在人工智能、高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域需求的推動(dòng)下，2024年HBM（高帶寬內(nèi)存）市場(chǎng)仍然呈現(xiàn)顯著的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。而且，這一增長(zhǎng)趨勢(shì)也帶動(dòng)了NAND需求的增長(zhǎng)。這些細(xì)分存儲(chǔ)品類的市場(chǎng)利好也將讓一眾存儲(chǔ)大廠獲益頗豐。

近日消息，三星三季度將把動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DRAM) 和NAND的價(jià)格上調(diào)15-20%，預(yù)計(jì)三星電子下半年的業(yè)績(jī)也將有所改善。6月27日，美光科技也稱，2024-25年HBM內(nèi)存芯片已經(jīng)售罄，內(nèi)存芯片供不應(yīng)求。

盡管各大存儲(chǔ)大廠計(jì)劃增加HBM產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)強(qiáng)勁的需求增長(zhǎng)，但由于復(fù)雜的制造工藝，短期內(nèi)仍難以滿足市場(chǎng)需求。除了美光科技之外，SK海力士也曾被傳至2025年底之前的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄。而且，為了維持HBM市場(chǎng)壟斷地位，SK海力士還與臺(tái)積電聯(lián)盟，合作推進(jìn)HBM4的研發(fā)，預(yù)計(jì)HBM4將于2026年開(kāi)始量產(chǎn)。

由此可見(jiàn)，AI技術(shù)帶來(lái)存儲(chǔ)行業(yè)暖風(fēng)還將持續(xù)一段時(shí)間，也將成為存儲(chǔ)行業(yè)未來(lái)上行周期的重要支撐。

AI需求持續(xù)旺盛

造成存儲(chǔ)芯片上漲行情的原因，無(wú)疑是生成式人工智能（AI）的火爆需求，特別是云端高性能AI芯片對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求旺盛。此外，AI服務(wù)器和移動(dòng)應(yīng)用程序的需求上升也進(jìn)一步推動(dòng)了HBM市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

根據(jù)TrendForce 數(shù)據(jù)及預(yù)測(cè)，2022-2024年HBM3需求占比分別為8%/39%/60%，HBM3憑借其卓越性能加持ASP顯著高于前序版本，或進(jìn)一步推動(dòng)HBM市場(chǎng)規(guī)模在2024年達(dá)到169億美元，同比增長(zhǎng)288%。

高盛預(yù)計(jì)，全球HBM市場(chǎng)規(guī)模將在2023-2026年期間以約100%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，并在2026年達(dá)到300億美元。

瑞士銀行此前報(bào)告中也指出，2024和2025年的HBM需求分別上調(diào)1.9%、8.7%，而2025年HBM3E 12Hi 需求將占行業(yè)總需求58%，而英偉達(dá)將占2024、2025年HBM總消耗量的47%、43%。整體來(lái)說(shuō)，HBM還將擠壓DDR供應(yīng)，在明年第四季前促進(jìn)DRAM迎上升周期。

當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月26日，存儲(chǔ)芯片大廠美光科技發(fā)布了截至5月30的2024財(cái)年第三財(cái)季財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，美光第三財(cái)季總營(yíng)收為68.1億美元，較上年同期的37.5億美元同比增長(zhǎng)81.6%，超過(guò)FactSet預(yù)期的66.7億美元。

從具體的業(yè)務(wù)來(lái)看，美光第三財(cái)季的DRAM收入環(huán)比增長(zhǎng)13%，達(dá)到47億美元，符合市場(chǎng)預(yù)期；NAND Flash收入環(huán)比增長(zhǎng)32%，達(dá)到了21億美元，高于FactSet預(yù)期的19億美元。

美光CEO Sanjay Mehrotra也表示，“在數(shù)據(jù)中心方面，快速增長(zhǎng)的AI需求使我們的收入與上季相比增加超過(guò)50%。”

對(duì)于2025財(cái)年的預(yù)期，Mehrotra表示：“展望2025年，對(duì)AI個(gè)人電腦和AI手機(jī)的需求，以及數(shù)據(jù)中心AI的持續(xù)增長(zhǎng)，為我們提供了有利的布局，讓我們有信心在2025財(cái)年實(shí)現(xiàn)大幅收入增長(zhǎng)，且隨著我們持續(xù)轉(zhuǎn)向至高利潤(rùn)產(chǎn)品組合，獲利能力顯著提升。”

HBM供需失衡

從供應(yīng)端來(lái)看，目前多家存儲(chǔ)大廠如SK海力士和三星正在努力擴(kuò)大HBM的產(chǎn)量，計(jì)劃將HBM產(chǎn)量提高至2.5倍。而美光科技也正在采取多種措施來(lái)應(yīng)對(duì)2024-25年HBM內(nèi)存芯片的供需不平衡問(wèn)題。首先，美光科技正在美國(guó)建設(shè)HBM測(cè)試產(chǎn)線與量產(chǎn)線，并首次考慮在馬來(lái)西亞生產(chǎn)HBM，以增加生產(chǎn)能力。此外，美光科技計(jì)劃在2025年將HBM市占率提高兩倍以上，達(dá)到20%左右。

從需求端來(lái)看，英偉達(dá)計(jì)劃在2024年第四季度推出B100、B200和GB200等多款新產(chǎn)品，并將在未來(lái)幾年繼續(xù)推出更多高性能GPU，如Blackwell Ultra和Rubin GPU。這些新產(chǎn)品對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求巨大，因?yàn)樗鼈冃枰幚泶罅康臄?shù)據(jù)和復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)。

從技術(shù)層面來(lái)看，2024年，HBM技術(shù)迎來(lái)了新的突破，特別是HBM3和HBM3e的推出，這些新技術(shù)在AI服務(wù)器等應(yīng)用場(chǎng)景中得到了廣泛應(yīng)用，推動(dòng)了市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)。然而，HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，雖打破了內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸，推動(dòng)了GPU性能的提升，但HBM產(chǎn)品的復(fù)雜封裝堆棧也影響了良品率，進(jìn)一步加劇了供不應(yīng)求的局面。

因此，整體來(lái)看，HBM供求平衡短期內(nèi)仍難以實(shí)現(xiàn)。 

大摩此前就預(yù)計(jì)，內(nèi)存將迎來(lái)新一輪“超級(jí)周期”，內(nèi)存行業(yè)的定價(jià)權(quán)優(yōu)勢(shì)將進(jìn)一步凸顯。AI快速發(fā)展將導(dǎo)致DRAM和HBM的供需失衡，預(yù)計(jì)2025年HBM的供應(yīng)不足率為-11%，整個(gè)DRAM市場(chǎng)的供應(yīng)不足率為-23%。特別是HBM的需求量將大幅增加，可能占總DRAM供應(yīng)的30%。

有半導(dǎo)體行業(yè)人士透露，“客戶通常只提供下一季度的需求預(yù)測(cè)，但現(xiàn)在開(kāi)始向半導(dǎo)體公司提供全年計(jì)劃，這表明他們非常重視確保供應(yīng)。由于目前是賣(mài)方市場(chǎng)，最終談判價(jià)格可能超過(guò)15%的漲幅。”

AI行情蔓延至NAND

值得關(guān)注的是，存儲(chǔ)芯片的利好行情已經(jīng)從DRAM蔓延至NAND。據(jù)悉，三星電子和SK海力士已將NAND工廠的開(kāi)工率由去年的20-30%升至70%以上。另一存儲(chǔ)大廠鎧俠則已將旗下兩座NAND閃存廠的產(chǎn)線開(kāi)工率提升至100%，結(jié)束了自2022年10月起為期20個(gè)月的減產(chǎn)動(dòng)作。

同時(shí)，三星電子也在第二季度已將企業(yè)級(jí)NAND閃存價(jià)格上調(diào)超過(guò)20%。隨著AI熱潮在下半年進(jìn)一步推高服務(wù)器需求，存儲(chǔ)芯片價(jià)格有望繼續(xù)攀升。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAM Exchange的數(shù)據(jù)顯示,今年第一季度全球企業(yè)級(jí)NAND閃存銷售額達(dá)到37.58億美元，環(huán)比增長(zhǎng)62.9%。需求增長(zhǎng)導(dǎo)致部分產(chǎn)品供應(yīng)短缺，客戶爭(zhēng)相確保供應(yīng)的意愿日益增強(qiáng)。

除了存儲(chǔ)原廠之外，半導(dǎo)體材料供應(yīng)商也感受到了AI需求吹來(lái)的暖風(fēng)，且步入了擴(kuò)產(chǎn)的步伐。

根據(jù)韓國(guó)金融信息服務(wù)機(jī)構(gòu)FNGuide數(shù)據(jù)，Soulbrain、Wonik Materials、TEMC等韓國(guó)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商上調(diào)了收益預(yù)測(cè)。其中，Soulbrain預(yù)計(jì)第二季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將同比增長(zhǎng)22%，Wonik Materials和TEMC分別預(yù)測(cè)第二季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)與去年同期相比分別增長(zhǎng)200%和40%。

當(dāng)前，在服務(wù)器市場(chǎng)需求的支持下，存儲(chǔ)原廠正積極轉(zhuǎn)產(chǎn)至服務(wù)器eSSD、DDR5及HBM等高價(jià)產(chǎn)品。然而，除了AI概念相關(guān)存儲(chǔ)產(chǎn)品之外，其他類別的存儲(chǔ)芯片，特別是消費(fèi)類市場(chǎng)需求仍然較弱，使得存儲(chǔ)市場(chǎng)整體缺乏量能支撐。

CFM閃存市場(chǎng)就指出，消費(fèi)類市場(chǎng)復(fù)蘇不均，品牌銷量呈此消彼長(zhǎng)，更關(guān)鍵的是終端普遍持有一定安全庫(kù)存作為緩沖。美光科技近日也提到了這一點(diǎn)，即工業(yè)和零售需求存在不確定性。