日前，中國(guó)海關(guān)總署將“集成電路”原產(chǎn)地認(rèn)定改為了流片地，一度引發(fā)了半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者的關(guān)注。這意味著，在美國(guó)流片的芯片無法再通過第三國(guó)封裝轉(zhuǎn)口至中國(guó)來避稅。若流片環(huán)節(jié)在中國(guó)大陸地區(qū)或與中國(guó)存在關(guān)稅優(yōu)惠協(xié)定的國(guó)家/地區(qū)，就可以享受優(yōu)惠稅收政策。4dOesmc

值得注意的是，半導(dǎo)體巨頭們經(jīng)過多年布局，早已將產(chǎn)能分散到不同地區(qū)。在此背景下，《國(guó)際電子商情》梳理了半導(dǎo)體巨頭的晶圓廠布局及產(chǎn)能。受篇幅所限，本系列文章拆分為上、下兩篇，上篇聚焦晶圓代工廠(Foundry)，下篇關(guān)注垂直整合制造商(IDM)。4dOesmc

美、日先進(jìn)工藝占比將提升，中國(guó)大陸成熟制程占比加大

在正式開始討論各晶圓代工廠的工廠布局及產(chǎn)能分配之前，我們首先可以觀察各國(guó)/地區(qū)先進(jìn)工藝與成熟工藝版圖及產(chǎn)能分配情況。4dOesmc

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圖1：2023至2027年，全球先進(jìn)制程(左)、成熟制程(右)版圖占比 制圖：國(guó)際電子商情 數(shù)據(jù)來源：TrendForce4dOesmc

此前，TrendForce針對(duì)2023至2027年期間的先進(jìn)制程和成熟制程進(jìn)行了預(yù)測(cè)。4dOesmc

中國(guó)臺(tái)灣的先進(jìn)制程版圖占比從71%下降到54%，美國(guó)從9%增長(zhǎng)到21%，日本從0增長(zhǎng)到4%。先進(jìn)工藝版圖的變化主要由臺(tái)積電海外布局帶動(dòng)——因地緣政治因素的影響，半導(dǎo)體區(qū)域化程度進(jìn)一步加深，臺(tái)積電把部分先進(jìn)工藝產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到美國(guó)、日本，這些地區(qū)的臺(tái)積電新工廠在未來幾年將陸續(xù)達(dá)產(chǎn)。4dOesmc

在成熟制程(大于28nm)方面，2023至2027年期間，隨著中國(guó)大陸地區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)、新建項(xiàng)目陸續(xù)達(dá)產(chǎn)，在28nm及以上成熟制領(lǐng)域快速搶占市場(chǎng)，該地區(qū)成熟制程的占比從31%飆升到47%。對(duì)比之下，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的占比明顯降低，從45%縮減到36%。4dOesmc

據(jù)短期內(nèi)的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，2025年臺(tái)積電的8英寸產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)保持在約80%的水平，占據(jù)全球20%左右的8英寸晶圓市場(chǎng)份額。同時(shí)，在12英寸晶圓領(lǐng)域，臺(tái)積電的投片規(guī)模占比預(yù)計(jì)接近41%。而除三星擁有11%的占比外，其他晶圓代工廠的占比均在個(gè)位數(shù)。4dOesmc

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圖2：2025年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)各企業(yè)營(yíng)收占比預(yù)計(jì) 制表：國(guó)際電子商情 數(shù)據(jù)來源：TrendForce4dOesmc

圖2是2025年全球晶圓代工廠營(yíng)收占比，全球90%的晶圓代工營(yíng)收被五大晶圓代工廠占據(jù)——臺(tái)積電(TSMC)約占66%，三星(Samsung)約占9%，聯(lián)電(UMC)、中芯國(guó)際(SMIC)、格羅方德(Global Foundries)各占5%。在此基礎(chǔ)上，筆者梳理了全球前10大晶圓代工廠的晶圓廠布局及產(chǎn)能等信息。4dOesmc

臺(tái)積電

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表1：臺(tái)積電全球晶圓廠布局(本表只統(tǒng)計(jì)已量產(chǎn)晶圓廠)4dOesmc

臺(tái)積電晶圓廠數(shù)量眾多，筆者依據(jù)已量產(chǎn)和待量產(chǎn)分拆成兩個(gè)表格。4dOesmc

根據(jù)表1顯示，截至目前，臺(tái)積電在全球至少有14座已經(jīng)量產(chǎn)的晶圓廠——在中國(guó)臺(tái)灣有4座12英寸超大晶圓廠(Fab 12、Fab 14、Fab 15、Fab 18)、4座8英寸晶圓廠(Fab 3、Fab 5、Fab 6、Fab 8)和1座6英寸晶圓廠(Fab 2)；在中國(guó)大陸有1座12英寸晶圓廠(Fab 16)、1座8英寸晶圓廠(Fab 10)；在美國(guó)有1座12英寸晶圓廠(Fab 21)、1座8英寸晶圓廠(Fab 11)；在日本有1座12英寸晶圓廠(JASM Fab 1)。4dOesmc

基于以上晶圓廠，截至2024年底，臺(tái)積電及其子公司所擁有及管理的年產(chǎn)能超過1,600萬片12英寸晶圓當(dāng)量，僅4座超大12英寸晶圓廠的年產(chǎn)能就超過了1,274萬片。臺(tái)積電也在8英寸晶圓領(lǐng)域發(fā)力，SEMI數(shù)據(jù)顯示，2024年全球8英寸晶圓廠月產(chǎn)能達(dá)690萬片(全年約8,280萬片)，其中臺(tái)積電占約7.2%(以600萬片/年估算)。4dOesmc

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表2：臺(tái)積電待量產(chǎn)晶圓廠4dOesmc

近幾年來，臺(tái)積電在全球各地也新建、規(guī)劃了數(shù)座12英寸晶圓廠。2025年臺(tái)積電將會(huì)有不少新產(chǎn)能開始陸續(xù)達(dá)產(chǎn)，其位于臺(tái)灣的兩座12英寸晶圓廠在2025年開始量產(chǎn)，這兩座晶圓廠專為2nm及以下制程建設(shè)。其中，在新竹市的Fab 20計(jì)劃2025年進(jìn)行試產(chǎn)，試產(chǎn)線月產(chǎn)能為3,000-3,500片，到年底月產(chǎn)能達(dá)5萬片晶圓，2026年目標(biāo)月產(chǎn)能12至13萬片；在高雄市的Fab 22 2025年下半年量產(chǎn)，該工廠服務(wù)于AI、5G、IoT等高增長(zhǎng)領(lǐng)域。4dOesmc

另據(jù)臺(tái)積電此前公布的規(guī)劃，該公司將在美國(guó)亞利桑那州分階段擴(kuò)建至6座晶圓廠，同時(shí)還將配備2座先進(jìn)的封裝設(shè)施和1座研發(fā)中心，共同構(gòu)建起一個(gè)全面的半導(dǎo)體制造生態(tài)系統(tǒng)。業(yè)內(nèi)分析師認(rèn)為，臺(tái)積電可能會(huì)以其在該州的首座晶圓廠(Fab 21)為基礎(chǔ)，分三期建設(shè)最終形成包含6座工廠的千兆級(jí)晶圓廠集群，目標(biāo)是主導(dǎo)3nm及更先進(jìn)制程產(chǎn)能。4dOesmc

如今，F(xiàn)ab 21已經(jīng)量產(chǎn)(4nm)芯片，其目標(biāo)月產(chǎn)能為2.4萬片。此外，臺(tái)積電還計(jì)劃后續(xù)在亞利桑那州生產(chǎn)更先進(jìn)的芯片，2026年實(shí)現(xiàn)3nm量產(chǎn)，2030年實(shí)現(xiàn)2nm量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電在亞利桑那州所有晶圓廠建設(shè)完畢后，該公司大概會(huì)有30%的2nm芯片將在美國(guó)制造。不過，受成本超支、人才短缺等問題影響，后續(xù)擴(kuò)建進(jìn)度滯后于原計(jì)劃。臺(tái)積電2025年財(cái)報(bào)顯示，該項(xiàng)目已經(jīng)連續(xù)四年虧損，業(yè)界推測(cè)，臺(tái)積電可能優(yōu)先完成?3-4座工廠?的階段性目標(biāo)，后續(xù)視供應(yīng)鏈和市場(chǎng)需求再行決策。4dOesmc

在日本，臺(tái)積電與索尼、豐田等合資的JASM項(xiàng)目(12英寸)的二期(JASM Fab 2)規(guī)劃將于2027年投產(chǎn)，JASM Fab 2計(jì)劃生產(chǎn)6/7nm芯片，產(chǎn)能規(guī)劃為5萬片/月。該項(xiàng)目的一期已經(jīng)于2024年Q4正式量產(chǎn)，主要生產(chǎn)28/22nm車用芯片，一期目標(biāo)產(chǎn)能為5萬片/月。4dOesmc

為滿足歐洲汽車及工業(yè)領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的產(chǎn)能需求。臺(tái)積電還與博世、英飛凌及恩智浦半導(dǎo)體在德國(guó)德累斯頓共同投資建設(shè)了歐洲半導(dǎo)體制造公司(ESMC)，臺(tái)積電持有70%的股份，博世、英飛凌和恩智浦半導(dǎo)體各占股10%。該工廠將采用臺(tái)積電在28/22nm平面CMOS及16/12nm FinFET前沿工藝技術(shù)，每月生產(chǎn)4萬片12英寸晶圓，預(yù)計(jì)在2027年投產(chǎn)。4dOesmc

三星

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圖3：三星在全球的生產(chǎn)中心（包括晶圓廠和封測(cè)廠） 圖片來源：三星官網(wǎng)4dOesmc

三星在全球的晶圓代工布局主要分布在韓國(guó)器興、平澤、華城，美國(guó)德州，中國(guó)西安。4dOesmc

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表3：三星Foundry晶圓廠布局4dOesmc

三星在韓國(guó)的12英寸晶圓代工產(chǎn)能以華城為核心，形成三角支撐布局，而平澤作為新興基地正在持續(xù)擴(kuò)建。其12英寸晶圓代工廠在韓國(guó)的布局如下：在器興有1座、華城有3座、在平澤至少有1座。三星在華城正在擴(kuò)建2nm生產(chǎn)線，但尚未完全投產(chǎn)。此外，平澤計(jì)劃建設(shè)5個(gè)廠區(qū)，目前P1、P2、P3已建成，P4、P5正在建設(shè)中，P3工廠雖以存儲(chǔ)芯片為主，但也包含晶圓代工產(chǎn)能。4dOesmc

三星在中國(guó)西安也有一個(gè)12英寸NAND閃存生產(chǎn)基地，其一期2014年投產(chǎn)，二期2021年滿產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，該基地1、2期總產(chǎn)能25萬片/月，約占三星NAND總產(chǎn)量的40%，主要生產(chǎn)3D NAND閃存芯片，面向消費(fèi)電子及數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)市場(chǎng)。4dOesmc

三星在美國(guó)工有2座晶圓廠——奧斯汀廠生產(chǎn)65nm至14nm的邏輯芯片，其產(chǎn)能占三星邏輯芯片總產(chǎn)能的30%(約4萬片/月12英寸晶圓)；泰勒晶圓廠于2021年宣布投資建設(shè)，原計(jì)劃在2024年下半年投產(chǎn)，采用5nm工藝進(jìn)行生產(chǎn)，初期月產(chǎn)能設(shè)定為2.5萬片晶圓。該工廠主要致力于生產(chǎn)適用于移動(dòng)設(shè)備、5G、高性能計(jì)算和AI領(lǐng)域的芯片。然而，由于通貨膨脹和政府補(bǔ)貼審批延遲等問題，工廠的量產(chǎn)時(shí)間被推遲了。4dOesmc

在8英寸產(chǎn)線方面，三星在韓國(guó)器興共有6條8英寸晶圓產(chǎn)線，主要面向成熟制程工藝，未來或轉(zhuǎn)向特種工藝。這6條8英寸產(chǎn)線規(guī)劃產(chǎn)能為20萬片/月，但其2024年產(chǎn)能利用率只有50%，即10萬片/月。4dOesmc

格羅方德

格羅方德(Global Foundries)是一家美國(guó)的晶圓代工廠。2018年8月，格羅方德宣布擱置7nm及以下先進(jìn)制程研發(fā)計(jì)劃。未來，公司主要面向汽車、移動(dòng)設(shè)備、家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、通信基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心四大市場(chǎng)提供性能、功率和可靠性兼?zhèn)涞漠a(chǎn)品。4dOesmc

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圖4：格羅方德全球分布情況 圖片來源：格羅方德官網(wǎng)4dOesmc

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表4：格羅方德晶圓廠布局4dOesmc

截至2025年5月，格羅方德在全球?qū)嶋H運(yùn)營(yíng)至少6座晶圓廠，分布于美國(guó)、德國(guó)和新加坡地區(qū)。其中，2017年啟動(dòng)建設(shè)的成都12英寸廠原計(jì)劃為全球首條22nm FD-SOI產(chǎn)線，但2024年相關(guān)資料未將其列為核心基地，推測(cè)其可能受建設(shè)延遲或戰(zhàn)略調(diào)整影響。4dOesmc

在宣布退出7nm及以下工藝之后，格羅方德還積極展開了精簡(jiǎn)瘦身的舉措，出售了數(shù)座晶圓廠。例如，2019年1月，格羅方德宣布出售其新加坡的Fab3e晶圓廠(8英寸)給世界先進(jìn)；2019年4月，又宣布出售紐約州的Fab 10晶圓廠(12英寸)給安森美。這些舉措標(biāo)志著格羅方德戰(zhàn)略重心的轉(zhuǎn)移，聚焦于優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)能與高利潤(rùn)領(lǐng)域，以適應(yīng)市場(chǎng)變化并提升競(jìng)爭(zhēng)力。4dOesmc

中芯國(guó)際

中芯國(guó)際向全球客戶提供8英寸和12英寸晶圓代工與技術(shù)服務(wù)，該公司總部位于上海，在上海、北京、天津、深圳建有多座8英寸和12英寸晶圓廠。4dOesmc

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圖5：中芯國(guó)際全球布局(藍(lán)色圓點(diǎn)為其晶圓代工廠布局) 圖片來源：中芯國(guó)際官網(wǎng)4dOesmc

中芯國(guó)際的晶圓廠主要集中在中國(guó)大陸地區(qū)。從中芯國(guó)際2024年整體來看，其8英寸晶圓月產(chǎn)能為45萬片，12英寸晶圓月產(chǎn)能為25萬片。目前，中芯國(guó)際在上海、北京、天津、深圳建有三座8英寸晶圓廠和四座12英寸晶圓廠，四地均各有一座12英寸晶圓廠在逐步推進(jìn)中。4dOesmc

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表5：中芯國(guó)際晶圓廠布局4dOesmc

中芯國(guó)際自2020年起規(guī)劃了四座12英寸晶圓廠(中芯京城、中芯深圳、中芯東方、中芯西青)，規(guī)劃新增總產(chǎn)能34萬片/月，到2025年，這些晶圓廠開始陸續(xù)達(dá)產(chǎn)，疊加現(xiàn)有廠區(qū)擴(kuò)建和先進(jìn)制程研發(fā)項(xiàng)目，公司正加速構(gòu)建覆蓋全國(guó)的成熟制程產(chǎn)能網(wǎng)絡(luò)。4dOesmc

聯(lián)華電子

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表6：聯(lián)電晶圓廠布局4dOesmc

聯(lián)華電子(以下簡(jiǎn)稱聯(lián)電)擁有4座12英寸晶圓廠，7座8英寸晶圓廠和1座6英寸晶圓廠。其12英寸晶圓廠產(chǎn)能及制程工藝如下：4dOesmc

• 位于臺(tái)南的Fab 12A于2002年進(jìn)入量產(chǎn)，運(yùn)用先進(jìn)14nm制程為客戶生產(chǎn)客制化產(chǎn)品；12A的研發(fā)制造復(fù)合廠區(qū)由三個(gè)獨(dú)立的晶圓廠，P1 & 2、P3 & 4、及P5 & 6廠區(qū)組成，目前產(chǎn)能超過8.7萬片/月。

• Fab 12i位于新加坡白沙晶圓科技園區(qū)，是聯(lián)電的特殊技術(shù)中心，提供客戶多樣化的應(yīng)用產(chǎn)品所需IC，產(chǎn)能達(dá)5萬片/月；目前，F(xiàn)ab 12i正在進(jìn)行擴(kuò)建，擴(kuò)建計(jì)劃分兩期完成，一期新增3萬片/月(2026年量產(chǎn))。

• 位于中國(guó)廈門的聯(lián)芯(12X廠)于2016年第四季量產(chǎn)，其總設(shè)計(jì)產(chǎn)能為5萬片/月。

• 2019年10月，聯(lián)電取得位于日本的USJC所有股權(quán)，提供最小至40nm的邏輯和特殊技術(shù)，該工廠產(chǎn)能約為3.84萬片/月。

華虹集團(tuán)

表7：華虹集團(tuán)晶圓廠布局4dOesmc

華虹集團(tuán)(HHGroup)作為全球領(lǐng)先的特色工藝晶圓代工企業(yè)，特色工藝在其技術(shù)發(fā)展中占據(jù)重要的地位。華虹集團(tuán)包括華虹宏力和上海華力的產(chǎn)能。4dOesmc

華虹宏力自建設(shè)中國(guó)大陸第一條8英寸集成電路生產(chǎn)線起步，目前在上海金橋和張江建有三座8英寸晶圓廠(華虹一廠、二廠及三廠)，月產(chǎn)能約18萬片。華虹宏力工藝技術(shù)覆蓋1微米至90nm各節(jié)點(diǎn)，其嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺(tái)。4dOesmc

此外，華虹宏力和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、無錫錫虹聯(lián)芯投資有限公司等在無錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)內(nèi)，合資設(shè)立了華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司。其一期項(xiàng)目有一座月產(chǎn)能4萬片的12英寸晶圓廠(華虹七廠)，工藝節(jié)點(diǎn)覆蓋90nm至65/55nm，支持物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域應(yīng)用。4dOesmc

上海華力則定位于先進(jìn)邏輯工藝晶圓代工，主要覆蓋邏輯集成電路代工服務(wù)。上海華力有兩座12英寸晶圓廠(華虹五廠和華虹六廠)，合計(jì)月產(chǎn)能約7.5萬片，可提供65/55nm至28/22nm不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片制造技術(shù)服務(wù)。4dOesmc

世界先進(jìn)

世界先進(jìn)擁有共5座8英寸晶圓廠，其中4座位于臺(tái)灣，1座位于新加坡，2025年年產(chǎn)能約為345萬片8英寸晶圓。該公司專注于成熟制程（0.5μm至0.11μm工藝節(jié)點(diǎn)），主要服務(wù)于消費(fèi)電子、汽車電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。4dOesmc

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圖6：世界先進(jìn)5座8英寸晶圓廠產(chǎn)能分布 圖片來源：世界先進(jìn)官網(wǎng)4dOesmc

其晶圓一廠是世界先進(jìn)(VIS)的創(chuàng)始廠，早期以DRAM生產(chǎn)為主，2004年轉(zhuǎn)型為邏輯代工；晶圓二廠2008年收購自華邦電子的8英寸廠，初期以存儲(chǔ)芯片為主，后逐步轉(zhuǎn)向邏輯代工；晶圓三廠2014年收購自南亞科技的8英寸廠，并整合勝普電子設(shè)備；晶圓五廠是2022年購入友達(dá)光電的L3B廠房（原38廠）；新加坡廠（四廠）是2020年收購格羅方德的Fab 3E 8英寸廠。4dOesmc

2024年，世界先進(jìn)宣布與恩智浦合資建設(shè)首座12英寸廠（VSMC），總投資78億美元，計(jì)劃2027年量產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)5.5萬片12英寸晶圓（等效八英寸約11萬片）。該廠主攻車用PMIC、模擬及混合信號(hào)芯片，預(yù)計(jì)2029年完全達(dá)產(chǎn)。4dOesmc

力積電

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圖7：力積電晶圓制造廠信息 圖片來源：力積電官網(wǎng)4dOesmc

力積電擁有4座12英寸晶圓廠與2座8英寸晶圓廠，每月提供40萬片（等效8英寸晶圓）的代工產(chǎn)能，最新P5廠將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。力積電當(dāng)前量產(chǎn)制程以55nm至22nm為核心，同時(shí)保留更成熟的180nm至90nm生產(chǎn)能力，暫未涉足10nm以下先進(jìn)制程。其技術(shù)路線強(qiáng)調(diào)通過工藝優(yōu)化和細(xì)分市場(chǎng)深耕實(shí)現(xiàn)差異化競(jìng)爭(zhēng)。4dOesmc

高塔半導(dǎo)體

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圖8：高塔半導(dǎo)體晶圓廠布局 圖片來源：高塔半導(dǎo)體官網(wǎng)4dOesmc

以色列晶圓代工廠高塔半導(dǎo)體（Tower）通過收購、合作與自建，形成了覆蓋北美、歐洲、亞洲的多區(qū)域晶圓廠網(wǎng)絡(luò)，其核心布局如下：4dOesmc

• 以色列米格達(dá)勒埃梅克8英寸晶圓廠：其工藝覆蓋0.18μm至0.13μm，支持Sensors、Power、RF SOI、SiGe等產(chǎn)品，專注模擬、射頻和高性能電路，服務(wù)于汽車、工業(yè)及消費(fèi)電子領(lǐng)域，

• 美國(guó)加利福尼亞州紐波特比奇8英寸晶圓廠：工藝覆蓋0.5μm至0.13μm，支持SiGe、MEMS、RF SOI、SiPho等產(chǎn)品。

• 德克薩斯州圣安東尼奧基地的8英寸晶圓廠：專注0.18μm工藝的RF SOI、Power、SiGe、SiPho等產(chǎn)品。

• 高塔半導(dǎo)體通過與松下合資的TPSCo(高塔持股51%)掌控三座工廠：礪波（8英寸）聚焦18μm工藝的車用模擬芯片及分立器件；魚津(12英寸)專注于65/45nm的射頻CMOS/SOI和圖像傳感器；新井(8英寸)作為補(bǔ)充產(chǎn)能支撐車規(guī)芯片制造。

• 高塔半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在意大利阿格拉合作建設(shè)12英寸晶圓廠是，兩者共享潔凈室和基礎(chǔ)設(shè)施，該晶圓廠最高支持65nm工藝，主要用于汽車、工業(yè)以及個(gè)人消費(fèi)電器中的功率、模擬混合信號(hào)與射頻芯片制造。

• 高塔半導(dǎo)體與英特爾合作：后者在其新墨西哥州的12英寸晶圓廠生產(chǎn)高塔半導(dǎo)體的65nm電源管理BCD流程等產(chǎn)品。

東部高科

韓國(guó)晶圓代工廠東部高科(DB HiTek)憑借0.35微米至90nm的制造工藝技術(shù)，月產(chǎn)量可達(dá)15.4萬片8英寸晶圓，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電視、電腦、移動(dòng)設(shè)備、汽車等領(lǐng)域的核心零部件。該公司不僅推動(dòng)邏輯代工技術(shù)的先進(jìn)化，還逐步擴(kuò)大模擬、混合信號(hào)等高盈利性半導(dǎo)體代工服務(wù)的比重，持續(xù)鞏固其業(yè)務(wù)基礎(chǔ)。4dOesmc

晶和集成

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圖9：晶和集成技術(shù)藍(lán)圖 圖片來源：晶和集成官網(wǎng)4dOesmc

目前，晶合集成12英寸晶圓單月產(chǎn)能超10萬片，其產(chǎn)品涵蓋DDIC、CIS、MCU、PMIC及邏輯應(yīng)用等平臺(tái)。2024年，取得55nm中高階BSI及堆棧式CIS芯片工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)；55nm車載顯示驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)；40nm高壓OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)；28nm邏輯芯片通過功能性驗(yàn)證，成功點(diǎn)亮電視面板等成果。4dOesmc