SRAM 密度僅提升 5％，消息稱臺積電 N3 工藝迎來重大挑戰(zhàn)
2023-05-30
來源：IT之家
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5 月 30 日消息，根據(jù)國外科技媒體 WikiChip 報道，臺積電 N3 工藝節(jié)點的 SRAM 密度和 N5 工藝節(jié)點基本相同。
臺積電在近日舉辦的 2023 技術研討會上，展示了關于 N3 節(jié)點陣容的更多信息。研討會上的幻燈片顯示，顯示 N3 工藝雖然改進了邏輯密度（logic density），但是 SRAM 密度基本相同。
從最近幾年芯片縮微化來看，SRAM 密度明顯要慢于芯片邏輯密度，也必然對未來更先進的芯片工藝進展帶來更大的挑戰(zhàn)。
臺積電最初聲稱 N3B SRAM 密度比 N5 工藝高 20%，而最新信息顯示，SRAM 密度僅提升 5% 。
SRAM 是處理器晶體管等成本的大頭，在沒有密度改善的情況下，無疑會推高 N3B 的制造成本。
