三星電子正加緊恢復位于韓國京畿道的平澤第五工廠（P5）的建設，旨在確保下一代高帶寬存儲器（HBM）的搶先產能。

據報道，三星電子平澤園區第五工廠的工人們正忙著搬運鋼結構并接受安全培訓，這表明全面開工的準備工作正在緊鑼密鼓地進行。該公司計劃最早于10月破土動工，恢復投資。三星電子最初計劃去年開工建設第五工廠，但由于半導體市場狀況惡化而推遲了建設。

三星電子通過P5工廠的奠基，旨在擴大HBM的供應。HBM是一種高性能內存，通過垂直堆疊多個DRAM，顯著提升數據處理速度。目前市場領先的是第五代產品HBM3E，廣泛應用于英偉達的Blackwell芯片中。據悉，三星電子有望在本月通過英偉達的HBM3E資格認證測試。

在向英偉達大規模供應HBM3E后，三星電子計劃在第六代HBM4市場上占據優勢。HBM4將搭載于英偉達下一代AI加速器圖形處理單元（GPU） Rubin上。盡管三星的HBM開發速度較競爭對手SK海力士落后約三個月，但公司計劃通過加強生產能力迅速迎頭趕上。

英偉達預計將于明年第一季度完成HBM4質量驗證，并最終確定其將于下半年發布的下一代AI GPU Rubin系列的HBM4供應商和數量。

為提前向英偉達供應HBM4，三星電子計劃將10nm級第六代（1c）DRAM工藝引入平澤P4工廠的空余生產線。這一戰略舉措旨在利用業界最先進的工藝大規模生產用于HBM4的DRAM。三星電子已完成HBM4的內部量產審批，并準備進行樣品生產，以便與客戶進行供應討論。

半導體行業相關人士表示，“預計明年起存儲器市場將逐步復蘇，HBM需求將進一步增加”，并補充道，“這被解讀為三星為不錯過機遇而提前確保產能的策略”。

KB證券研究員Kim Dong-won分析稱，“三星電子將通過明年第一季度平澤園區的新擴建，擴大2026年在HBM市場的份額”，“很有可能從第四季度開始進行HBM4的初期生產”。（校對/趙月）