眾所周知，目前的芯片以硅基芯片為主，即采用硅為原料，制造成晶圓，再通過光刻機、刻蝕等技術，變成祼片，再切割，封裝成一顆顆成品芯片。

硅晶圓可以說是最重要的材料，但硅晶圓也分為很多種，并不是所有的芯片使用硅晶圓都是一樣的，一般不同的芯片類型，有不同的硅晶圓。

比如近日，中國科學院上海微系統所就表示，研究團隊制備出了國內第一片300mm射頻（RF）SOI晶圓，實現了0的突破。

這個SOI晶圓就是一種特色晶圓，SOI是Silicon On Insulator的簡稱，也就是硅晶體管結構在絕緣體之上的意思。

SOI晶圓的優點，就是能夠減少電流漏電，從而降低功耗，因為目前的芯片漏電功耗，已經占到了所有功耗的一半了，能夠減少漏電電流，就能夠大幅度降低功耗，減少發熱。

還有SOI晶圓，能夠提升時鐘頻率，所以這種晶圓，一般適用于低功率、低發熱、功耗、熱量敏感型的器件，比如射頻、功率和硅光器件這些芯片。

以前國內是無法制造這種SOI晶圓的，全球SOI晶圓90%以上的市場被法國Soitec壟斷。而在SOI晶圓制造上，美國的格芯又是最牛的，所以目前全球眾多的射頻芯片，全是格芯代工的，甚至美國軍方大多數射頻器件的代工，都是格芯。

當然，隨著工藝的不斷細分，目前SOI晶圓也分為很多種，比如FD-SOI、RF-SOI、Power-SOI、Photonics-SOI、Imager-SOI。

這些晶圓用于不同的芯片、不同的領域，而這次中科院制造出來的只是RF-SOI，但相信后續接下來，我們能夠制造出更多的SOI晶圓。

此外，隨著國產SOI晶圓的生產，也將推進國內SOI晶圓的代工生產等，要知道目前國內射頻芯片發展相對落后，比如手機使用的射頻芯片，特別是高端射頻芯片，比如5G射頻芯片，國內制造大多不出來，大量依賴進口。

而RF-SOI晶圓的問世，想必也能夠推動射頻芯片的代工、封裝等與之配套的產業發展，從而減少后續對國外射頻芯片的依賴。