近日，杭州昕原半導體主導建設的國內首條 28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12 寸中試生產線順利完成自主研發設備的裝機驗收工作，實現了中試線工藝流程的通線，并成功流片（試生產）。

據介紹，昕原半導體成立于 2019 年，專注于 ReRAM 新型存儲器產品及相關衍生產品的研發，已成長為國內新型存儲器技術的頭部企業，也是國際上新型存儲器產品商業化最快的公司。公司開發的 ReRAM 存儲器具有密度高、能耗低、讀寫速度快及下電數據保存的特點，可形成未來存儲架構的最后一級緩存（FLC，Final Level Cache），消除內存與外存間的“存儲墻”。作為最具潛力的下一代主力存儲器，ReRAM 能廣泛應用于人工智能、工業控制、消費電子、汽車、物聯網、云計算等領域。

據杭州日報報道，傳統 CMOS 代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發進度，而國內各大科研院所雖可在實驗室階段加快迭代速度，但沒有標準的 12 寸量產產線，實驗成果往往很難走向量產。昕原自行搭建的 28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12 寸中試生產線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實驗室的長處，迭代速度快，產線靈活，擁有自主可控的知識產權，使得 ReRAM 相關產品的快速實現變成了可能。

昕原半導體相關負責人表示，目前在 ReRAM 領域國內外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產業實現“彎道超車”提供了可能。目前該公司是除臺積電外，唯一一家在 28nm / 22nm 先進制程 ReRAM 實現量產的公司。