5月27日，中微公司舉辦了2024年度暨2025年第一季度業績說明會，中微公司董事長兼總經理尹志堯在會上表示：“經過20多年的努力，公司已組建了超過千人的研發團隊，并且十分全面。十年前，我們一般需要三到五年開發一個新產品，再花兩年時間進入市場。但現在，只需要大約18個月，最多兩年就能完成新品研發，半年到一年就可以量產并進入市場。”

據了解，中微公司在2024年實現營業收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，在近四年營業收入年均增長大于40%的基礎上，2024年營業收入同比增長約44.73%。其中，刻蝕設備收入約72.77億元，在最近四年收入年均增長超過50%的基礎上，2024年同比增長約54.72%。

尹志堯表示，2024年中微公司研發總投入達到24.5億元，同比94.3%，占營業收入比例約為27%，高于科創板上市公司平均研發投入占收入比例的10%到15%。

目前，中微公司累計已有超過6000臺等離子和化學薄膜的反應臺，在國內外137條生產線實現量產和大規模重復性銷售。尹志堯指出，公司的CCP(電容耦合等離子體)高能等離子體刻蝕設備和ICP(電感耦合等離子體)低能等離子體刻蝕設備已覆蓋國內95%以上的刻蝕應用需求，并成功在5納米及更先進制程的國際領先產線中實現規模量產。此外，公司為先進存儲器件和邏輯器件開發的六種LPCVD薄膜設備已順利進入市場，2024年收到約4.76億元批量訂單，實現銷售收入約1.56億元。

在泛半導體領域，中微公司的MOCVD(金屬有機化學氣相沉積)設備持續領跑全球市場，占據氮化鎵基LED照明設備80%以上份額，碳化硅功率器件外延設備目前已經進入生產驗證階段，氮化鎵Micro LED藍綠光設備已經被核準并進入生產，氮化鎵功率器件外延設備、砷化鎵紅黃光設備將在今年進入生產。

在研項目方面，尹志堯介紹到，公司根據市場及客戶需求，加大研發力度，在研項目涵蓋六大類，超過二十款新設備的開發，包括新一代CCP高能等離子體刻蝕設備、ICP低能等離子體刻蝕設備、晶圓邊緣刻蝕設備、LPCVD及ALD薄膜設備、硅和鍺硅外延EPI設備、新一代等離子體源的PECVD設備和電子束量檢測設備等。2025年第一季度，公司研發投入同比增長90.53%至6.87億元。

展望未來，尹志堯表示，目前中微公司可以覆蓋30%的集成電路設備。而在今后五到十年內，中微公司將與合作伙伴共同覆蓋60%的集成電路高端設備，包括刻蝕、薄膜及量檢測的全部設備，以及一部分濕法設備，成為平臺式的集團公司，并向著2035年成為全球第一梯隊半導體設備公司的目標而努力。