隨著新能源汽車(chē)、自動(dòng)駕駛、家電等領(lǐng)域需求的快速增長(zhǎng)，最為緊缺的28nm及以上成熟制程芯片的供應(yīng)似乎成為關(guān)注的焦點(diǎn)。

當(dāng)前的半導(dǎo)體先進(jìn)制程已經(jīng)演進(jìn)到5nm量產(chǎn)階段，但這并不代表成熟工藝已經(jīng)過(guò)時(shí)，相反，28nm成熟工藝依舊備受市場(chǎng)青睞。

28nm，走紅過(guò)，被冷落過(guò)

28nm是成熟工藝中的重要節(jié)點(diǎn)，區(qū)分了先進(jìn)制程與成熟制程。

由臺(tái)積電于2011年率先推出，此后，三星、格芯、中芯國(guó)際等大廠也接連宣布突破了28nm。

2013年是28nm制程的普及年，2015—2016年間，28nm工藝開(kāi)始大規(guī)模用于手機(jī)應(yīng)用處理器和基帶。

隨著技術(shù)的成熟，28nm工藝產(chǎn)品市場(chǎng)需求量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，并且這種高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)持續(xù)到2017年。

到了2018年，全球28nm呈現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩格局，臺(tái)積電、聯(lián)電等都面臨產(chǎn)能過(guò)剩的危機(jī)。

同時(shí)，隨著先進(jìn)制程的不斷突破，28nm對(duì)于晶圓代工廠來(lái)說(shuō)賺錢(qián)的價(jià)值也在下降。

再加上未來(lái)市場(chǎng)供需存在不確定性，擴(kuò)充成熟制程可能造成產(chǎn)能過(guò)剩。

這幾年，臺(tái)積電等廠商幾乎都把重點(diǎn)投向了先進(jìn)制程。

成熟制程28nm靠疫情再次出頭

在疫情帶來(lái)的消費(fèi)電子以及新能源汽車(chē)、5G、AIoT 等新應(yīng)用的快速興起，讓多年不再擴(kuò)產(chǎn)的成熟制程迎來(lái)了爆發(fā)式的需求增長(zhǎng)，供需嚴(yán)重失衡，持續(xù)沖擊著眾多的行業(yè)。

至此，臺(tái)積電再次扛起了28nm大旗，而聯(lián)電、格芯則憑借戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變的優(yōu)勢(shì)，在這個(gè)節(jié)點(diǎn)攻城拔寨，中芯國(guó)際也在鉆研多年后，迎來(lái)了28nm好時(shí)機(jī)。

28nm以上的成熟工藝芯片在則不同，這類(lèi)芯片應(yīng)用范圍非常廣，包括電源管理器、功率器件以及汽車(chē)等多個(gè)領(lǐng)域。

毫不客氣的說(shuō)，28nm以上的成熟工藝芯片在所有的芯片供應(yīng)中占比最高，也是需求量最大的芯片種類(lèi)，在此次全球缺芯環(huán)境下，成熟工藝存在巨大的缺口。

伴隨著物聯(lián)網(wǎng)建設(shè)的加速，大量的IoT設(shè)備將帶動(dòng)MCU以及射頻芯片的需求，而這些芯片大多都是采用成熟制程工藝，所以，28nm以上的成熟芯片的市場(chǎng)空間依舊很大。

根據(jù)IHS Markit預(yù)測(cè)，全球晶圓代工市場(chǎng)的規(guī)模將在2025年達(dá)到961億美元，其中28nm以上的成熟制程占比將達(dá)到48％。

28nm成熟制程需求旺盛的原因

從技術(shù)層面來(lái)看，28nm可以說(shuō)是最具“高性價(jià)比”的制程技術(shù)。

IBS的數(shù)據(jù)顯示，28nm之后芯片的成本迅速上升。28nm工藝的成本為0．629億美元，到了7nm和5nm，芯片的成本迅速暴增，5nm將增至4．76億美元。

相關(guān)資料顯示，28／22nm采用高介電層／金屬閘極（HKMG），是平面式技術(shù)世代中最高階的制程，價(jià)格比16／12nm 所采用的 FinFET 技術(shù)低廉，可提供客戶兼具效能與成本的最佳解決方案。

從終端產(chǎn)品應(yīng)用來(lái)看，較為成熟的28nm節(jié)點(diǎn)主要應(yīng)用包括中低端手機(jī)、平板、機(jī)頂盒、路由器等主芯片。

在智能駕駛、萬(wàn)物聯(lián)網(wǎng)的趨勢(shì)下，需要更多的IC，但也不必用到7nm、5nm生產(chǎn)，用28nm制程即可滿足大部分的需求。

臺(tái)積電：大背景下迅速投資擴(kuò)產(chǎn)28nm

臺(tái)積電在官網(wǎng)發(fā)布公告，臺(tái)積電成立的子公司日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造公司將在日本建廠，同樣，在日本建立的產(chǎn)線也是成熟工藝，為22nm和28nm產(chǎn)線，初期建廠投資為70億美元，計(jì)劃在2024年投入使用。

值得一提的是，此次臺(tái)積電在高雄建廠，將投入577億，預(yù)計(jì)高雄工廠的產(chǎn)能不會(huì)太小。

臺(tái)積電意識(shí)到28nm成熟工藝的重要性，所以，選擇調(diào)整業(yè)務(wù)方向，加大28nm成熟芯片產(chǎn)能的擴(kuò)充。

中芯國(guó)際：提前部署28nm將獲得更多芯片訂單

今年3月，中芯國(guó)際便已經(jīng)宣布擴(kuò)產(chǎn)12英寸28nm成熟工藝產(chǎn)能，將投入23．5億美元，預(yù)計(jì)明年便能投產(chǎn)使用。

其實(shí)，中芯國(guó)際已經(jīng)不止一次擴(kuò)產(chǎn)28nm產(chǎn)能，今年9月，中芯國(guó)際再次決定投資88．7億美元，在上海臨港自貿(mào)區(qū)再次建設(shè)一條月產(chǎn)能10萬(wàn)片的28nm產(chǎn)線。

按照中芯國(guó)際的計(jì)劃，建立的28nm成熟工藝產(chǎn)線，部分產(chǎn)能到明年就能釋放。

此外，中芯國(guó)際率先建立28nm產(chǎn)線，也就意味著，在產(chǎn)能釋放方面比臺(tái)積電更快，如此一來(lái)，在全球缺芯愈演愈烈的背景下，中芯國(guó)際將從市場(chǎng)中獲得更多的芯片訂單。

美國(guó)攔路虎隨時(shí)角落局勢(shì)

光刻機(jī)是半導(dǎo)體設(shè)備中技術(shù)壁壘最高、難度最大、國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程較慢的設(shè)備。不過(guò)這一次中芯國(guó)際并不缺乏用于28nm產(chǎn)線的DUV光刻機(jī)。

盡管ASML DUV光刻機(jī)的光源及部分部件是在美國(guó)生產(chǎn)，然后運(yùn)往荷蘭組裝，但在荷蘭生產(chǎn)的光刻機(jī)并不需要美國(guó)批準(zhǔn)。

短期來(lái)看，中芯國(guó)際并不會(huì)缺少用于28nm產(chǎn)線的DUV光刻機(jī)。

光刻機(jī)暫時(shí)不是攔路虎，但其他設(shè)備的交付情況并不樂(lè)觀。應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體等設(shè)備巨頭在美國(guó)生產(chǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備如果無(wú)法按期交付，可能會(huì)阻礙中芯國(guó)際28nm擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度。

國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商技術(shù)水平基本已達(dá)28nm

北方華創(chuàng)的立式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可用于28nm及以上的集成電路制造；其exiTin系列TiN金屬硬掩膜機(jī)臺(tái)可以用于12英寸55－28nm的Ti／TiN PVD工藝。

目前TiN金屬硬掩膜機(jī)臺(tái)已進(jìn)入國(guó)際供應(yīng)鏈體系并穩(wěn)定量產(chǎn)；此外，北方華創(chuàng)PEALD設(shè)備也能夠滿足28nm產(chǎn)線的要求。

拓荊科技的主要產(chǎn)品有等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個(gè)系列，可用于28nm／14nm邏輯芯片產(chǎn)線。

目前，芯源公司的涂膠顯影設(shè)備最高可用于12英寸單晶圓處理，其前道KS－FT200／300涂膠顯影機(jī)可用于28nm及以上工藝節(jié)點(diǎn)。

整體來(lái)看，大部分國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商的產(chǎn)品已可以應(yīng)用于28nm制程產(chǎn)線中，甚至在部分領(lǐng)域達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平。

結(jié)尾

總體來(lái)看，28nm的大爆發(fā)，既得益于其自身技術(shù)和價(jià)格優(yōu)勢(shì)，更多的還在于市場(chǎng)需求的加持。

隨著這些廠商的技術(shù)和設(shè)備逐漸成熟，28nm芯片的國(guó)產(chǎn)替代正越來(lái)越近，值得行業(yè)期待。