基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on) x Qrr)。

Nexperia產品經理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產能，包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產設備，這對買方來講一個好消息。新型MOSFET的性能也令設計人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開關應用，也可以替代其他供應商的產品。”

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on)，前一代100 V器件為7 m?，而新器件只有4.3 m?，效率大大提高。對于100 V器件，NextPower技術還提供44 nC的極低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干擾。總體而言，100 V器件的Qrr品質因數平均比競爭對手同類產品低61%。

新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術封裝。器件廣泛適用于開關應用，包括AC/DC、DC/DC和電機控制等。