10月12日消息，據外媒報道，全球最大存儲芯片制造商三星電子周二宣布，該公司開始使用極紫外光刻（EUV）技術批量生產業界最小的14納米DRAM芯片，這有助于其鞏固在存儲行業的領導地位。

繼去年3月出貨業界首款EUV DRAM之后，三星電子已將EUV層的數量增加到5層，為其DDR5解決方案提供當今最精細、最先進的DRAM生產工藝。

DDR5是下一代DRAM標準，與DDR4相比，它具有速度快、密度高、功耗低的特點。它還針對大數據、人工智能（AI）和機器學習等數據密集型應用進行了優化。

三星電子表示，EUV技術減少了多圖案繪制中的重復步驟，提高了圖案繪制的準確性，從而實現了更好的性能和更高的產量，并縮短了開發時間。

三星電子還稱，即將開始量產DDR5，并預計最新的工藝將使生產率提高20%，能耗降低近20%。利用最新的DDR5標準，三星14納米DRAM將幫助解鎖前所未有的高達7.2Gbps的速度，這是DDR4速度的2倍多。

三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Lee Joo-Young稱：“通過專注關鍵的圖形技術創新，我們已經引領了DRAM市場近30年。今天，三星用多層EUV實現了另一個技術里程碑，這是傳統的氟化氬(ARF)工藝所不可能實現的壯舉。”

他補充說：“在這一進步的基礎上，我們將繼續提供差異化程度最高的內存解決方案，充分滿足5G、AI和元宇宙等數據驅動型領域對更高性能和容量的需求。