據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，中國臺灣省 RF 和 PA 設備制造商希望聯(lián)發(fā)科能夠引領供應鏈，以應對高通在開拓毫米波 5G 市場方面的競爭。

Digitimes 報道指出，消息人士稱，高通目前主要使用硅基 CMOS 在 12 英寸晶圓廠生產(chǎn)毫米波 5G PA 產(chǎn)品，并提供全面的 5G 核心芯片和多種芯片解決方案。但高通向網(wǎng)絡供應鏈供應商收取特許權(quán)使用費，使得他們的生產(chǎn)成本保持在相對較高的水平。

“因此，尋求進入毫米波 5G 市場的中國臺灣化合物半導體制造商預計聯(lián)發(fā)科將推出更多具有高性價比的芯片產(chǎn)品，用于小基站和 CPE 設備。”消息人士說道。

消息人士指出，第二代半導體 GaAs 和 InP 或第三代 GaN-on-SiC 制作的毫米波 5G PA 優(yōu)于硅基 CMOS 制作的產(chǎn)品，并且可以集成到用于移動設備和 5G 小電池的射頻模塊中。

事實上，鑒于聯(lián)發(fā)科子公司 Vanchip Technologies 在 4G PA 和 Wi-Fi 5/6 PA 領域表現(xiàn)良好，聯(lián)發(fā)科也在積極擴大其在 5G PA 市場的影響力。消息人士稱，聯(lián)發(fā)科此舉與當?shù)鼗衔锇雽w制造商的預期不謀而合，該公司可以利用其在 5G 核心芯片解決方案方面的實力，幫助他們進軍毫米波 5G 市場。

另外，消息人士指出，聯(lián)發(fā)科正與 GaAs 代工廠穩(wěn)懋保持密切合作，為手機、CPE 設備和基站相關應用開發(fā)和生產(chǎn)芯片解決方案。