兆易創新今日宣布，首款自有品牌4Gb DDR4產品GDQ2BFAA系列現已量產，實現從設計、流片，到封測、驗證的全面國產化，助力國產自主供應生態圈的發展構建。

兆易創新副總裁、DRAM事業部總經理胡洪表示，首款自有品牌DRAM產品標志著兆易創新正式入局DRAM這一主流存儲市場；未來公司將加速DRAM產品線布局，陸續推出DDR3、DDR4等接口的不同容量的系列產品。

去年以來，5G、消費電子、AI、物聯網等市場快速發展，疊加疫情下居家辦公、遠距學習模式，存儲需求大幅拉高，推動存儲器產業持續成長。存儲大廠美光CEO也看好產業存儲需求，指出NAND和DRAM供給面緊俏態勢將延續至2022年。

供需缺口拉大下，存儲芯片一路上漲。其中，DRAM Flash Q2報價漲幅已進入全年峰值，從4月至6月累計漲幅將達到20~25%。另有業內人士預估，Q3 NAND Flash合同市場價漲幅甚至有望超過DRAM。

IC Insights預計，全球存儲芯片市場將持續4年高景氣度，2020-2025年全球存儲芯片市場年復合增長率將達10.6％。其中，DRAM和NAND閃存會是2021年增長最快的兩個細分領域。

統計數據顯示，存儲芯片市場集中度較高，市場中DRAM產品占比約53%，NAND則約為42%。中國存儲芯片市場規模超3000億元，DRAM和NAND合計占比達98%。

然而，存儲器行業目前主要被海外公司壟斷，大陸進入產業較晚，因此作為全球存儲最大市場，自給率幾乎為零，國產化勢在必行。

NAND方面，國內廠商已有布局。國金證券6月3日指出，SLC 是進入MLC、TLC 及 3D的必經之路，國內廠商具備本土化優勢，可以穩步占據供應鏈關鍵位置。

DRAM領域，國內廠商也已開啟加速追趕，主要廠商包括兆易創新、福建晉華、合肥長鑫、紫光南京等。其中，國金證券上述研報指出，兆易創新首款自研DRAM主要面向IPC、TV等消費類利基市場，由于工藝制程先進，產品具備強勁市場競爭力，收獲期在望。

此外，業內分析人士表示，我國已出臺一系列產業政策推動國產存儲器發展，存儲產業鏈國產化比例提升持續加速。