中商情報網(wǎng)訊：碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。近年來，伴隨國內(nèi)新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等行業(yè)的快速發(fā)展，我國碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模和產(chǎn)業(yè)技術(shù)得到進(jìn)一步提升，行業(yè)前景廣闊。

碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢，將極大地提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率。隨著技術(shù)突破和成本的下降，碳化硅功率器件預(yù)計將大規(guī)模應(yīng)用于電動汽車、充電樁、光伏新能源等各個領(lǐng)域。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029全球及中國SiC和GaN功率器件市場洞察報告》顯示，2023年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模達(dá)19.72億美元，近五年年均復(fù)合增長率達(dá)35.79%。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，2024年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將增至26.23億美元。

數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

目前主流的射頻器件有砷化鎵、硅基LDMOS、碳化硅基氮化鎵等不同類型。碳化硅基氮化鎵射頻器件具有良好的導(dǎo)熱性能、高頻率、高功率等優(yōu)勢，有望開啟廣泛應(yīng)用。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029全球及中國SiC和GaN功率器件市場洞察報告》顯示，隨著通信基礎(chǔ)建設(shè)和軍事應(yīng)用的需求發(fā)展，全球碳化硅基射頻器件市場規(guī)模持續(xù)增長，2023年市場規(guī)模達(dá)到14.18億美元。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，2024年全球碳化硅基射頻器件市場規(guī)模將達(dá)到16.54億美元。

數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

行業(yè)發(fā)展前景

1.第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略地位得到廣泛重視

碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。由于在新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、消費(fèi)電子、國防軍工、航空航天等諸多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，第三代半導(dǎo)體材料的重要性和戰(zhàn)略地位得到廣泛重視。歐盟委員會、美國能源部、日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)開發(fā)機(jī)構(gòu)等發(fā)達(dá)國家和機(jī)構(gòu)相繼啟動第三代半導(dǎo)體襯底及器件的多個發(fā)展計劃和研發(fā)項目，推動本國（地區(qū)）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，鞏固其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

2.國內(nèi)碳化硅材料企業(yè)快速崛起

我國的碳化硅晶體研究從20世紀(jì)90年代末才起步，并在發(fā)展初期受到技術(shù)瓶頸和產(chǎn)能規(guī)模限制而未能實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，與國際先進(jìn)水平相比存在較大差距。進(jìn)入21世紀(jì)以來，在國家產(chǎn)業(yè)政策的支持和引導(dǎo)下，我國碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)發(fā)展大幅提速。先后涌現(xiàn)出山東天岳、天科合達(dá)等具有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶片優(yōu)秀制造企業(yè)。國內(nèi)企業(yè)以技術(shù)驅(qū)動發(fā)展，深耕碳化硅晶片與晶體制造，逐步掌握了2英寸至6英寸碳化硅晶體和晶片的制造技術(shù)，打破了國內(nèi)碳化硅晶片制造的技術(shù)空白并逐漸縮小與發(fā)達(dá)國家的技術(shù)差距。目前，以天科合達(dá)為代表的國內(nèi)碳化硅晶片制造企業(yè)的部分產(chǎn)品在核心參數(shù)上已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平，晶片產(chǎn)品對外銷往北美、歐洲、日本、韓國等國家和地區(qū)，與美國CREE公司、美國II-VI公司等國際企業(yè)進(jìn)行直接競爭。未來伴隨我國新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等行業(yè)的快速發(fā)展，我國碳化硅材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模和產(chǎn)業(yè)技術(shù)將得到進(jìn)一步提升。

3.國內(nèi)進(jìn)口替代趨勢不可逆轉(zhuǎn)

為發(fā)展我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控，國家宏觀到微觀層面先后出臺了大量支持政策與規(guī)劃，促進(jìn)國內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體設(shè)備、材料、設(shè)計等各個細(xì)分領(lǐng)域的重點突破。同時，數(shù)千億規(guī)模的國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金對半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)與設(shè)計、下游應(yīng)用領(lǐng)域的重點企業(yè)提供了有力的資金支持。目前我國完善的基建配套、巨大的工程技術(shù)人員規(guī)模和市場容量已經(jīng)培育出了在細(xì)分領(lǐng)域具有國際競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)品制造企業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是資金密集、技術(shù)密集和人才密集的產(chǎn)業(yè)，國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在政策引導(dǎo)、資金支持下，產(chǎn)能規(guī)模和制造技術(shù)均能保持穩(wěn)定發(fā)展，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈實現(xiàn)進(jìn)口替代的趨勢不可逆轉(zhuǎn)。