半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料。其中，晶圓制造材料包括硅片、掩模版、電子氣體、光刻膠、CMP拋光材料、濕電子化學(xué)品、靶材等；封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。


半導(dǎo)體材料種類(lèi)劃分：

芯片生產(chǎn)流程：大體可分為硅片制造、芯片制造和封裝測(cè)試三個(gè)流程。其中，硅片制造包括提純、拉單晶、磨外圓、切片、倒角、磨削、CMP、外延生長(zhǎng)等工藝，芯片制造包括清洗、沉積、氧化、光刻、刻蝕、摻雜、CMP、金屬化等工藝，封裝測(cè)試包括減薄、切割、貼片、引線鍵合、模塑、電鍍、切筋成型、終測(cè)等工藝。整體而言，硅片制造和芯片制造兩個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘極高。

芯片制造過(guò)程中的材料應(yīng)用：

硅晶圓環(huán)節(jié)會(huì)用到硅片；清洗環(huán)節(jié)會(huì)用到高純特氣和高純?cè)噭怀练e環(huán)節(jié)會(huì)用到靶材；涂膠環(huán)節(jié)會(huì)用到光刻膠；曝光環(huán)節(jié)會(huì)用到掩膜版；顯影、刻蝕、去膠環(huán)節(jié)均會(huì)用到高純?cè)噭涛g環(huán)節(jié)還會(huì)用到高純特氣；薄膜生長(zhǎng)環(huán)節(jié)會(huì)用到前驅(qū)體和靶材；研磨拋光環(huán)節(jié)會(huì)用到拋光液和拋光墊。

在芯片封裝過(guò)程中，貼片環(huán)節(jié)會(huì)用到封裝基板和引線框架；引線鍵合環(huán)節(jié)會(huì)用到鍵合絲；模塑環(huán)節(jié)會(huì)用到硅微粉和塑封料；電鍍環(huán)節(jié)會(huì)用到錫球。


半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

半導(dǎo)體材料細(xì)分行業(yè)眾多，是產(chǎn)業(yè)鏈中細(xì)分領(lǐng)域最多的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，每一個(gè)大類(lèi)材料包括幾十種甚至上百種具體產(chǎn)品，細(xì)分子行業(yè)高達(dá)數(shù)百個(gè)。如高純化學(xué)試劑中，常用的包括各類(lèi)酸（如硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸）、堿（如氫氧化銨、氫氧化鉀）、有機(jī)溶劑、氧化試劑等。結(jié)合半導(dǎo)體材料的行業(yè)特征，我們認(rèn)為半導(dǎo)體材料公司應(yīng)當(dāng)積極尋找各材料之間共性，不斷擴(kuò)充品類(lèi)，形成平臺(tái)化布局，為客戶(hù)提供一體化的解決方案。

現(xiàn)在全球市場(chǎng)主流的產(chǎn)品是 200mm（8寸）、300mm（12寸）直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配。300mm芯片制造對(duì)應(yīng)的是90nm及以下的工藝制程，200mm芯片制造對(duì)應(yīng)的是90nm以上的工藝制程。考慮到大部分8寸片產(chǎn)線投產(chǎn)時(shí)間較早，絕大多數(shù)設(shè)備已折舊完畢，因此8寸片對(duì)應(yīng)的芯片成本較低，在部分領(lǐng)域適用8寸片的綜合成本并不高于12寸片。

在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲(chǔ)器、CMOS圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝較12寸片更為成熟。所以，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲(chǔ)器、MEMS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片與指紋識(shí)別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動(dòng)通信、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。

目前，300mm（12寸）半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于存儲(chǔ)芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA與ASIC，終端應(yīng)用主要為智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算、人工智能、SSD等較為高端領(lǐng)域。

根據(jù)信越化學(xué)公告，全球半導(dǎo)體硅片出貨量同比和環(huán)比都在增長(zhǎng)，幾乎所有硅片供應(yīng)商稼動(dòng)率都很高。新增12寸片需求主要來(lái)自邏輯用外延片，8寸片由于下游應(yīng)用（汽車(chē)電子等）和全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，嚴(yán)重短缺。

SUMCO公告顯示，21Q4半導(dǎo)體硅片現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)上升，2022-2026年半導(dǎo)體硅片長(zhǎng)期協(xié)議價(jià)將調(diào)漲。我們認(rèn)為，全球硅片緊缺將至少持續(xù)到2023年末。

中國(guó)半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)鏈涉及電子級(jí)多晶硅制造、半導(dǎo)體硅片制造、半導(dǎo)體器件制造等環(huán)節(jié)，參與主體主要類(lèi)型為半導(dǎo)體硅片制造商，半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈一體化廠商以及多領(lǐng)域布局的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商。

半導(dǎo)體材料種類(lèi)占比

01、硅片

1、單晶硅和外延片功能介紹

單晶硅可以根據(jù)晶胞排列是否有序、尺寸、加工工序和摻雜程度的不同等方式進(jìn)行分類(lèi)。根據(jù)晶胞排列方式的不同，硅片可分為單晶硅和多晶硅。硅片是硅單質(zhì)材料的片狀結(jié)構(gòu)，有單晶和多晶之分。

單晶是具有固定晶向的結(jié)晶體材料，一般用作集成電路的襯底材料和制作太陽(yáng)能電池片。多晶是沒(méi)有固定晶向的晶體材料，一般用于光伏發(fā)電，或者用于拉制單晶硅的原材料。單晶硅用作半導(dǎo)體材料有極高的純度要求，IC級(jí)別的純度要求達(dá)9N以上（99.9999999%），區(qū)熔單晶硅片純度要求在 11N（99.999999999%）以上。

襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

外延（epitaxy）是指在經(jīng)過(guò)切、磨、拋等仔細(xì)加工的單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的過(guò)程，新單晶可以與襯底為同一材料，也可以是不同材料（同質(zhì)外延或者是異質(zhì)外延）。由于新生單晶層按襯底晶相延伸生長(zhǎng)，從而被稱(chēng)之為外延層（厚度通常為幾微米，以硅為例：硅外延生長(zhǎng)其意義是在具有一定晶向的硅單晶襯底上生長(zhǎng)一層具有和襯底相同晶向的電阻率與厚度不同的晶格結(jié)構(gòu)完整性好的晶體），而長(zhǎng)了外延層的襯底稱(chēng)為外延片（外延片=外延層+襯底）。器件制作在外延層上展開(kāi)。

對(duì)于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈而言，在硅片上制作器件（特別是高頻大功率）無(wú)法實(shí)現(xiàn)集電區(qū)高擊穿電壓，小串聯(lián)電阻，小飽和壓降要小的要求。而外延技術(shù)的發(fā)展則成功地解決了這一困難。解決方案：在電阻極低的硅襯底上生長(zhǎng)一層高電阻率外延層，器件制作在外延層上，這樣高電阻率的外延層保證了管子有高的擊穿電壓，而低電阻的襯底又降低了基片的電阻，從而降低了飽和壓降，從而解決了二者的矛盾。


02、光刻膠

1、光刻膠功能介紹Photoresist

光刻膠是一種通過(guò)特定光源照射下發(fā)生局部溶解度變化的光敏材料，主要作用于光刻環(huán)節(jié)，承擔(dān)著將掩模上的圖案轉(zhuǎn)化到晶圓的重要功能。進(jìn)行光刻時(shí)，硅片上的金屬層涂抹光刻膠，掩膜上印有預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖案，光線透過(guò)掩膜照射光刻膠。如果曝光在紫外線下的光刻膠變?yōu)槿軇宄罅粝卵谀ど系膱D案，此為正性膠，反之為負(fù)性膠。


2、光刻膠的分類(lèi)

根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域，可分為PCB光刻膠，面板（LCD）光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠以及其它光刻膠。三種主要光刻膠中，PCB光刻膠最為低端，同時(shí)也是國(guó)產(chǎn)化率最高的領(lǐng)域，占PCB制造成本的3%~5%。可分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠與光成像阻焊油墨.

光刻工藝也是液晶面板制造的核心工藝，因此LCD光刻膠，也就是面板光刻膠同樣是產(chǎn)業(yè)核心耗材。彩色濾光片是液晶顯示器實(shí)現(xiàn)彩色顯示的關(guān)鍵器件，占面板成本的14%~16%，其生產(chǎn)成本直接影響到液晶顯示器產(chǎn)品的售價(jià)和競(jìng)爭(zhēng)力；彩色光刻膠和黑色光刻膠是制備彩色濾光片的核心材料，在彩色濾光片材料成本中，彩色光刻膠和黑色光刻膠在整體成本中占比約27%。

然而與半導(dǎo)體光刻膠類(lèi)似，我國(guó)在面板光刻膠領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化率同樣不高，產(chǎn)能主要集中在相對(duì)低端的觸摸屏光刻膠領(lǐng)域。附加值更高的彩色及黑色光刻膠，目前的市場(chǎng)被日韓廠商壟斷。以需求最多的彩色光刻膠為例，東京應(yīng)化、LG化學(xué)、東洋油墨、住友化學(xué)、三菱化學(xué)、奇美等日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)占據(jù)了90%以上的市場(chǎng)份額。


3、光刻膠的市場(chǎng)規(guī)模和市場(chǎng)格局

我國(guó)本土光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約在88億人民幣左右，從細(xì)分市場(chǎng)看，在全球光刻膠市場(chǎng)，LCD、PCB、半導(dǎo)體光刻膠各自占有27%、25%和24%的份額，市場(chǎng)分布比較平均。其中，半導(dǎo)體光刻膠占比最低。

在全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中，日本企業(yè)穩(wěn)居壟斷地位。2020年，日本企業(yè)在全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中占據(jù)的份額至少在60% 以上，其中東京應(yīng)化以25.6%的市場(chǎng)份額占據(jù)龍頭地位；美國(guó)杜邦位列第二，市場(chǎng)份額為17.6%。


03、濕電子化學(xué)品

濕電子化學(xué)品貫穿整個(gè)芯片制造流程，是重要的晶圓制造材料。濕電子化學(xué)品又稱(chēng)工藝化學(xué)品，是指主體成分純度大于99.99%，雜質(zhì)離子和微粒數(shù)符合嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)試劑。在 IC 芯片制造中，濕電子化學(xué)品常用于清洗、光刻和蝕刻等工藝，可有效清除晶圓表面殘留污染物、減少金屬雜質(zhì)含量，為下游產(chǎn)品質(zhì)量提供保障。在半導(dǎo)體制造工藝中主要用于集成電路前端的晶圓制造及封裝測(cè)試用量較少，但產(chǎn)品純度要求高、價(jià)值量大。


04、電子特種氣體

電子特種氣體是電子氣體的一個(gè)分支。電子特氣下游應(yīng)用廣泛，是半導(dǎo)體、顯示面板、太陽(yáng)能電池等行業(yè)不可或缺的支撐性材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，電子特氣的純度直接影響 IC 芯片的集成度、性能和良品率，在清洗、氣相沉積成膜（CVD）、光刻、刻蝕、離子注入等半導(dǎo)體工藝環(huán)節(jié)中都扮演著重要的角色。


05、靶材

1、靶材功能介紹Target material

靶材是制作薄膜的主要材料。在濺射鍍膜工藝中，靶材是在高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，可通過(guò)不同的離子光束和靶材相互作用得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等），以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電和阻擋的功能。靶材主要是由靶坯、背板等部分組成，工作原理是利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中聚集并提速，用形成的高速離子束流來(lái)轟擊靶材表面，發(fā)生動(dòng)能交換，讓靶材表面的原子沉積在基底。


2、靶材市場(chǎng)格局

高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)由美、日等海外巨頭壟斷，占據(jù)全球80%以上市場(chǎng)份額，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)靶材國(guó)產(chǎn)化率不足10%。全球靶材市場(chǎng)呈寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局，日美在高端濺射靶材領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯。目前，全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)主要有四家企業(yè)，分別是JX日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯，市場(chǎng)份額分別為30%、20%、20%和10%，合計(jì)壟斷了全球80%的市場(chǎng)份額。其中美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)，具備規(guī)模化生產(chǎn)能力，在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，在中高端半導(dǎo)體濺射靶材領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯。相比起來(lái)，國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)市占率很低，且主要在低端領(lǐng)域。


06、掩膜版

1、掩膜版功能介紹Mask

掩模版是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵材料，用于半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體制造的光刻是指通過(guò)曝光工序，在晶圓表面的光刻膠上刻畫(huà)出電路圖形，然后通過(guò)顯影、刻蝕等工藝流程，最終將電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上的過(guò)程。

半導(dǎo)體器件和結(jié)構(gòu)是通過(guò)生產(chǎn)工藝一層一層累計(jì)疊加形成的，芯片設(shè)計(jì)版圖通常由十幾層到數(shù)十層圖案組成，芯片制造最關(guān)鍵的工序是將每層掩模版上的圖案通過(guò)多次光刻工藝精準(zhǔn)地轉(zhuǎn)移到晶圓上。半導(dǎo)體光刻工藝需要一整套相互之間能準(zhǔn)確套準(zhǔn)的、具有特定圖形的“光復(fù)印”掩模版，其功能類(lèi)似于傳統(tǒng)相機(jī)的“底片”。掩模版是半導(dǎo)體制造工藝中最關(guān)鍵的材料之一，其品質(zhì)直接關(guān)系到最終產(chǎn)品的質(zhì)量與良率。半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝通常采用投影式光刻方法，在投影式光刻中，激光透過(guò)掩模版后，經(jīng)過(guò)投影物鏡成像到晶圓的光刻膠表面，通過(guò)掩模版對(duì)光線的遮擋或透過(guò)功能，實(shí)現(xiàn)掩模圖案向晶圓線路圖的圖形轉(zhuǎn)移。

2、掩膜版市場(chǎng)格局

晶圓廠新建產(chǎn)能釋放打開(kāi)增量市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體掩膜版迎來(lái)黃金發(fā)展期。當(dāng)下游持續(xù)推出新工藝、新結(jié)構(gòu)、新材料等新的芯片設(shè)計(jì)或者需要產(chǎn)線擴(kuò)充時(shí)，晶圓代工廠需要使用新的掩模模具來(lái)進(jìn)行規(guī)模生產(chǎn)，此時(shí)就會(huì)產(chǎn)生開(kāi)版需求。

據(jù)Semi數(shù)據(jù)，全球2021-2023年新建84座大型芯片制造工廠，總投資額超5000億美元，其中，中國(guó)大陸建設(shè)20座支持成熟工藝的大型芯片制造工廠。

據(jù)測(cè)算，中國(guó)大陸130nm-65nm成熟制程芯片制造所需的掩膜版市場(chǎng)將由22年的13億元增長(zhǎng)至35億元，疊加供應(yīng)鏈安全考量的國(guó)產(chǎn)替代需求，本土半導(dǎo)體掩膜版廠商迎來(lái)重要發(fā)展機(jī)遇。

國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)推動(dòng)掩模版行業(yè)發(fā)展。掩模版行業(yè)市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)，但目前國(guó)產(chǎn)掩模版市場(chǎng)占有率較低，更多依賴(lài)海外進(jìn)口。


07、半導(dǎo)體前驅(qū)體材料

主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中的薄膜沉積工藝，是薄膜沉積工藝的核心材料，是晶圓制造工藝的“前驅(qū)體”；MO 源即高純金屬有機(jī)化合物，是利用先進(jìn)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“MOCVD”）工藝的關(guān)鍵支撐 原材料，又被稱(chēng)為 MOCVD 的“前驅(qū)體”。因此，半導(dǎo)體前驅(qū)體和 MO源均屬于電子制造中的先進(jìn)前驅(qū)體材料。

薄膜沉積工藝是晶圓制造的三大核心工藝之一（另外兩大工藝是光刻和刻蝕）。薄膜沉積工藝是指在硅片基底上沉積導(dǎo)體、絕緣體或者半導(dǎo)體等材料形成功能薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。薄膜是芯片結(jié)構(gòu)的功能材料層，在芯片完成制造、封測(cè)等工序后會(huì)留存在芯片中，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。一顆芯片的制造過(guò)程中，涉及十余種不同材料的薄膜，其中每一個(gè)薄膜層均需經(jīng)薄膜沉積工藝結(jié)合成形工藝（光刻、蝕刻）形成，從而在FEOL和BEOL 工序中實(shí)現(xiàn)各個(gè)薄膜層的堆疊組合，進(jìn)而搭建起芯片的主要結(jié)構(gòu)。


08、半導(dǎo)體封裝材料

1、封裝材料功能介紹Packaging materials

半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體制造工藝的后道工序，指將制作好的半導(dǎo)體器件放入具有支持、保護(hù)的塑料、陶瓷或金屬外殼中，并與外界驅(qū)動(dòng)電路及其他電子元器件相連的過(guò)程。

封裝是實(shí)現(xiàn)芯片功能、保障器件系統(tǒng)正常運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，主要起到保護(hù)芯片、電氣連接、機(jī)械連接和標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格化等作用。據(jù) Gartner 的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，封裝環(huán)節(jié)的價(jià)值整個(gè)半導(dǎo)體封測(cè)部分的 80%~85%。


2、封裝材料分類(lèi)

半導(dǎo)體封裝材料可以細(xì)分為封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷封裝材料、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。

先進(jìn)封裝材料以封裝基板和包封材料為主。先進(jìn)封裝一般不采用引線框架和引線鍵合的方式進(jìn)行封裝，因而對(duì)引線框架和鍵合絲的需求較小，以封裝基板和包封材料為主。

其中，封裝基板（即IC載板），是封裝材料中價(jià)值量最大的材料。據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，傳統(tǒng)的引線鍵合類(lèi)封裝中，封裝基板占總材料成本的40~50%，在先進(jìn)封裝中材料成本占比更高，以占據(jù)先進(jìn)封裝市場(chǎng)份額一半的FC封裝為例，其封裝基板成本占比在70~80%之間。

除封裝基板和包封材料外，傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝過(guò)程中均需要用到的材料有：

芯片粘接材料（Die Attach）：用于粘接芯片與基板的封裝材料，在先進(jìn)封裝工藝 中主要在芯片堆疊、多芯片粘接和 FC 芯片粘接等工藝中，芯片堆疊工藝中導(dǎo)電膠使用較 多，20μm 以下的芯片厚度情況下，一般使用DA膜粘接。DAF膜根據(jù)解膠方式的不同又有Non-UV膜（通常稱(chēng)之為藍(lán)膜）和UV膜之分。

電鍍液：目前傳統(tǒng)封裝中，電鍍是主流金屬化工藝之一。在先進(jìn)封裝工藝中電鍍主要用于 Bumping、RDL TSV工藝中。TSV 工藝可采用電鍍和CVD兩種填充方式，由于先進(jìn)封裝孔徑一般在5μm以上，因此適合大直徑孔徑的電鍍是主流的TSV填充工藝。TSV 工藝中采用的電鍍材料主要是銅，Bumping過(guò)程中電鍍材料主要是銅和錫銀。


3、封裝材料市場(chǎng)結(jié)構(gòu)Packaging materials

據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，傳統(tǒng)的封裝材料市場(chǎng)結(jié)構(gòu)中封裝基板占比最高為40%；其次為引線框架和鍵合線，占比均為15%；包封材料、陶瓷封裝材料、芯片粘接材料和其他材料占比分別為13.0%、11.0%、4.0%和2.0%。

ABF載板供不應(yīng)求，市場(chǎng)集中度高。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年全球ABF載板平均月產(chǎn)能達(dá)到3.31億顆，對(duì)應(yīng)2019-2023年平均月產(chǎn)能CAGR為18.65%，高于平均月需求量增速，供給缺口減小為1400萬(wàn)顆，但仍然處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。全球ABF載板供給市場(chǎng)主要被中國(guó)臺(tái)灣、日本和韓國(guó)廠商所壟斷。


半導(dǎo)體材料嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口

在芯片制造中，需要用到的主要材料包括硅片、電子特氣、掩膜版、光刻膠、濕電子化學(xué)品、拋光液、拋光墊、靶材等。從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，這些材料中，比例最高的是硅片，占32.9%。第二是氣體，占比為14.1%，再是光掩膜，占比為12.6%。接著是拋光液和拋光墊（7.2%）、光刻膠配套試劑（6.9%）、光刻膠（6.1%）、濕化學(xué)品（4%）、濺射靶材(3%)。

而這些材料，總體來(lái)看，我們的自給率不到10%，也就是說(shuō)90%的材料，是需要進(jìn)口的，可見(jiàn)形勢(shì)有多嚴(yán)峻。

先說(shuō)最大硅片部分，國(guó)內(nèi)雖然能夠制造300mm的大硅片，但市場(chǎng)份額不高，總體來(lái)看，還不到10%，日、歐、韓、臺(tái)的廠商，拿走了全球90%以上的份額。

再看各種特殊氣體，在芯片制造中，其總體數(shù)量超過(guò)100種，但我國(guó)僅能生產(chǎn)約20%的品種，一些高端氣體100%嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。

接著看光掩膜，目前中國(guó)大陸廠商掌握的技術(shù)，主要在350~180nm，少數(shù)幾家掌握了130nm，但90nm及以下掩膜版國(guó)產(chǎn)化率幾乎為零。

光刻膠，其實(shí)也是如此，目前國(guó)產(chǎn)大多還在90nm，90nm以下，有幾家在驗(yàn)證65nm，但至之下工藝節(jié)點(diǎn)，幾乎為零，綜合自給率不到10%。

類(lèi)似的像濕電子化學(xué)品、拋光液、拋光墊、靶材等，其實(shí)也是如此，國(guó)內(nèi)廠商掌握的大多都是工藝較為成熟的部分，大多是90nm以上。

對(duì)于65nm及更先進(jìn)制程部分，基本上都沒(méi)有掌握，幾乎依賴(lài)進(jìn)口，這對(duì)于中國(guó)芯片的發(fā)展而言，其實(shí)是比較嚴(yán)峻的事情。

實(shí)際上半導(dǎo)體材料市場(chǎng)并不大，全年可能也就300-400億美元的市場(chǎng)空間，但種類(lèi)又多，分到每一種產(chǎn)品，其市場(chǎng)規(guī)模，有些可能全年也只有幾億美元。

這樣的市場(chǎng)，偏偏技術(shù)壁壘又較高，所以一家新的企業(yè)，很難競(jìng)爭(zhēng)過(guò)老企業(yè)，因?yàn)檠邪l(fā)成本投入過(guò)大，也許永遠(yuǎn)無(wú)法盈利，研發(fā)投入過(guò)小，就不會(huì)有突破，競(jìng)爭(zhēng)不過(guò)老企業(yè)，才導(dǎo)致了現(xiàn)在這種尷尬局面。

但不管怎么樣，材料對(duì)于芯片而言至關(guān)重要，沒(méi)有材料，再高超的技術(shù)，也是“無(wú)米之炊”，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料提升空間還非常大，大家還需要努力。