基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍。

Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列二極管可用于表面貼裝（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔式（TO-220-2、TO-247-2）器件。現已可提供工程樣品，并計劃于2022年第二季度發布完整產品。Nexperia計劃持續擴充SiC二極管產品組合，預計推出總共72款在650V和1200V電壓、6-20A電流范圍下工作的產品。

隨著人們的能源意識日漸增強，對于具備出色效率和功率密度的高功率應用的需求日益旺盛。而在這方面，硅將很快達到物理極限。Nexperia雙極性分立器件部門總經理Mark Roeloffzen表示：“諸如氮化鎵和碳化硅等寬禁帶半導體現在能夠很好地滿足大批量應用的嚴格要求，為原始設備制造商帶來更高的效率和功率密度，降低系統成本和運營成本。Nexperia廣泛的SiC二極管產品組合將為市場帶來更多選擇和便利性。”

Nexperia的SiC肖特基二極管的初始目標市場是工業和消費類應用，包括：

· 開關模式電源(SMPS)

· AC-DC和DC-DC轉換器

· 電池充電基礎設施

· 不間斷電源(UPS)

· 光伏逆變器

Nexperia還計劃發布車規級器件，用于車輛電氣化應用，如：

· 車載充電器(OBC)

· 逆變器

· 高電壓DC-DC轉換器