MOSFET的反向恢復特性是指其內部寄生體二極管在從導通狀態切換到關斷狀態時，由于存儲的少數載流子復合歸零而產生的瞬態電流和持續時間。這一過程直接影響器件的開關損耗、系統效率及可靠性。

反向恢復特性的主要參數為反向恢復時間(Trr)、反向恢復電荷(Qrr)，反向恢復電流(Irr)。

反向恢復時間：從施加反向電壓到反向電流降至某一閾值所需的時間。其又分為存儲時間(Ts)和下降時間(Tf)。Trr越小，器件開關速度越快，開關損耗越低。

存儲時間(Ts)：少數載流子被抽出的初始階段，反向電流維持較高值。

下降時間(Tf)：反向電流快速衰減至零的階段。

反向恢復電荷(Qrr)：反向恢復過程中流動的總電荷量，即反向電流對時間的積分。直接決定開關損耗（Eloss=Qrr*Vreverse），電荷越小損耗越低。

峰值反向恢復電流(IRM)：反向恢復過程中出現的最大反向電流值。高IRM會導致電壓尖峰和電磁干擾（EMI），需通過電路設計抑制。

軟度因子（S)：下降時間(tf)與存儲時間(ts)的比值( S=tf / ts )。

硬恢復（S<1）：電流驟降，易引發電壓振蕩和 EMI。

軟恢復（S>1）：電流平緩下降，對電路更友好。

反向恢復特性直接制約開關器件的效率與可靠性，理解其參數（trr、Qrr、IRM、S）及物理機制對優化電路設計至關重要。