2025年上半年，在全球能源變革與人工智能浪潮的雙重推動(dòng)下，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。A股各SiC概念股企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品迭代和市場(chǎng)開拓三個(gè)維度均取得顯著進(jìn)展，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì)。

技術(shù)創(chuàng)新：從材料突破到工藝革新

襯底技術(shù)領(lǐng)先者天岳先進(jìn)在材料端實(shí)現(xiàn)重大突破，推出業(yè)內(nèi)首款12英寸碳化硅襯底，標(biāo)志著中國(guó)在半導(dǎo)體關(guān)鍵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破。公司采用液相法制備無(wú)宏觀缺陷的8英寸碳化硅襯底，克服了高質(zhì)量生長(zhǎng)界面控制和缺陷控制難題，并率先交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底。

三安光電在產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合方面表現(xiàn)突出，完成了650V-2000V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品布局，8英寸碳化硅襯底與外延已實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。公司與意法半導(dǎo)體合資的重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目已于2025年2月實(shí)現(xiàn)通線，目前芯片產(chǎn)品已交付意法半導(dǎo)體進(jìn)入可靠性驗(yàn)證階段。

斯達(dá)半導(dǎo)自建的6英寸SiC芯片產(chǎn)線隨著量產(chǎn)車型迅速爬坡，芯片和模塊良率均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。公司推出了第二代SiC MOSFET芯片，覆蓋750V、1200V、1400V、1500V等多個(gè)電壓等級(jí)，并開發(fā)了適用于光儲(chǔ)行業(yè)的1400V第二代SiC MOSFET芯片平臺(tái)，大幅提高了芯片出流能力。

士蘭微電子在芯片技術(shù)方面持續(xù)迭代，已完成第Ⅳ代SiC芯片研發(fā)并送樣客戶評(píng)測(cè)。公司積極推進(jìn)"士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線"項(xiàng)目建設(shè)，目前已形成月產(chǎn)10,000片6英寸SiC-MOSFET芯片的生產(chǎn)能力。

芯聯(lián)集成作為代工企業(yè)代表，其國(guó)內(nèi)首條8英寸SiC產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)批量量產(chǎn)，關(guān)鍵性能指標(biāo)業(yè)界領(lǐng)先。公司開發(fā)了650V到3300V系列的全面SiC工藝平臺(tái)布局，掌握了核心先進(jìn)制造工藝。

產(chǎn)品迭代：從實(shí)驗(yàn)室走向規(guī)模化應(yīng)用

各企業(yè)在產(chǎn)品矩陣完善和量產(chǎn)能力方面取得顯著進(jìn)展。天岳先進(jìn)已形成6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣，包括12英寸高純半絕緣型、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底，量產(chǎn)8英寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品質(zhì)量和批量供應(yīng)能力領(lǐng)先。

聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體推出了1200V車規(guī)級(jí)SiC MOSFET，具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性，同時(shí)推出了1200V、20A碳化硅肖特基二極管，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中對(duì)超低功耗整流器的需求而設(shè)計(jì)。

揚(yáng)杰科技投資的SiC芯片工廠通過(guò)IDM技術(shù)實(shí)現(xiàn)650V/1200V/1700V的SiC MOS產(chǎn)品從第二代升級(jí)到第三代，所有SiC MOS型號(hào)實(shí)現(xiàn)覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-500mΩ，其中第三代SiC MOS平臺(tái)的比導(dǎo)通電阻（RSP）已做到3.33mΩ.cm2以下，F(xiàn)OM值達(dá)到3060mΩ.nC以下，可對(duì)標(biāo)國(guó)際水平。

華潤(rùn)微在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品方面，整體產(chǎn)銷規(guī)模保持高增長(zhǎng)，目前SiC JBS G3和SiC MOS G2均已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn)，產(chǎn)品覆蓋主流系列，整體產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

A股SiC概念股2025H1產(chǎn)品、技術(shù)、市場(chǎng)新進(jìn)展

市場(chǎng)開拓：從新能源汽車到新興應(yīng)用全面開花

新能源汽車仍是SiC器件最主要的應(yīng)用市場(chǎng)。斯達(dá)半導(dǎo)的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊在2025年上半年新增多個(gè)量產(chǎn)車型，在國(guó)內(nèi)外多個(gè)品牌大批量配套上車。公司車規(guī)級(jí)IGBT和SiC模塊在歐洲一線品牌Tier 1持續(xù)大批量交付，并持續(xù)新增多個(gè)IGBT和SiC MOSFET主電機(jī)控制器項(xiàng)目平臺(tái)定點(diǎn)。車規(guī)級(jí)IGBT和SiC MOSFET模塊同時(shí)獲得多個(gè)低空飛行器項(xiàng)目定點(diǎn)，并且多個(gè)項(xiàng)目開始批量裝機(jī)。

三安光電的車載充電機(jī)、空調(diào)壓縮機(jī)用SiC MOSFET已在十余家Tier 1或整車廠客戶處送樣驗(yàn)證或?qū)崿F(xiàn)小批量出貨，主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET持續(xù)推進(jìn)在國(guó)內(nèi)頭部電動(dòng)車企客戶處的技術(shù)迭代，并同步導(dǎo)入多家海外Tier 1客戶驗(yàn)證。

光伏儲(chǔ)能市場(chǎng)在經(jīng)歷調(diào)整后需求回暖。揚(yáng)杰科技等多家企業(yè)在碳化硅尤其是SiC MOS市場(chǎng)份額持續(xù)增加，光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域是重要出貨領(lǐng)域。

新興應(yīng)用領(lǐng)域成為增長(zhǎng)新引擎。天岳先進(jìn)開拓光學(xué)領(lǐng)域，與舜宇?yuàn)W來(lái)微納光學(xué)（上海）有限公司達(dá)成戰(zhàn)略合作，開啟了微納米光學(xué)領(lǐng)域和新材料領(lǐng)域兩家龍頭企業(yè)合作新篇章。三安光電的碳化硅光學(xué)襯底產(chǎn)品已向AI/AR眼鏡領(lǐng)域的多家客戶小批量交付，面型參數(shù)已處于國(guó)際前列。

三安光電碳化硅相關(guān)產(chǎn)品同時(shí)在數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源領(lǐng)域，已向長(zhǎng)城、維諦技術(shù)、偉創(chuàng)力、臺(tái)達(dá)、光寶等頭部客戶實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在白色家電領(lǐng)域，已向格力、美的、TCL、小米實(shí)現(xiàn)批量供貨，海信、海爾、奧克斯處于送樣驗(yàn)證階段；低空飛行器領(lǐng)域，已完成與小鵬、億航等客戶的對(duì)接工作，將啟動(dòng)評(píng)估送樣工作。

分析發(fā)現(xiàn)，SiC器件的應(yīng)用領(lǐng)域正加速由新能源汽車向智能駕駛、低空經(jīng)濟(jì)、數(shù)據(jù)中心、充電樁、光儲(chǔ)逆變、工業(yè)電源、AI算力、消費(fèi)電子等新興領(lǐng)域拓展。

值得注意的是，本土企業(yè)也在加速承接國(guó)際市場(chǎng)需求，特別是Wolfspeed破產(chǎn)事件，本土企業(yè)成為直接受益者群體，天岳先進(jìn)等多家A股公司更是加速港股IPO，期望借助國(guó)際資本開拓海外市場(chǎng)。

展望未來(lái)

隨著全球碳化硅產(chǎn)業(yè)進(jìn)入深度變革與戰(zhàn)略重組的關(guān)鍵階段，中國(guó)企業(yè)正從"跟隨者"向"引領(lǐng)者"轉(zhuǎn)變。從天岳先進(jìn)的12英寸襯底到三安光電的8英寸全線布局，從斯達(dá)半導(dǎo)的車規(guī)模塊大規(guī)模上車到芯聯(lián)接集的代工平臺(tái)突破，中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已形成從材料、芯片到模組的完整布局，在全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中逐步嶄露頭角。

未來(lái)，隨著新能源汽車滲透率持續(xù)提升、AI算力需求爆發(fā)以及能源轉(zhuǎn)型加速，碳化硅產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)更廣闊的發(fā)展空間。中國(guó)企業(yè)憑借持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新、快速的產(chǎn)品迭代和靈活的市場(chǎng)策略，有望在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中占據(jù)更加重要的位置。

（校對(duì)/鄧秋賢）