在電力電子和開關電源設計中，MDD的快恢復二極管和肖特基二極管是兩類高頻應用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開關場景，但其工作原理、性能特點及適用場景存在顯著差異。

一、結構差異

快恢復二極管（FRD）

結構基礎：基于傳統的PN結半導體結構，通過優化摻雜工藝和載流子壽命控制，縮短反向恢復時間（trr）。

材料：通常采用硅（Si）材料，部分高壓型號使用碳化硅（SiC）或砷化鎵（GaAs）。

肖特基二極管（SBD）

結構基礎：利用金屬-半導體接觸形成的肖特基勢壘，而非PN結。金屬端（如鉬、鉑）與N型半導體結合，形成單向導電特性。

材料：常用硅或砷化鎵，近年氮化鎵（GaN）肖特基二極管逐漸應用于高頻場景。

二、關鍵性能參數對比

參數快恢復二極管（FRD）肖特基二極管（SBD）

正向壓降（VF）較高（0.8-1.5V）極低（0.3-0.6V）

反向恢復時間短（50ns-200ns）幾乎為零（無少數載流子存儲效應）

反向耐壓（VR）高（可達數kV）低（通常<200V）

反向漏電流較小較大（對溫度敏感）

開關損耗較高（受trr影響）極低

三、應用場景差異

快恢復二極管（FRD）

適用場景：

高頻開關電路：如開關電源（SMPS）、光伏逆變器中的續流二極管。

高壓場景：高壓電源、電機驅動電路（如IGBT模塊的配套二極管）。

典型案例：

在Boost升壓電路中，FRD用于阻斷高頻反向電流，耐壓需高于輸入峰值電壓。

肖特基二極管（SBD）

適用場景：

低壓大電流：如DC-DC轉換器、同步整流電路。

高頻低損耗：射頻電路、信號檢波、筆記本電腦電源適配器。

典型案例：

在同步Buck電路中，SBD并聯MOSFET用于降低導通損耗，VF低可減少發熱。

四、核心共同點

高頻特性：兩者均適用于高頻場景，但實現方式不同——FRD通過縮短載流子復合時間，SBD通過消除少數載流子存儲效應。

續流功能：在開關電路中均用于續流，防止電感電流突變損壞器件。

五、選型建議

電壓與效率權衡：

高壓場景（>200V）：優先選擇FRD（如RURG3060）。

低壓場景（<100V）：選用SBD（如SS34），可顯著降低導通損耗。

溫度管理：

SBD反向漏電流隨溫度升高急劇增加，高溫環境下需謹慎使用；FRD漏電流較小，適合高溫高壓環境。

成本考量：

SBD因金屬工藝復雜，成本通常高于同規格FRD，需根據系統預算平衡性能需求。

總之，MDD的快恢復二極管和肖特基二極管雖同為高頻開關器件，但結構差異導致其性能參數與應用場景顯著不同：

FRD以高耐壓和可控反向恢復時間見長，適用于高壓、高可靠性場景；

SBD以超低正向壓降和零反向恢復時間為核心優勢，是低壓高效系統的首選。

工程師需根據實際電路需求（電壓、頻率、損耗預算）合理選擇，必要時可通過混合使用（如高壓側FRD+低壓側SBD）優化系統效率。