2023行至過半，存儲(chǔ)芯片大跌的寒風(fēng)依舊凜冽，DRAM加速降價(jià)、NAND閃存價(jià)格多輪下探、SSD也同步滑落，至于這場(chǎng)大風(fēng)究竟要刮到何時(shí)未曾可知。

不過，近日已有多重信息表明整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)的周期底部越來(lái)越明顯，存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)下行的市況即將步入尾聲。

01觸底反彈還是持續(xù)低迷

在過去的幾個(gè)月里，內(nèi)存和SSD硬盤等多類產(chǎn)品的價(jià)格持續(xù)下跌，如今已跌至歷史低位，32GB內(nèi)存和2TB大容量存儲(chǔ)的價(jià)格也來(lái)到新的甜蜜點(diǎn)。以下是各類產(chǎn)品近一年降價(jià)情況。

然而，進(jìn)入2023年下半年后，市場(chǎng)走勢(shì)正在發(fā)生變化，多家研究機(jī)構(gòu)及存儲(chǔ)原廠紛紛預(yù)測(cè)這些產(chǎn)品的價(jià)格已經(jīng)觸底，并有可能在7月份出現(xiàn)上漲。

美國(guó)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)發(fā)布的最新報(bào)告稱，美光、西部數(shù)據(jù)等存儲(chǔ)芯片供貨商認(rèn)為產(chǎn)品價(jià)格已跌到底，開始取消以折扣價(jià)提前進(jìn)行批量交易的模式，甚至開始抬高價(jià)格。預(yù)計(jì)Q3起存儲(chǔ)芯片價(jià)格下跌幅度將會(huì)收窄，部分產(chǎn)品合約價(jià)格很可能從Q4起出現(xiàn)上升拐點(diǎn)，不同產(chǎn)品線情況有別，明年有望全面復(fù)蘇。

02 DRAM Q3觸底，NAND再等一季

那么DRAM 和NAND的情況如何？分別在什么時(shí)候迎來(lái)行業(yè)回溫？

首先看DRAM。據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，面對(duì)行業(yè)傳統(tǒng)旺季，三星、SK海力士及美光三家存儲(chǔ)巨頭都計(jì)劃調(diào)漲DRAM的下一季度合約價(jià)，目標(biāo)漲幅7%—8% 。此外，美國(guó)調(diào)研公司發(fā)布的報(bào)告顯示，盡管目前內(nèi)存芯片價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定，但從2023年下半年開始，DDR5內(nèi)存可能會(huì)面臨漲價(jià)。據(jù)稱，PC端的DDR5內(nèi)存價(jià)格或?qū)⒆罡呱蠞q5%，而服務(wù)器的DDR5內(nèi)存價(jià)格可能最高上漲10%。已有部分廠商在2023年7月份開始上調(diào)內(nèi)存價(jià)格，這可能對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生較大影響。

其次看NAND。近日NAND閃存芯片市場(chǎng)也傳出由于庫(kù)存水平仍然很高，價(jià)格已跌破制造商底線，影響盈利能力的消息，上游NAND原廠計(jì)劃從7月開始調(diào)漲價(jià)格。

值得注意的是7月起開始調(diào)漲價(jià)格 并不意味著市場(chǎng)真正的回溫。中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)認(rèn)為，存儲(chǔ)器經(jīng)過一年的庫(kù)存調(diào)整，加上三星等減產(chǎn)效應(yīng)逐漸顯現(xiàn)，法人預(yù)期DRAM有望在第三季度觸底，NAND Flash則延后一季在第四季度觸底。

據(jù)悉，7月三星將DRAM月產(chǎn)量削減至62萬(wàn)片晶圓，同比減少12%以上，創(chuàng)下了公司自2021年第三季度以來(lái)DRAM產(chǎn)量的新低。目前，三星的DRAM工廠中，除了采用最先進(jìn)工藝制程的平澤園區(qū)之外，基本所有產(chǎn)線的DRAM產(chǎn)量都在下降。三星內(nèi)部計(jì)劃將減產(chǎn)持續(xù)至明年，在半導(dǎo)體市場(chǎng)重回供需平衡之前，公司將避免擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。Omdia預(yù)計(jì)，明年下半年三星的DRAM月產(chǎn)量將保持在60萬(wàn)片，較目前水平進(jìn)一步減少。與此同時(shí)，三星也開始積極與主要客戶重新談判DRAM價(jià)格

美光的庫(kù)存水位也已經(jīng)得到有效控制。美光季度末庫(kù)存維持在82億美元小幅波動(dòng)，最新目標(biāo)庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)為4個(gè)月（當(dāng)前約5.6個(gè)月），減產(chǎn)幅度從25%提高到30%。下半年上游原廠有望積極地持續(xù)減產(chǎn)，強(qiáng)化庫(kù)存管理和控制供應(yīng)增長(zhǎng)。

03 三大先鋒率先調(diào)漲

不同于去年的普遍衰退，其實(shí)自步入今年以來(lái)，就已經(jīng)有零星產(chǎn)品開始漲價(jià)，分別是：DDR5和HBM，此外手機(jī)用大容量?jī)?nèi)存的行情報(bào)價(jià)也將呈上揚(yáng)態(tài)勢(shì)。看一下這三大板塊當(dāng)下的需求及發(fā)展?fàn)顩r。

首先看DDR5。驅(qū)動(dòng)DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來(lái)自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器 CPU 核心數(shù)量的增長(zhǎng)，因此服務(wù)器需要更大的內(nèi)存帶寬。在服務(wù)器市場(chǎng)，經(jīng)過數(shù)月的庫(kù)存消耗，國(guó)內(nèi)服務(wù)器主要廠商的庫(kù)存水平也已經(jīng)回落至健康水位，近期市場(chǎng)詢單也確有增多，部分廠商已開始釋出訂單。三星電子、SK 海力士和美光三家公司正在推動(dòng)DDR5內(nèi)存的普及，以期抵制當(dāng)前半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑的趨勢(shì)。

7月20日，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，DDR5內(nèi)存價(jià)格出現(xiàn)小幅上漲，這表明該市場(chǎng)即將從最低點(diǎn)進(jìn)入恢復(fù)階段。

其次，被AI服務(wù)器引爆的HBM新型存儲(chǔ)需求也在今年開年以來(lái)迅速增加。根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)，HBM 市場(chǎng)被海力士（占 53%)、三星（占38%）和美光（占9%）三大內(nèi)存原廠占據(jù)。受益于AI的提振，2023年開年后三星、SK海力士?jī)杉掖鎯?chǔ)大廠HBM訂單就快速增加，價(jià)格也水漲船高，據(jù)悉近期HBM3規(guī)格DRAM價(jià)格上漲5倍。目前SK海力士已著手?jǐn)U建HBM產(chǎn)線，目標(biāo)將HBM產(chǎn)能翻倍。擴(kuò)產(chǎn)焦點(diǎn)在于HBM3，SK海力士正在準(zhǔn)備投資后段工藝設(shè)備。三星也計(jì)劃投資1萬(wàn)億韓元（約合7.6億美元）擴(kuò)產(chǎn)HBM，目標(biāo)明年底之前將HBM產(chǎn)能提高一倍，公司已下達(dá)主要設(shè)備訂單。不過調(diào)整產(chǎn)能需要時(shí)間，很難迅速增加HBM產(chǎn)量，預(yù)計(jì)未來(lái)兩年HBM供應(yīng)仍將緊張。

最后，5G智能手機(jī)的強(qiáng)勁需求也為智能手機(jī)內(nèi)存市場(chǎng)的增長(zhǎng)創(chuàng)造了上升趨勢(shì)。目前應(yīng)用于智能手機(jī)存儲(chǔ)的RAM和ROM最新產(chǎn)品規(guī)范已經(jīng)發(fā)展到了LPDDR5/5x和UFS4.0，無(wú)疑將成為各大手機(jī)廠商高端旗艦應(yīng)用首選，但是這兩種類型產(chǎn)品目前供應(yīng)來(lái)源和產(chǎn)能相對(duì)有限。根據(jù)CFM數(shù)據(jù)顯示，由于各廠商之前價(jià)格基準(zhǔn)不同，預(yù)計(jì)Q3 LPDDR5/5x普遍漲幅將在10%—20%，漲至0.2-0.22美元/Gb以上的意愿較強(qiáng)，部分廠商在供應(yīng)和報(bào)價(jià)方面仍存在不確定性；UFS 4.0方面，由于上半年部分搭載UFS4.0產(chǎn)品機(jī)型銷量反饋較好，下半年搭載UFS4.0機(jī)型預(yù)計(jì)比之前預(yù)期更多，因此行情報(bào)價(jià)也將呈上揚(yáng)態(tài)勢(shì)。

04 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)公司突然走紅

今年以來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格雖然在一直下探，但國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商卻一直表現(xiàn)不凡。

國(guó)產(chǎn)A股存儲(chǔ)芯片核心公司約有10余家。根據(jù)私募排排網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，截至7月13日收盤，有7只存儲(chǔ)芯片概念股年內(nèi)漲幅已翻倍。當(dāng)日存儲(chǔ)板塊指數(shù)更是大漲6%以上，其中具有優(yōu)秀表現(xiàn)的公司包括：兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯半導(dǎo)體、華海誠(chéng)科等。

那么存儲(chǔ)芯片為何突然走強(qiáng)？又有哪些公司有望在這次走紅中受益？

HBM盛行，國(guó)產(chǎn)公司涌現(xiàn)

今年以來(lái)HBM板塊持續(xù)爆發(fā)，然而這一賽道主要被海外巨頭所壟斷。2022年HBM市場(chǎng)份額中，SK海力士獨(dú)占50%，三星約40%，美光僅10%，且SK海力士是目前唯一量產(chǎn)HBM3的公司。不過在HBM盛行的當(dāng)下，一些優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)公司也正在涌現(xiàn)。比如：HBM供應(yīng)商華海誠(chéng)科、雅克科技、太極實(shí)業(yè)；HBM代理商香農(nóng)芯創(chuàng)、商洛電子；HBM環(huán)氧塑封料供應(yīng)商華海誠(chéng)科、飛凱材料、宏昌電子、壹石通、聯(lián)瑞新材；還有進(jìn)擊HBM先進(jìn)封裝的華海誠(chéng)科、中富電路；HBM基板供應(yīng)商中富電路、科翔股份、滿坤科技等。

其中華海誠(chéng)科可以應(yīng)用于HBM的材料已通過部分客戶認(rèn)證，顆粒狀環(huán)氧塑封料是HBM需要的核心封測(cè)材料，目前國(guó)內(nèi)唯一，全球僅三家；雅克科技是SK海力士的核心供應(yīng)商，HBM核心標(biāo)的，也是全球領(lǐng)先的前驅(qū)體供應(yīng)商之一。

利基市場(chǎng)收益

眾所周知，美光在中國(guó)的存儲(chǔ)市場(chǎng)“占地不菲”，倘若美光在中國(guó)的業(yè)務(wù)受限，首先受益的自然是利基存儲(chǔ)市場(chǎng)。利基存儲(chǔ)主要包含 4Gb DDR4 及以下的 DRAM，2D NAND 及 NOR Flash、EEPROM 等品類，毛利較低，市場(chǎng)規(guī)模遠(yuǎn)小于主流儲(chǔ)存產(chǎn)品，但是相應(yīng)技術(shù)壁壘也相對(duì)較低，國(guó)外巨頭正在逐步退出這部分競(jìng)爭(zhēng)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司正在逐步崛起。

在利基存儲(chǔ)領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新是成長(zhǎng)最快、實(shí)力最強(qiáng)的公司。兆易創(chuàng)新的存儲(chǔ)芯片營(yíng)收中70% 來(lái)自NOR閃存、利基型DRAM占比18%，其余小部分為NAND閃存，公司目前產(chǎn)品布局主要面向IPC、機(jī)頂盒、掃地機(jī)器人等物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域利基市場(chǎng)需求。

在利基型 DRAM 車用存儲(chǔ)領(lǐng)域，北京君正通過并購(gòu)獲得了后發(fā)趕超的優(yōu)勢(shì)。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，全球車規(guī)DRAM市場(chǎng)份額排名前三的分別為美光（45％）、北京矽成（15％）和三星（11％），若美光業(yè)務(wù)受限，車載存儲(chǔ)龍頭北京君正有望優(yōu)先受益；SLC NAND領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)龍頭東芯股份有望受益。

下游的存儲(chǔ)模組行業(yè)，江波龍和佰維存儲(chǔ)在全球市場(chǎng)也有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，其中江波龍的 eMMC 及 UFS 在全球市場(chǎng)占有率為 6.5%，全球第六，國(guó)內(nèi)第一；佰維存儲(chǔ)全球市占率 2.4%，全球第八，國(guó)內(nèi)第二。這兩家公司的主要供應(yīng)商，都包括美光。

先進(jìn)封測(cè)當(dāng)?shù)?/span>

目前，包括三星、美光、SK 海力士在內(nèi)的國(guó)際領(lǐng)先存儲(chǔ)器大廠都是以 IDM 的模式運(yùn)營(yíng)，不過，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)尚處于起步階段，并沒有完善的內(nèi)部封裝能力，選擇將封裝外包給 OSAT 廠商，這就給了國(guó)內(nèi) OSAT 廠商一個(gè)商機(jī)。

在存儲(chǔ)器封裝市場(chǎng)，也有以通富微電、深科技（沛頓科技）、太極實(shí)業(yè)、華天科技、長(zhǎng)電科技等為代表的眾多國(guó)內(nèi)封測(cè)廠商紛紛押下重注。通富微電將存儲(chǔ)器封測(cè)作為其未來(lái)發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域，并與長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)結(jié)為戰(zhàn)略合作伙伴，已大規(guī)模生產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)品。深科技在年報(bào)中指出，隨著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商相繼達(dá)成有效產(chǎn)能，半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)（包括晶圓代工和封測(cè)）的景氣度持續(xù)走高。長(zhǎng)電科技也在年報(bào)中表示，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)領(lǐng)域，長(zhǎng)電科技的封測(cè)服務(wù)覆蓋 DRAM、Flash 等各種存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品。

05 結(jié)語(yǔ)

存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，在景氣度高漲時(shí)，各廠商擴(kuò)大產(chǎn)能以增加收入，易導(dǎo)致供應(yīng)過剩，而在景氣度下降時(shí)則收縮產(chǎn)能、降價(jià)清理庫(kù)存，最終導(dǎo)致市場(chǎng)供不應(yīng)求。從歷史周期維度看，存儲(chǔ)行業(yè)周期約為3-4年，而本周期自2020年Q1起始，于2022年Q1價(jià)格階段性見頂，目前已連續(xù)6個(gè)季度降價(jià)。

當(dāng)下已接近這一輪存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)周期的底部，國(guó)內(nèi)也已經(jīng)涌現(xiàn)出一批很受市場(chǎng)關(guān)注的企業(yè)正努力抓住機(jī)遇，憑借成本優(yōu)勢(shì)、技術(shù)性能等迅速在市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟。待市場(chǎng)景氣度回升，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商有望分得更大的市場(chǎng)。