英特爾最近幾年可謂是流年不利，先是芯片被 AMD 反超，后又被蘋果放棄，失去了 MacBook Air 與 MacBook Pro 的訂單。在遍地“AMD，yes”“M1，yes”的呼聲中，英特爾已然成為背景板。

“英特爾，你的 14nm 制程出到幾代了？”“英特爾的牙膏擠不出來了”，在連續五年使用 14nm 制程之后，打磨廠、牙膏廠幾乎成了英特爾的代名詞，網上處處都是譏諷英特爾的段子。

然而，作為老牌半導體巨頭，英特爾真的日落西山了嗎？答案自然是否定的。上周，英特爾正式公布第 12 代酷睿，強大的性能不僅讓 AMD 退避三舍，也讓蘋果新發布的 M1 Pro、M1 Max 失去其傳奇色彩。英特爾似乎在用 12 代酷睿向世人宣布，那個強大的半導體巨人回來了。

英特爾落后，非戰之罪

攢過機的小伙伴應該清楚，七八年前的英特爾就是個無敵的存在，那時候蘋果還未進入電腦 CPU 領域，AMD 根本沒有一戰之力。

站在 CPU 性能之巔，英特爾感到孤獨而寂寞。于是，英特爾開始玩花活，鉆研起制程工藝了。在芯片制造過程中，后道工藝中的第一層金屬被稱為 M0，也叫關鍵金屬層。英特爾在完成 14nm 制程研發之后，決定在 10nm 制程中采用激進方案， M0 與 M1 兩道金屬層都采用了四重曝光技術。

四重曝光技術整合難度非常大，因為要通過接觸孔（Contact）與柵極（MG）或有源區（OD）進行連接，涉及前道工藝和后道工藝的接口，整合難度極高，良品率非常低。而英特爾在開始 10nm 研發的時代，EUV 光刻機并沒有誕生，只好硬著頭皮公關。可惜，這一干就是好幾年，10nm 工藝難產了。

10nm 工藝出不來怎么辦，英特爾只好不斷打磨優化 14nm 工藝，于是采用了 14nm＋＋＋＋＋ 這樣的超級魔改制程。

在英特爾苦于 M0 金屬層四重曝光之際，臺積電與三星迅速趕上并反超。臺積電的 7nm（相當于英特爾 10nm） M0 與三星 7nm 的 M1 都是用 EUV 一次曝光完成，直到第四層金屬，才使用四重曝光技術。

簡而言之，三星與臺積電跳過了 M0 層四重曝光這一技術難點，通過減少最小金屬中心距與 EUV 光刻機成功避開，從而實現彎道超越。

英特爾之前一段時間的落后局面，并非研發人員工作不利，而是選錯了方向，白白浪費了數年光陰。10nm 工藝攻克之后，英特爾立即吹響反攻號角。11 代酷睿采用 10nm Tiger Lake 工藝，開始縮小與 AMD 的差距，12 代酷睿采用英特爾 7 Alder Lake 工藝，全面超越 AMD 產品，并且在移動端反超蘋果。

12 代酷睿，牙膏擠爆了

12 代酷睿，英特爾首次采用大小核設計，核心 IPC 提升 19％，加上小核對于多核性能的提升，實際性能提升幅度還會更大。技術標準上，12 代酷睿還支持 PCIE5．0 和 DDR5 內存，內存速度也有了質的提升。消費者選購 12 代酷睿作為 CPU，別的不敢說，性能絕對拉滿。

多核性能上，i9－12900K R23 跑分高達 29785，而 AMD R9 5950X 才 28641。在桌面頂級 CPU 比拼中，英特爾成功勝出。

至于蘋果“霸氣不封頂”的 M1 Max 芯片，R23 多核跑分才 12402，還不及 i9－12900K 一半。當然， M1 Max 屬于移動端筆記本芯片，i9－12900K 屬于桌面級芯片，兩者對比性能并不合適。

那么來看移動端芯片 i9－11950H，作為英特爾 10nm Tiger Lake 工藝下的產物，R23 多核跑分高達 12836，不僅高于 AMD 同級別芯片，也高于蘋果被吹上天的芯片 M1 Max。11 代酷睿已經如此威猛，12 代酷睿提升了 IPC 與大小核設計，理論上至少比 11 代酷睿提高 19％。以此推算 12 代 i5 移動端芯片或許可以媲美 M1 Max，12 代 i7 移動端芯片應該穩贏 M1 Max。

當然，單純的跑分并不代表一切，蘋果真正強大的地方在于功耗與設計。M1 Max 是一塊 Soc 芯片，集成了 CPU、GPU、內存芯片等模塊，英特爾用頂級 CPU 芯片與 Soc 芯片對比，本身就不公平。此外，蘋果 M1 Max 采用 ARM 架構，功耗水平與英特爾完全不在一個層面上。

不管怎樣，英特爾 12 代酷睿提升還是非常巨大，雖然功耗更大，制程工藝也落后于蘋果代工廠臺積電，但是英特爾總算扳回一城，移動端 i5／i7 就可以與蘋果頂級處理器打得不相上下，移動端 i9 芯片性能更是遙遙領先。對于注重性能，不在乎便攜與功耗的小伙伴來說，英特爾已經贏了。