中商情報網訊：鎵是重要的稀散金屬，在半導體材料、新能源等領域應用廣泛。鎵的相關產品包括金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵等。其中，氮化鎵是最具代表性的第三代半導體材料之一，是目前世界上最先進的半導體材料。

從產量來看，2022年中國原生鎵產量約606噸，作為原生鎵生產大國，中國鎵產量占全球產量比例達90%以上。在國內主要生產廠商新增、擴建產能逐漸釋放的背景下，預計我國將維持全球鎵供應的主導權，預計2023年中國原生鎵產量將超過700噸。

數據來源：USGS、中商產業研究院整理

行業發展前景

1.全球產業轉移為我國半導體產業發展帶來重要機遇

全球半導體產業鏈歷史上曾經歷過兩次地域上的產業轉移，第一次為20世紀70年代從美國向日本轉移，第二次是20世紀80年代從日本向韓國和中國臺灣地區轉移。目前，全球半導體產業正處于向中國大陸地區轉移的進程之中。目前，半導體材料仍是我國半導體產業較為薄弱的環節，在半導體產業向中國大陸轉移的背景下，中國大陸作為全球最大的半導體終端應用市場，將有望吸引更多國內外半導體企業在中國大陸建廠，將進一步提升國內化合物半導體產業鏈的整體發展水平，預計未來中國大陸化合物半導體的產業鏈配套環境將顯著改善，市場份額占比也將持續擴大。

2.新應用產生的新需求帶來的新機遇

鎵化合物半導體襯底材料具有優異的性能，但長期受限于下游應用領域市場規模較小并且自身成本較高，因此其市場規模遠低于硅襯底材料。然而，近年來，鎵化合物半導體出現了多個新的應用領域，為襯底企業帶來了增量市場，例如Mini LED、Micro LED、可穿戴設備傳感器、車載激光雷達、生物識別激光器等。該等需求均處于產業化進程之中，由于鎵化合物襯底市場規模基數很低，上述每一個市場的放量均會對整個III-V族半導體襯底市場帶來顯著的拉動作用。