英諾賽科（珠海）科技有限公司為ASML光刻機成功導入8英寸硅基氮化鎵量產線舉辦了慶典。英諾賽科于2021年引入ASML光刻機，憑借著其卓越的成像性能和獨特的TWINSCAN架構（雙晶圓工件平臺），英諾賽科進一步提升了硅基氮化鎵功率器件制造的產能及產線良率。此次慶典上，ASML副總裁兼中國區總經理沈波代表ASML被英諾賽科授予“最佳戰略合作伙伴”稱號。

近年來，相較傳統硅材料，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 等第三代半導體，以其更小尺寸、更高轉換頻率、更高功率密度等特點，逐漸成為了全球半導體產業的新焦點。此新材料可滿足節能、減排、智能制造等全球戰略需求。氮化鎵是“第三代半導體”關鍵材料之一，具有廣闊的市場前景，可滲透到包括消費、工業和汽車類電子應用領域。作為全球領先的8英寸硅基氮化鎵芯片制造商（IDM），英諾賽科一直致力于推動第三代半導體制造技術的創新和革命。