近段時間，光刻機國產(chǎn)化這一話題被媒體和市場再度熱炒。從不久前“2021年中國企業(yè)未來發(fā)展論壇”上北大教授林毅夫關于“ASML慫了”的驚人言論，到近日華為哈勃宣布入股科益虹源的重磅消息，再度激發(fā)了國人對光刻機的“情結(jié)”，關于國產(chǎn)光刻機“穩(wěn)了”的觀點甚囂塵上。

　　暫且不論國產(chǎn)光刻機是否真的“穩(wěn)了”。僅從近期的兩大事件本身來看，其中之一的北大教授林毅夫發(fā)表的“ASML首席執(zhí)行官擔心不把光刻機賣給中國，3年后中國就會自己掌握這項技術，根據(jù)過去的經(jīng)驗，只要掌握這個技術，ASML就可能會退出世界光刻機市場。”言論，似乎就有些過于激進而不務實。

　　林毅夫表示：“清華大學突破的SSMB光源，經(jīng)過后續(xù)的研發(fā)升級，達到EUV光源的效果并不難；而研制光刻機所需要的真空、蔡司鏡頭、機床等技術，雖然掌握在美國、德國、瑞士等手里，可并不意味著國內(nèi)設備廠商研發(fā)不了，市場決定一切，何況我們擁有全球最大的市場。”

　　乍一看，似乎極為振奮人心，再加上近日華為哈勃宣布入股光刻機光源系統(tǒng)供應商科益虹源的重磅消息，似乎ASML真的“心慌慌”，國產(chǎn)光刻機“破冰”已經(jīng)穩(wěn)了？

　　三年讓ASML退出市場！SSMB光源真那么強？

　　顯然，三年就想讓ASML退出世界光刻機市場的觀點，在很多理性人士看來，實在是可笑至極。當然，這其中不乏一些“虛張聲勢”的韻味，目的其實還是為了促進ASML能加緊與中國企業(yè)之間的合作。但這種“信手拈來、煽風點火”的觀點，在輿論場發(fā)酵之后，對整個國內(nèi)半導體行業(yè)的穩(wěn)步發(fā)展實際上并無好處，相反還會加重整個產(chǎn)業(yè)的包袱和壓力，令本就激進的行業(yè)風氣變得愈發(fā)“浮躁”不堪。

　　實際上，林毅夫提到的“SSMB光源”，來自于今年2月，一則“清華大學的一項研究登上最新一期國際頂刊《自然（Nature）》”的消息，論文名為《穩(wěn)態(tài)微聚束原理的實驗演示（Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching）》，該項目除清華大學唐傳祥研究組外，還有亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心（HZB）及德國聯(lián)邦物理技術研究院（PTB）參與研究，可以說算是一個國際合作的項目。

《穩(wěn)態(tài)微聚束原理的實驗演示（Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching）》論文導讀部分（圖片來源：Nature）

　　消息一出，就引發(fā)了國內(nèi)輿論針對SSMB光源的大肆討論，非理性的大部分觀點都認為，這項技術對于國產(chǎn)光刻機的技術推進是極大的助力，有了SSMB光源，國產(chǎn)光刻機似乎不必懼怕ASML的EUV壟斷了，畢竟論文中似乎提到了SSMB可能被用作未來大功率EUV技術的光源的信息。

　　但實際上，這篇論文的正文內(nèi)容只是一篇典型的關于同步輻射和粒子加速器的文章，主要的貢獻也在這些方面，對于光刻機光源而言，該文的貢獻是相當次要的。有閱讀過該文獻的人士曾表示，除了引言和引用之外，這篇沒有任何其他位置提到EUV（極紫外線）或者光刻（lithography）。

　　而從技術原理層面來分析，目前主要的兩種加速器光源是同步輻射光源與自由電子激光。同步加速器的光源平均功率較高，單位時間內(nèi)產(chǎn)生的光子數(shù)目較多，但是帶寬較高。自由電子激光器所發(fā)出的光脈沖，則具備帶寬小、亮度高的優(yōu)點，其亮度比同步加速器高100億倍，功率相比同步加速器卻比較小。兩種光源各有利弊，而SSMB技術就是一種彌補兩種光源差距、整合其優(yōu)點的技術方案。且相比目前的EUV光源，SSMB光源最大的優(yōu)勢是能實現(xiàn)較大的理論功率。功率的增強有利于在保證線寬粗糙度的同時，提高光刻分辨率，進而縮小制程，同時也有助于降低成本。

SSMB原理驗證實驗示意圖（圖片來源：《Nature》）

　　不過，針對SSMB光源在助力中國實現(xiàn)EUV光刻機的自主研發(fā)話題上，即便是唐傳祥的回答也相當保守與克制，只提到了：“基于SSMB的EUV光源有望解決自主研發(fā)光刻機中最核心的‘卡脖子’難題。但是，EUV光刻機的自主研發(fā)還有很長的路要走，這需要SSMB EUV光源的持續(xù)科技攻關，也需要上下游產(chǎn)業(yè)鏈的配合，才能獲得真正成功。”更何況，SSMB技術當前仍要面對其他加速器光源技術的競爭，且僅僅只處于非常理論性的階段，真正要打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈談何容易？

       況且，實際上國際上對SSMB光源的關注度也并沒有預想的那么大。即便是有國外學者Bakshi· V編寫的《極紫外光刻》（第二版）中提到過“SSMB光源的潛在應用之一就是作為未來EUV光刻機的光源”。這本多達十章的書中，有整整一章又分為3A和3B專門講的就是光源。書中介紹了數(shù)十種光源技術，SSMB只有其中一小部分，篇幅占比更多的光源技術在十種以上。但其實，國外的主流媒體也鮮有針對SSMB技術的報道，這項技術未來的實際價值只有在國內(nèi)進一步獲得實踐之后才能知道。

       最終究竟能否真正有理論上述說的那般價值，甚至在產(chǎn)業(yè)化和市場化層面比當前紅極一時的EUV更有優(yōu)勢，仍有待商榷。況且，有業(yè)內(nèi)觀點表示，目前SSMB光源還未能實現(xiàn)工業(yè)化，按照傳統(tǒng)EUV的發(fā)展時間減半估計，大約需要14-15年才能達到EUV目前的水平。更何況發(fā)展SSMB光源本身也有風險，同時EUV乃至于更低波長的紫外光源的發(fā)展不一定停滯不前。

　　華為入股科益虹源之后 國產(chǎn)光刻機能否“破冰”？

　　入股科益虹源，對于華為來說的確具備很大的戰(zhàn)略價值。在華為哈勃入股之前，科益虹源似乎并不為人所知，在產(chǎn)業(yè)界也相當?shù)驼{(diào)。據(jù)悉，該公司的控股股東實際上是中科院微電子所，持股26.6%，主要業(yè)務就是光刻機中的三大核心技術之一的光源系統(tǒng)，是國內(nèi)第一、全球第三的193nm ArF準分子激光器企業(yè)。

　　而且，科益虹源還承擔了“02重大專項浸沒光刻光源研發(fā)”、“02重大專項核心零部件國產(chǎn)化能力建設”、“02重大專項集成電路晶圓缺陷檢測光源”等國家專項。此外，科益虹源也是國產(chǎn)光刻機廠商上海微電子的光源系統(tǒng)供應商。此前消息也顯示，科益虹源還將與上海微電子整機單位共同完成28nm國產(chǎn)光刻機的集成工作。

　　但即便是獲得了華為哈勃的入股，光刻機尤其是現(xiàn)今與國際接軌的先進EUV光刻機的國產(chǎn)自研，依然是長路漫漫。從EUV的突破歷史來看，事實上，中國長春光機所和美國的英特爾在90年代都盯上了EUV技術。當時，英特爾說服了美國政府，由英特爾和美國能源部牽頭，集合了當時還如日中天的摩托羅拉以及AMD，還有美國三大國家實驗室，集合幾百位頂級科學家成立了EUV LLC組織。

　　但一直到2017年，英特爾攻克了EUV技術障礙，才讓ASML成功制造出EUV光刻機，整個過程幾乎耗費了幾十年的時間，而且是在得天獨厚的全球供應鏈優(yōu)勢，以及不需要擔心中途“被斷供”的優(yōu)渥條件下，可想而知這個技術難度究竟有多大。

　　相比之下，中國的條件相對艱苦且資源稀缺，長春光機所在國家的支持下，也是直到2017年才算是在“極紫外光刻關鍵技術研究”中取得了一定的突破，建立了較為完善的曝光光學系統(tǒng)關鍵技術研發(fā)平臺。但是許多最頂級的零件我們依然無法獲取，而且在光刻氣體、高端光刻膠、系統(tǒng)設計、光學鏡頭等先進技術的積累上也十分欠缺，牽扯的產(chǎn)業(yè)鏈也紛繁復雜，想要全部悉數(shù)獲得國產(chǎn)自主的突破絕非易事。

　　因此，這不僅僅只是資金和人才的問題，更是跨界的產(chǎn)業(yè)鏈能否真正互通融合來攻堅克難的問題。華為的入局只能算是給產(chǎn)業(yè)強化實力，但論及“破冰”，還遠遠談不上。

　　國產(chǎn)替代需要循序漸進，而非盲目吹捧

　　由這些事件也可以看出，如今國家層面推行半導體“國產(chǎn)替代”政策，為艱難前行的本土半導體產(chǎn)業(yè)頻送東風，本就是一件好事。但近些年，由于資本“熱錢”的瘋狂涌入，國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)也出現(xiàn)了越來越多的連環(huán)“暴雷”的案例，從德淮半導體、廣州海芯、陜西坤同、德科碼到震驚全國的武漢弘芯、濟南泉芯等一大批本來很優(yōu)質(zhì)的半導體項目，都難逃“芯騙”們的毒手，淪為圈內(nèi)人私下的談資。

　　無論是德淮半導體、廣州海芯、陜西坤同、德科碼還是武漢弘芯、濟南泉芯，編者相信這僅僅只是當前國內(nèi)在激進國產(chǎn)替代之下的冰山一角，還有更多已經(jīng)爛尾甚至正在爛尾路上的項目由于種種原因并未被曝光。

　　更不必談如今國內(nèi)越來越多的“意見領袖”，打著為國產(chǎn)替代“正名”的幌子，大肆采用“沸騰體”來煽風點火，實則是為了“圈錢”和“騙補”，讓國家來為其買單。這不僅對國家經(jīng)濟和資源是一種嚴重的浪費和損害，更給國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展平添了“浮躁”的氛圍。

　　長期下去，影響是極為惡劣的。一方面，國內(nèi)越來越多想賺快錢的投資機構(gòu)可能瘋狂涌入半導體圈，給本質(zhì)上只能循序漸進、穩(wěn)扎穩(wěn)打的半導體企業(yè)們更大的壓力，這會持續(xù)引導一些本就不成熟的創(chuàng)始團隊走向錯誤的路線，最終被市場快速淘汰、消亡。

　　另一方面，也會讓本來想低調(diào)處事的很多優(yōu)質(zhì)半導體公司不得不高調(diào)起來，頻繁露面，為一些流言蜚語而發(fā)聲，自證清白。這不僅進一步提升了很多企業(yè)的運營成本和壓力，同時也使得這些優(yōu)質(zhì)本土公司成為當下美歐等國頻繁打擊和制裁的對象，總體來說于國家半導體產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展大計頗為不利。

　　小結(jié)：

　　綜上所述，無論是當下處于輿論漩渦中的光刻機國產(chǎn)化，還是越來越多被提到的國內(nèi)半導體爛尾項目，都充分說明了中國半導體產(chǎn)業(yè)的獨立自主是需要循序漸進、穩(wěn)扎穩(wěn)打的過程，而非盲目吹捧、無底線營銷。后者不僅會從底部腐蝕掉半導體國產(chǎn)化已經(jīng)筑牢的根基，還可能會讓狂風驟雨中奮力前行的半導體國產(chǎn)化“巨輪”駛向錯誤的航線，讓中國半導體的國產(chǎn)化“錯失下一個十年”。