2022年2月15日,中國---意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡化電路設(shè)計(jì)。

IGBT驅(qū)動(dòng)器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器STGAP2SICD 利用意法半導(dǎo)體最新的電隔離技術(shù),采用SO-36W 寬體封裝,能夠耐受6kV瞬變電壓。此外,±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止在高電噪聲工況下發(fā)生雜散導(dǎo)通現(xiàn)象。這兩款驅(qū)動(dòng)器都提供最高4A的柵極控制信號(hào),雙輸出引腳為柵極驅(qū)動(dòng)帶來更多靈活性,支持開通和關(guān)斷時(shí)間單獨(dú)調(diào)整。有源米勒鉗位功能可防止柵極在半橋拓?fù)淇焖贀Q向過程中出現(xiàn)尖峰電壓。

電路保護(hù)功能包括過熱保護(hù)、安全操作看門狗,每個(gè)通道都有欠壓鎖定 (UVLO)機(jī)制,防止驅(qū)動(dòng)器在危險(xiǎn)的低效模式下啟動(dòng)。按照 SiC MOSFET的技術(shù)要求,STGAP2SICD 提高了 UVLO的閾值電壓,以優(yōu)化晶體管的能效。

每款器件都有一個(gè)在雙低邊不對(duì)稱半橋應(yīng)用中同時(shí)開通兩個(gè)通道的iLOCK 引腳和防止在傳統(tǒng)的半橋電路中出現(xiàn)直通電流的互鎖保護(hù)機(jī)制。這兩款驅(qū)動(dòng)器在高壓軌上的額定電壓都達(dá)到 1200V,輸入到輸出傳播時(shí)間為 75ns,PWM控制精度很高。

意法半導(dǎo)體的新雙通道電流隔離柵極驅(qū)動(dòng)器具有專用的關(guān)斷引腳和制動(dòng)引腳,以及待機(jī)省電引腳,目標(biāo)應(yīng)用包括電源、電機(jī)、變頻器、焊機(jī)和充電器。此外,輸入引腳兼容最低3.3V的TTL和 CMOS 邏輯信號(hào),以簡化驅(qū)動(dòng)器與主微控制器或DSP處理器的連接。