在電源管理領域，高效、可靠的功率器件是提升系統性能的關鍵。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結合SGT屏蔽柵技術，推出全新N溝道增強型MOSFET系列產品，其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封裝，符合RoHS標準，以其卓越的開關性能與低導通電阻，成為同步整流、電機驅動等應用的理想選擇。

一、核心性能

1. 低導通電阻，高效節能  

在VGS=10V、ID=35A條件下，最大導通電阻（RDS(on)）僅為8mΩ（典型值6mΩ），顯著降低導通損耗，提升系統效率。  

支持4.5V低柵極驅動電壓（Max RDS(on)=11mΩ@30A），適配低壓控制場景。

2. 快速開關與低反向恢復電荷  

優化動態性能：開啟延遲時間11ns，關斷延遲時間33ns，適應高頻開關需求。  

超低反向恢復電荷（Qrr=71nC）和軟恢復特性，減少開關噪聲，提升EMC表現。

3. 高可靠性設計  

100V耐壓設計，支持75A連續電流與240A脈沖電流，滿足嚴苛負載條件。  

產品100% 通過UIS（無鉗位電感開關）測試，單脈沖雪崩能量（Eas）達130mJ，確保抗沖擊能力。  

工作溫度范圍-55°C至+150°C，適應工業級環境。             

   

二、電性曲線圖

三、典型應用場景  

1. 快充與電源適配器  

適用于AC/DC同步整流電路，低導通損耗與快速開關特性可顯著提升充電效率，減少發熱。  

2. 電機驅動與UPS系統  

高電流承載能力與抗雪崩特性，保障電機啟停和突發負載下的穩定運行。  

3. 光伏微逆變與電池管理  

低柵極驅動電壓需求適配太陽能MPPT控制，高效能量轉換；在BMS中實現精準充放電管理。  

四、選型推薦

Part Number	Type	BVDSS(V)	ID (A)	VGS (V)	ESD	RDS(ON) (mΩ) VGS=10V		RDS(ON) (mΩ) VGS=4.5V		RDS(ON) (mΩ) VGS=2.5V		VGS(th) (V)		Package
						Typ.	Max.	Typ.	Max.	Typ.	Max.	Min.	Max.
MDDG10R08P	N	100	70	±20	N	7	8	8	10	一	一	1	2.5	TO-220C-3L
MDDG10R08G	N	100	70	±20	N	7	8	8	10	一	一	1	2.5	PDFN5*6-8L
MDDG10R08D	N	100	70	±20	N	7	8	8	10	一	一	1	2.5	TO-252
MDDG10R20D	N	100	30	±20	N	13.8	20	17.4	26	一	一	1.4	2.5	TO-252
MDDG10R04P	N	100	130	±20	N	3.2	4.4	一	一	一	一	2	4	TO-220C-3L

除了MDDG10xx系列，MDD還新推出一系列低壓大電流系列MOS針對不同的應用場景，提供多封裝如Toll、PDFN3*3、PDFN5*6、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26、SOT-23等，以滿足各行業匹配需求。