不用散熱器的MOS管HKTQ50N03?低壓大電流的秘訣
關鍵詞: HKTQ50N03 MOS管 無散熱設計 低壓大電流 合科泰
引言
在低壓大電流設計的時候,想要省成本、縮體積,所以想省個散熱器,但是又怕過熱炸管子;大封裝倒是散熱好了,結果又占了半塊PCB板。兩難抉擇下,怎么選擇MOS都是坑。今天就給大家扒一款無散熱器也能裸奔的MOS管HKTQ50N03,解決兩難痛點!
HKTQ50N03無散熱設計的三個核心優勢
1.超低內阻:HKTQ50N03的導通電阻低至1.8mΩ(@10V),比行業同類產品低15%,MOS管發熱的本質是電路導通損耗,在50A電流下計算導通損耗I2R=4.5W,比競品少的1W意味著溫升直降10-15℃,代表使用這款MOS管不用散熱器也能抗住。
2.超低熱阻:HKTQ50N03通過優化封裝工藝,讓銅框架與芯片用銀漿貼合,使得熱阻降低到45℃/W。越低的內阻代表著越快的散熱,而很多時候之所以熱量散不出去、結溫飆升,就是因為熱阻太高。而45℃/W的熱阻意味著每瓦功耗下,溫升才45℃!
3.高冗余結溫:HKTQ50N03的結溫上限175℃,這個數字比行業標準150℃還高25℃。在車載、工業設備等環境的60℃高溫下,結溫能控制在78℃,遠低于這款MOS管的極限值,長期下來運行更穩定、更持久!
無散熱器抗55A實驗驗證
通過四管并聯的場景測試損耗、計算溫升、測試結溫安全值,我們發現只要普通面積大于十平方厘米,并且打三到五個連到內層地銅箔的導熱過孔,滿足這兩個條件就能在沒有散熱器的情況下抗住55A的短時脈沖電流。測試結果如下:
總損耗:四管均流,單管損耗僅0.405W;
溫升計算:0.405W×45℃/W≈18℃(單管);
結溫安全值:環境溫度60℃+18℃=78℃?175℃極限。

結語
HKTQ50N03的“低損耗+高導熱”特性,完美匹配低壓大電流場景。合科泰專注低壓大電流MOS管研發,用技術解決工程師的“設計痛點”,讓每一次選型都更安心。
公司介紹
合科泰成立于1992年,是一家集研發、設計、生產、銷售一體化的專業元器件高新技術及專精特新企業。專注提供高性價比的元器件供應與定制服務,滿足企業研發需求。
產品供應品類:覆蓋半導體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、穩壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件,電源管理IC及其他,一站式配齊研發與生產所需。
兩大智能生產制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡)配備共3000多臺先進設備及檢測儀器;2024年新增3家半導體材料子公司,從源頭把控產能與交付效率。
提供封裝測試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產,配合100多項專利技術與ISO9001、IATF16949認證體系,讓“品質優先”貫穿從研發到交付的每一環。
合科泰在始終以“客戶至上、創新驅動”為核心,為企業提供穩定可靠的元件。
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