近日，半導(dǎo)體業(yè)界普遍預(yù)測，由人工智能（AI）引發(fā)的內(nèi)存半導(dǎo)體超級周期將比以往任何一次繁榮期更為持久和強勁。隨著AI服務(wù)器的新增投資、普通服務(wù)器內(nèi)存的替換需求以及設(shè)備端AI（在設(shè)備上自主運行的AI）設(shè)備的增長，市場預(yù)計將面臨長達3至4年的“供應(yīng)短缺”局面。

據(jù)半導(dǎo)體業(yè)界消息，三星電子、SK海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商正計劃在今年第四季度將DRAM和NAND供應(yīng)價格上調(diào)最高30%，并向客戶提出這一方案。全球投資銀行如花旗、摩根士坦利等在最近的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析報告中，將第四季度DRAM平均銷售價格（ASP）預(yù)測的上漲幅度上調(diào)了10個百分點以上，預(yù)計最高可達25%至26%，進一步加劇了價格上升的預(yù)期。

支撐這一超級繁榮論的基礎(chǔ)是“AI內(nèi)存需求增加”。谷歌、微軟、亞馬遜、Meta、OpenAI等大型科技公司紛紛投入數(shù)十至數(shù)百億規(guī)模的AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)，導(dǎo)致對AI服務(wù)器專用的大容量、高性能DRAM——高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求激增。半導(dǎo)體業(yè)界預(yù)計，到2030年，HBM市場規(guī)模將達到今年的三倍，達到1000億美元。

此外，HBM的盈利能力也相當(dāng)可觀。預(yù)計明年開始大規(guī)模供貨的HBM4（第六代HBM）12層產(chǎn)品，單價高達500美元，比HBM3E（第五代HBM）12層產(chǎn)品（約300美元）高出60%以上。美光科技的首席業(yè)務(wù)官Sumit Sadana在最近的一次采訪中表示：“HBM所需的晶圓（半導(dǎo)體基板）容量是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍以上。”他還指出，“由于工廠擴建需要時間，極端的供應(yīng)短缺情況將在明年進一步加劇。”（校對/趙月）