如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關(guān)電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。

Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結(jié)構(gòu)。此外，電力電子系統(tǒng)的尺寸和重量因變壓器而變得臃腫，只有通過提高開關(guān)頻率才能減小尺寸。

新推出的碳化硅系列產(chǎn)品使工程師能夠舍棄IGBT，轉(zhuǎn)而使用零件數(shù)量更少、效率更高、控制方案更簡單的兩級拓撲結(jié)構(gòu)。在沒有開關(guān)限制的情況下，功率轉(zhuǎn)換單元的尺寸和重量可以大大減少，從而騰出空間來建立更多充電站，提供更多空間搭載付費乘客和貨物，或者延長重型車輛、電動巴士和其他電池驅(qū)動商業(yè)車輛的續(xù)航能力和運行時間，所有這些都可以降低整體系統(tǒng)成本。

Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務部副總裁Leon Gross表示：“交通運輸領(lǐng)域的系統(tǒng)開發(fā)人員不斷被要求在無法變大的車輛中容納更多的人和貨物。幫助實現(xiàn)這一目標的最佳方式之一，是通過利用高壓碳化硅功率器件，大幅降低電源轉(zhuǎn)換設備的尺寸和重量。在交通運輸行業(yè)的應用也可為許多其他行業(yè)應用帶來類似的好處。”

新產(chǎn)品特點包括柵極氧化物穩(wěn)定性，Microchip在重復非鉗位感應開關(guān)（R-UIS）測試中觀察到，即使延長到10萬個脈沖之后，閾值電壓也沒有發(fā)生漂移。R-UIS測試還顯示了出色的雪崩耐固性和參數(shù)穩(wěn)定性，以及柵極氧化物的穩(wěn)定性，實現(xiàn)了在系統(tǒng)使用壽命內(nèi)的可靠運行。抗退化體二極管利用碳化硅MOSFET可以消除對外部二極管的需要。與IGBT相當?shù)亩搪纺褪苣芰山?jīng)受有害的電瞬變。在結(jié)溫0至175攝氏度范圍內(nèi)，相比對溫度更敏感的碳化硅MOSFET，較平坦的RDS（on）曲線使電力系統(tǒng)能夠更穩(wěn)定地運行。

Microchip通過AgileSwitch數(shù)字可編程門驅(qū)動器系列和各種分立和功率模塊，以標準和可定制的形式簡化了技術(shù)的采用。這些柵極驅(qū)動器有助于加快碳化硅從實驗到生產(chǎn)的開發(fā)速度。

Microchip的其他碳化硅產(chǎn)品包括700V和1200V的MOSFET和肖特基勢壘二極管系列，提供裸片和各種分立和功率模塊封裝。Microchip將內(nèi)部碳化硅裸片生產(chǎn)與低電感功率封裝和數(shù)字可編程門驅(qū)動器相結(jié)合，使設計人員能夠制造出最高效、緊湊和可靠的最終產(chǎn)品。

Microchip整體系統(tǒng)解決方案還包括單片機（MCU）、模擬和MCU外設以及通信、無線和安全技術(shù)產(chǎn)品。