11月24日消息，業內消息人士稱，主要NAND芯片供應商在2021年第四季度增加了176層3D NAND芯片產量，這可能會在明年上半年帶來供應方面的變數。

據digitimes報道，消息人士指出，美光科技率先將其176層3D NAND閃存制造工藝轉向量產，SK海力士緊隨其后，在第四季開始量產。“三星電子也將通過其位于平澤的第三工廠 (P3) 安裝一條新的工藝生產線來提高176 層 3D NAND芯片的產量。當新產能上線時，三星每月將額外生產 40,000-50,000 片晶圓。”消息人士說道。

消息人士稱，明年手機和消費類固態硬盤將越來越多地采用176層3D NAND 閃存，到2022年底，整體NAND閃存供應的25%以上將是176層3D NAND 閃存芯片，高于2021年第四季度的近 5%。此外，自今年第四季度以來，電源管理IC和閃存設備控制器芯片的短缺狀況持續改善，鼓勵NAND閃存芯片制造商擴大產量。不過消息人士警告稱，2022 年上半年 NAND 閃存的供應可能會超過需求。