhàn)局，短期內(nèi)良率僅約SK海力士的一半左右。

而目前三星電子（Samsung Electronics）受限于散熱、功耗等因素卡關(guān)，至今HBM3E尚未敲開NVIDIA大門，缺乏大量出貨的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)下，良率改善的差距恐將持續(xù)拉大。

外界普遍認(rèn)為，儘管三星老大哥暫時(shí)掉隊(duì)，未能跟上HBM量產(chǎn)先機(jī)，但NVIDIA與三星過去合作已久，三星也計(jì)劃將大幅擴(kuò)充產(chǎn)能3倍跳躍成長，龐大產(chǎn)能將有助于舒緩NVIDIA供應(yīng)不求的訂單，預(yù)期2024年底三星仍有機(jī)會(huì)跟上NVIDIA領(lǐng)軍的AI列車。

不過若是三星遲遲未能過關(guān)，SK海力士及美光的擴(kuò)產(chǎn)腳步已持續(xù)推動(dòng)，恐將導(dǎo)致排擠效應(yīng)，從良率及產(chǎn)能分頭并進(jìn)，繼續(xù)拉大領(lǐng)先三星的差距。

國際大廠競逐HBM戰(zhàn)場，導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供應(yīng)大幅縮減，記憶體模組廠認(rèn)為，DDR5價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)態(tài)勢明確，預(yù)期到了年底前還有10~20%漲幅，但伴隨而來的風(fēng)險(xiǎn)，若DDR5價(jià)格太高，反而可能拖延市場滲透率的起飛速度，影響下游客戶採用的意愿。