眾所周知,在芯片制造中,有一種設備特別重要,那就是光刻機,這臺設備占所有制造設備成本的20%以上,而在制造過程中,光刻工藝所需時間占所有工藝的30%以上。

光刻機又分為DUV光刻機和EUV光刻機,DUV光刻機一般用于10nm及以上制造的芯片,EUV光刻機,則用于7nm及以下的芯片。

目前全球最牛的光刻機巨頭是ASML,EUV光刻機也只有ASML能夠生產,所以如果想生產7nm及以下的芯片,就必須買到ASML的EUV光刻機,但目前中國大陸的企業(yè)買不到它。

像梁孟松去年就提到,中芯國際的7nm已開發(fā)完成,只等EUV光刻機的到來,就可以進入風險量產階段,意思就是沒有EUV光刻機,就進入不了風險量產階段。

也正因為如此,所以很多人就一直在說,如果國內能夠生產EUV光刻機就好了,那么進入7nm,甚至5nm,3nm就不是問題了。

但事實上,有了EUV光刻機,我們就一定能夠進入7nm、5nm、3nm么?真沒這么容易,光刻機只是必要條件之一,但卻不是充分條件,這個大家不要搞反了。

如上圖,在芯片制造中,從成本來看,4種設備占比最高,分別是光刻、刻蝕、薄膜沉積和過程檢測,大約占所有設備成本的74%左右,其中光刻占比約為21%、薄膜沉積類約為22%、刻蝕為20%、過程檢測約為11%。

但這4類設備的國產化率是多少?光刻機低于1%,過程檢測設備大約在2%,而刻蝕類大約在7%,薄膜沉積類大約在8%。

而除了芯片制造設備之外,還有很多材料,也得依賴進口,目前國產的最多也就在14nm左右,有些甚至100%靠進口,比如EUV光刻膠,100%要從日本進口。

而除了設備、材料外,還有芯片制造的技術。并不是有了設備、材料,光刻機這些就一定能夠進入到7nm、5nm的,要真這么容易,格芯、聯電這些早就進入了7nm、5nm了,他們可是什么都不缺,也不會被卡脖子的,EUV光刻機有,各種材料也有。

可見,EUV光刻機是解決不了我們的“心慌”問題的,在芯片領域,我們要補的課其實還有很多,芯片制造水平的高低,最終取決于最短那塊短板,而我們的短板不只是EUV光刻機這一塊,而是很多快,真要解決心慌,需要產業(yè)鏈的整體合作前進。