一、產品概述

JSM21867S是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側驅動芯片，具有兩個獨立地傳輸通道。內部集成了高、低側欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路，具備大電流脈沖輸出能力，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出電流能力最大可達4A，其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。IRS21867S采用SOP-8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作。

二、核心產品特性

• 自舉工作的浮動通道

• 最高工作電壓為 700V兼容

•  3.3V, 5V和 15V 輸入邏輯

• dv/dt 耐受能力可達+50 V/nsec

• Vs負壓耐受能力達-9V

• 柵極驅動電壓:10V到20V

• 高、低側欠壓鎖定電路

  --欠壓鎖定正向閩值6V

  --欠壓鎖定負向閥值 5.5V

• 芯片開通/關斷傳輸延時

  --Ton/Toff =150ns/150ns

• 高低側延時匹配

• 驅動電流能力:

  ----拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

• 符合 RoSH 標準

  SOP-8

三、核心參數大起底：700V 高壓 + 4A 大電流，性能毫不遜色

作為一款專為高壓功率場景設計的驅動芯片，JSM21867STR 的參數表堪稱 “教科書級別”。它支持最高 700V 工作電壓，浮地通道設計讓其輕松應對高壓母線環境，無論是驅動 N 溝道高壓 MOSFET 還是 IGBT，都能穩定輸出驅動力。

驅動能力上更是 “底氣十足”：拉電流和灌電流均可達 4.0A，大電流脈沖輸出能力確保功率器件快速開關，大幅減少開關損耗。動態響應同樣出色，開通傳輸延時（Ton）和關斷傳輸延時（Toff）均低至 150ns，高低側延時匹配誤差≤35ns，高速響應特性讓電路動態性能更優。

兼容性方面，它支持 3.3V、5V、15V 多電平邏輯輸入，無需額外電平轉換電路即可適配不同控制系統，極大簡化了電路設計。更值得一提的是其強悍的抗干擾能力：dV/dt 耐受能力達 + 50V/nsec，Vs 引腳負壓耐受能力達 - 9V，能有效抵御開關過程中產生的尖峰干擾，減少誤動作風險。

四、應用場景全覆蓋，從家電到工業無一不精

憑借優異的性能，JSM21867STR 的應用場景十分廣泛：

• 電機驅動與控制：無刷電機、伺服驅動器中，高低側同步驅動能力確保電機平穩運行；

• 電動工具：大電流驅動特性適配高速運轉需求，提升工具續航與效率；

• 電源轉換系統：逆變器、DC-DC 轉換器中，高壓耐受與低延時特性減少能量損耗；

• 家電設備：冰箱、空調等白色家電的壓縮機驅動，可靠性設計延長整機壽命。

五、引腳功能描述

極限與推薦范圍：

• 結溫（TJ）最高 150℃，存儲溫度（Ts）-55℃至 150℃，引腳溫度（TL）最高 300℃。

• 封裝功率（PD）：0.625W（TA≤25℃），結到環境熱阻（RthJA）200℃/W。

ESD 額定值：

電氣特性（TA=25℃，VCC=VB=15V，CL=1nF）：

六、替代 IRS21867？這三大優勢讓替換毫無壓力

對于正在使用 IRS21867 的工程師來說，JSM21867STR 堪稱 “即插即用” 的理想替代方案，核心優勢體現在三個方面：

1. 封裝與引腳完全兼容
JSM21867STR 采用與 IRS21867 相同的 SOP-8 封裝，引腳定義與功能一一對應：1 腳 VCC（電源）、2 腳 HIN（高側輸入）、3 腳 LIN（低側輸入）、4 腳 COM（地）、5 腳 LO（低側輸出）、6 腳 VS（高側浮動地）、7 腳 HO（高側輸出）、8 腳 VB（高側浮動電源）。無需修改 PCB 布局即可直接替換，完美繼承原有設計成果。

2. 核心參數全面對標
對比關鍵性能指標，JSM21867STR 在驅動電流、耐壓能力、保護閾值等核心參數上均達到或優于 IRS21867 水平。例如，兩者均集成高 / 低側欠壓鎖定電路，JSM21867STR 的欠壓鎖定正向閾值為 6V、負向閾值為 5.5V，與行業標準高度匹配，確保供電不足時的安全保護。

3. 工業級可靠性更勝一籌
JSM21867STR 的工作溫度范圍覆蓋 - 40℃至 125℃，結溫（TJ）最高可達 150℃，存儲溫度（Ts）范圍 - 55℃至 150℃，完全滿足工業級寬溫環境需求。ESD 防護能力同樣出色，人體放電模式（HBM）達 1.5kV，機器放電模式（MM）達 500V，抗靜電能力確保生產與使用過程中的可靠性。