3月9日下午，聞泰科技發(fā)布公告稱，旗下全資子公司 Nexperia B.V.（“安世半導(dǎo)體”）于 2021 年設(shè)立了中國研究院，專注高壓功率器件、模擬 IC 等新產(chǎn)品研發(fā)方向。目前公司自主設(shè)計研發(fā)的絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate BipolarTransistor ，以下簡稱“IGBT”）系列產(chǎn)品已流片成功，取得階段性重大進(jìn)展，各項參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求。

資料顯示，IGBT 是電源轉(zhuǎn)換的核心器件，也是新能源與節(jié)能低碳經(jīng)濟(jì)的主要支撐技術(shù)，具有開關(guān)速度快、載流密度大等特點，并擁有廣泛的應(yīng)用市場，主要面向新能源汽車、光伏/風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、大功率電源、工業(yè)控制、家電產(chǎn)品等領(lǐng)域。其市場空間大、技術(shù)壁壘高且注重工程師經(jīng)驗和品牌口碑積累，是半導(dǎo)體里的優(yōu)質(zhì)賽道。

聞泰科技表示，IGBT 流片成功后，仍需經(jīng)過客戶驗證，后續(xù)量產(chǎn)計劃具有不確定性。

值得一提的是，去年7月，聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體收購的英國晶圓代工廠Newport Wafer Fab就具有用于汽車行業(yè)的MOSFET、IGBT芯片，以及CMOS、模擬芯片開發(fā)制造能力。