近日消息，三星正積極從ASML引進更多高數值孔徑EUV光刻機，并計劃將其融入本地生產體系。盡管這些設備價格高昂，但三星此舉意在為公司帶來關鍵優勢，尤其是加速2nm GAA晶圓的生產進程。

2025年初，三星引進了首臺ASML的High-NAEUV光刻機（如EXE:5000）。該設備價值約5000億韓元（約24.88億元人民幣），并計劃將其用于2nm及以下制程的制造。該設備的數值孔徑提升至0.55，能夠實現更窄的電路線寬，從而降低功耗并提升芯片性能，是實現2nm及以下制程的關鍵設備。

不過，由于ASML的高數值孔徑EUV光刻機成本高昂，即使臺積電也不確定是否要升級采用這類設備，畢竟其現有設備有能力過渡到1.4納米制程。

然而，有外媒報道稱，三星斥巨資購置這些設備的目的是為了在2納米GAA制程中占據優勢。幾個月前，這家韓國巨頭在Exynos2600芯片的測試中，上述光刻技術的良率達到了30%。

臺積電作為全球晶圓代工市場的領導者，在先進制程工藝方面一直保持著領先地位。此前，在3納米芯片工藝上，三星全面落后于臺積電，無論是芯片良率，還是客戶導入上。

目前，臺積電在2納米節點首次采用全環繞柵極（GAA）納米片晶體管技術，徹底告別了FinFET時代，在同等功耗下性能提升10~15%，或在同頻下功耗下降25~30%，晶體管密度再增15%。這是全球首次把GAAFET推進到量產級別，技術難度與資本開支均以“百億美元”為單位。

據悉，臺積電2納米制程芯片的初始月產能將集中在臺灣新竹寶山與高雄兩座工廠，2025年底月產能可達到4.5萬~5萬片左右，并計劃在2026年將月產能提升到10萬片以上。

與此同時，臺積電擁有眾多高端客戶，包括蘋果、高通、AMD等。這些客戶對先進制程芯片的需求旺盛，為臺積電提供了穩定的訂單來源。三星雖然也擁有一些高端客戶，但在客戶基礎方面遠不如臺積電。

值得一提的是，今年7月，三星電子與特斯拉達成165億美元芯片制造協議，將采用2納米芯片工藝生產特斯拉下一代核心芯片“AI6”，為三星2納米芯片產能擴張給予了客戶支持。

此外，三星已確認Exynos 2600將是該公司首款2nm GAA芯片組，而且最近又有報道稱這款旗艦級SoC已開始量產。這是否意味著三星2nm GAA芯片工藝良率在近期又得到大幅提升？

根據一些行業經驗，即使三星在財務上允許，但其2納米芯片工藝良率至少需要達到70%，才能具備規模化量產的經濟效益。

而如今，三星希望利用高數值孔徑EUV光刻機在2納米上扳回一局，特別是采購更多相關設備，就是希望最大限度地減少損失、提高良率，以便能夠大規模生產自有芯片，同時向業界證明其在芯片領域的領先地位能夠與臺積電相媲美。