今日，三星宣布已開始量產基于極紫外光（EUV）技術的14納米（nm）DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數增加至5層，為其DDR5解決方案提供當下更為優質、先進的DRAM工藝。

三星首款14納米DRAM

 

三星首款14納米DRAM

“通過開拓關鍵的圖案（key patterning）技術，三星活躍全球DRAM市場近三十年。”三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術主管Jooyoung Lee表示，“如今，三星正通過多層EUV技術，樹立了一座新的技術里程碑，實現了更加微型化的14納米工藝，而這也是傳統氟化氬（ArF）工藝無法做到的。在此基礎上，三星將繼續提供極具差異化的內存解決方案，充分滿足5G、人工智能和元宇宙等數據驅動的時代對更高性能和更大容量的需求。”

隨著DRAM工藝不斷縮小至10納米范圍，EUV技術變得越來越重要，因為它能提升圖案準確性，從而獲得更高性能和更大產量。通過在14納米DRAM中應用5個EUV層，三星實現了自身最高的單位容量，同時，整體晶圓生產率提升了約20%。此外，與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝可幫助降低近20%的功耗。

根據最新DDR5標準，三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前產品所未有的速度：高達7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星計劃擴展其14納米DDR5產品組合，以支持數據中心、超級計算機和企業服務器應用。另外，三星預計將其14納米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好滿足全球IT系統快速增長的數據需求。