俄羅斯科學院微結構物理研究所制定了國產極紫外（EUV）光刻設備的長期發展路線圖，該設備工作波長為11.2nm。新項目從2026年開始，采用40nm制造技術，并延伸至2037年，涵蓋10nm以下制造工藝。

最引人注目的是，擬議的EUV系統避免復制ASML設備的架構。相反，他們計劃采用一套完全不同的技術：混合固態激光器、氙氣等離子體光源，以及由釕和鈹（Ru/Be）制成的反射鏡，這些反射鏡可反射11.2nm波長的光。ASML的EUV設備選擇使用氙氣而非錫液滴，可以消除損壞光掩模的碎屑，從而大幅減少維護工作。同時，與ASML的DUV設備相比，更低的復雜性意味著可以避免在先進節點中使用高壓浸沒液和多重圖案化步驟。

該路線圖包括三個主要階段。

第一階段（2026-2028年）計劃推出一款40nm工藝能力的光刻機，配備雙鏡物鏡，10nm套刻精度，曝光場高達3 x 3 mm，吞吐量超過每小時五片晶圓。

第二階段（2029-2032年）將引入一款28nm（未來有望實現14nm）的掃描儀，采用四鏡光學系統，提供5nm套刻精度，26 x 0.5 mm的曝光場，以及超過每小時50片晶圓的輸出。

第三階段（2033-2036年）瞄準10nm以下制程生產，配備六鏡配置，2nm套刻對齊，曝光場尺寸高達26 x 2 mm，設計吞吐量超過每小時100片晶圓。

在分辨率方面，這些工具預計將支持從65nm到9nm的范圍，滿足2025年至2027年許多當前和未來關鍵層的要求。每一代都提高了光學精度和掃描效率，同時與ASML的Twinscan NXE和EXE平臺相比，大概能保持顯著較低的單位成本結構。

值得注意的是，開發者聲稱使用EUV技術在落后節點上帶來了一些意想不到的好處。然而，他們并未提及使用11.2nm波長激光所帶來的復雜性（如不同類型的鏡片、不同的拋光工具、不同的光學器件、不同的光源、不同的電源單元、光刻膠等），這是一個非行業標準的EUV光刻波長。

總體而言，這份路線圖或許勾勒出了俄羅斯通過規避傳統EUV限制實現芯片生產自給自足的計劃。然而，該計劃的可執行性尚不明確，因為它是否會超越整個行業，這一點還有待證實。