在服務器電源、工業驅動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N溝道增強型MOS）憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優化技術，為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。  

一、產品概述：PowerTrench工藝與屏蔽柵技術的融合  

MDDG03R04Q采用MDD的Trench工藝，結合屏蔽柵結構，通過優化載流子遷移路徑與電場分布，實現：  

極低導通電阻：RDS(on)低至3.5mΩ（VGS=10V，ID=20A），顯著降低導通損耗。  

快速開關性能：優化柵極電荷（Qg）與軟恢復體二極管，支持高頻應用。  

工業級可靠性：100% UIS測試認證，確保雪崩能量耐受能力。  

二、核心性能與關鍵參數  

1. 導通與動態特性  

RDS(on)@10V=3.5mΩ：相比傳統MOSFET，導通損耗降低，提升電源轉換效率。  

低反向恢復電荷（Qrr）：減少同步整流中的反向導通損耗，優化系統能效。  

快速開關響應：開啟/關斷延遲時間優化，適配高頻PWM控制。  

2. 可靠性認證與環保標準  

100% UIS測試：單脈沖雪崩能量（EAS）通過嚴格驗證，保障感性負載場景穩定性。  

RoHS合規：無鉛環保工藝，符合全球環保法規。  

3. 熱性能與封裝設計  

PDFN3*3-8L封裝：貼片式金屬背板設計提升散熱能力，支持持續高電流工況。  

寬溫工作范圍：-55℃~150℃，適應嚴苛環境。  

三、典型應用場景  

1. 同步整流（ATX/服務器/電信PSU）  

低RDS(on)與Qrr特性：優化DC/DC轉換效率，減少同步整流損耗，適用于鈦金級電源設計。  

高頻開關能力：適配LLC諧振拓撲，提升功率密度。  

2. 工業電機驅動與不間斷電源（UPS）  

80A持續電流能力：支持伺服電機、AGV小車驅動需求。  

高雪崩能量耐受：應對電機啟停與電池切換瞬態沖擊，系統可靠性提升25%。  

3. 微型太陽能逆變器（Micro Solar Inverter）  

高效MPPT控制：低導通損耗提升光伏能量轉換效率。  

寬溫工作范圍：適應戶外極端溫度波動，保障長期穩定運行。  

四、選型推薦

除此之外，MDD新推出的低壓大電流系列MOS針對不同的應用場景，推出不同的型號，以滿足各行業匹配需求。