三星電子破例向下一代高帶寬存儲器（HBM）研發的關鍵人員授予庫存股績效獎金。這是對他們為HBM4（第六代HBM）核心芯片——10nm第六代DRAM（1c DRAM）的研發所做貢獻的特別獎勵。業內人士表示，在重建這家存儲巨頭的關鍵時刻取得的顯著成果促使公司立即給予獎勵。

三星電子宣布，將向30名高管和員工授予4790股普通股，作為研發項目目標達成的獎勵。根據授予日（10月31日）三星電子的收盤價計算，授予他們的庫存股總價值為5.1492億韓元（約合人民幣253萬元）。授予的股份數量根據員工的績效而有所不同。

三星電子向特定研發團隊授予庫存股實屬罕見。此舉被視為對該研發團隊的獎勵，感謝他們提升了應用于HBM4的第六代DRAM的性能和質量。HBM采用垂直堆疊DRAM技術制造。第六代DRAM是決定HBM4性能的核心組件。2024年5月上任的設備解決方案（DS）事業部總裁（副董事長）全永鉉（Jun Young-hyun）將向英偉達供應HBM4列為首要任務，并下令重新設計第六代DRAM。該DRAM于2025年7月通過了三星內部性能測試（PRA），目前已作為HBM4樣品提供給英偉達。

據報道，與上一代HBM3E不同，英偉達對HBM4的評價積極。英偉達表示，“三星電子是英偉達HBM3E和HBM4供應鏈的關鍵合作伙伴。”三星電子通過搶先推出第六代DRAM，實現了業界最高的11Gbps數據傳輸速度。

三星電子正在加速向第六代DRAM過渡，以重奪HBM市場的主導地位。三星電子存儲器事業部副總裁Kim Jae-june在第三季度財報會議上重申了HBM4量產的承諾，并表示：“我們將積極進行必要的投資，以擴大第六代DRAM的產能。”（校對/趙月）