實(shí)話實(shí)說，對(duì)于中國(guó)大陸的芯片制造產(chǎn)業(yè)而言，目前的首要任務(wù)肯定不是像臺(tái)積電、三星一樣搞定3nm，而是腳踏實(shí)地，先把14nm、7nm產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)全部國(guó)產(chǎn)化。

然后再用利14nm、7nm這樣相對(duì)先進(jìn)的工藝，制造出5nm、3nm這樣性能的芯片出來，畢竟EUV光刻機(jī)買不到，我們要進(jìn)入5nm確實(shí)很困難。

不過，要實(shí)現(xiàn)14nm、7nm芯片的全部國(guó)產(chǎn)化，也有一個(gè)大困難，那就是國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)。

普通的ArF光刻機(jī)，最高支持的工藝是65nm，只有進(jìn)入浸潤(rùn)式光刻機(jī)，也就是ArFi光刻機(jī)，最高才能支持到7nm這個(gè)級(jí)別，所以要想14nm、7nm芯片全國(guó)產(chǎn)化，浸潤(rùn)式光刻機(jī)必須國(guó)產(chǎn)化。

那么問題來了，浸潤(rùn)式光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化，我們還差多少步？

浸潤(rùn)式光刻機(jī)，與普通的非浸潤(rùn)式ArF光刻機(jī)相比，主要在于在晶圓上方，會(huì)加入一層水，而深紫光線光源，經(jīng)過這一層水的折射時(shí)，波長(zhǎng)193nm會(huì)變成134nm，從而提高光刻精度。

而控制這層水的系統(tǒng)的叫做浸潤(rùn)式系統(tǒng)。其它的結(jié)構(gòu)，與普通的非浸潤(rùn)式光刻機(jī)相同。

而普通的非浸潤(rùn)式光刻機(jī)，主要由三大關(guān)鍵部分組成，光源系統(tǒng)、物鏡系統(tǒng)、工作臺(tái)。

光源系統(tǒng)采用的是193nm波長(zhǎng)的深紫外線，這一塊上海微電子目前實(shí)現(xiàn)的光刻機(jī)，采用的就是193nm波長(zhǎng)的光源，所以光源系統(tǒng)已經(jīng)搞定。

再看物鏡系統(tǒng)，這一塊是當(dāng)前光刻機(jī)的難點(diǎn)，因?yàn)锳SML與卡爾蔡司獨(dú)家合作，目前國(guó)產(chǎn)的物鏡系統(tǒng)還在90nm，但有媒體報(bào)道稱，長(zhǎng)春光電所已經(jīng)搞定了32nm，但離浸潤(rùn)式光刻機(jī)的要求，還有一點(diǎn)距離。

接著看工作臺(tái)，這里并不是特別難，清華大學(xué)與華卓精科合作，推出的雙工作臺(tái)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了10nm精度的控制，所以用于浸潤(rùn)式光刻機(jī)，基本上也沒問題了。

至于浸潤(rùn)式系統(tǒng)這一塊，主要由控制軟件、液態(tài)傳感器、控制器等組成，之前有媒體報(bào)道稱啟爾機(jī)電在浸液控制系統(tǒng)上取得了重大突破，可以用于浸潤(rùn)式光刻機(jī)了。

可見，真正卡住的只有物鏡系統(tǒng)了，一旦物鏡系統(tǒng)突破，那么國(guó)產(chǎn)浸潤(rùn)式光刻機(jī)就能夠搞定了，那么實(shí)現(xiàn)最高7nm芯片的全國(guó)產(chǎn)化，也就不那么困難了。

至于國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)，那就物鏡系統(tǒng)、工作臺(tái)、EUV光源都要解決，所以大家先別急，等浸潤(rùn)式光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化再說，路得一步一步走。