11 月 3 日消息，三星電子本周向投資者透露，近期將過(guò)渡和推進(jìn)光刻技術(shù)，計(jì)劃 2024 年下半年向市場(chǎng)推出采用第二代 3nm 工藝技術(shù)（SF3）以及量產(chǎn)版 4nm 工藝（SF4X）的產(chǎn)品。

圖源：三星電子

該公司一份聲明中寫道：

我們計(jì)劃今年下半年啟動(dòng)第二代 3nm 工藝、以及用于 HPC 的第 4 代 4nm 工藝的量產(chǎn)，進(jìn)一步增強(qiáng)我們的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。

由于移動(dòng)需求的反彈和 HPC 需求的持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)市場(chǎng)將轉(zhuǎn)向增長(zhǎng)。

注：三星即將推出的 SF3 工藝技術(shù)是對(duì)其現(xiàn)有 SF3E 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的重大升級(jí)，根據(jù)目前公布的信息，該節(jié)點(diǎn)僅用于制造用于加密貨幣挖礦的小型芯片。

三星聲稱，SF3 將提供更大的設(shè)計(jì)多功能性，可以在相同的單元類型中，為不同的全柵極 （GAA） 晶體管提供不同的納米片通道寬度。

盡管三星沒(méi)有直接比較 SF3 和 SF3E，但三星表示 SF3 比 SF4（4LPP、4nm 級(jí)、低功耗）有重大改進(jìn)：包括在相同功率和復(fù)雜性下性能提高 22%，或者在相同頻率和晶體管數(shù)量下功耗降低 34%，以及邏輯面積減少 21%。